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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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隨著電動汽車和無人機(jī)等高功率設(shè)備的快速發(fā)展，對快速、高功率和高效的充電需求也越來越高。而氮化鎵充電器作為一種新興的半導(dǎo)體材料，可以幫助滿足這些需求。在本...
國產(chǎn)氮化鎵實(shí)現(xiàn)新突破，1200V的氮化鎵器件有何優(yōu)勢？
眾所周知，GaN 功率晶體管的關(guān)鍵問題之一是它們在開關(guān)操作期間的動態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 增加，這會影響 GaN 功率晶體管和整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。
2023-11-22 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻氮化鎵開關(guān)器件 2130 0
直擊氮化鎵領(lǐng)域的無限可能！ 讓氮化鎵不再神秘，泰克攜手英諾賽科一起加速未來科技
中國北京2022年4月22日?— 近年來一直發(fā)力第三代半導(dǎo)體測試解決方案的泰克科技，最近攜手英諾賽科一起致力于開發(fā)氮化鎵的應(yīng)用未來。未來，雙方將攜手克服...
鎵未來TOLL&TOLT封裝氮化鎵功率器件助力超高效率鈦金能效技術(shù)平臺
珠海鎵未來科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
【芯聞精選】穩(wěn)懋加碼投資建廠，預(yù)計(jì)三年后量產(chǎn)；大眾汽車宣布將自研高性能芯片
2021年90期 產(chǎn)業(yè)新聞 ? 長電科技完成50億元定增項(xiàng)目，進(jìn)一步提升芯片成品制造能力 ? 5月8日消息 電科技近日發(fā)布公告稱，公司完成定增募資約50...
隨著手機(jī)充電技術(shù)的迅猛發(fā)展，快充已經(jīng)成為智能手機(jī)的標(biāo)配，不少手機(jī)廠商還將“百瓦級”快充作為自家旗艦的宣傳亮點(diǎn)。
氮化鎵主要用于LED(發(fā)光二極管)、微電子(微波功率和電力電子器件)、場效電晶體(MOSFET)
傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅 (Si)，因?yàn)樗馁Y源豐富且價(jià)格實(shí)惠。然而，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)都提供額外的好處...
在早前于四川成都舉辦的 2021 中國西部微波射頻技術(shù)研討會上，Qorvo 基礎(chǔ)建設(shè)事業(yè)部高級銷售經(jīng)理 Kevin He 發(fā)表了一個(gè)題為《基于5G 基站...
功率半導(dǎo)體廠商納微半導(dǎo)體2024年第一季度收入業(yè)績同比增長達(dá)73%
1 得益于移動快充、AI數(shù)據(jù)中心對氮化鎵的持續(xù)采用，以及碳化硅在電動汽車、太陽能和工業(yè)應(yīng)用的銷售增長，納微半導(dǎo)體2024年第一季度收入同比增長達(dá)73%。...
2024-05-10 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 2079 0
納微半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化鎵功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化鎵快充
加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NV...
2024-06-21 標(biāo)簽：聯(lián)想氮化鎵納微半導(dǎo)體 2078 0
2024新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會6月21-23日濟(jì)南召開
半導(dǎo)體晶體是信息產(chǎn)業(yè)的基石，其生長技術(shù)、加工工藝、關(guān)鍵設(shè)備、器件應(yīng)用及原材料供給等對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的安全穩(wěn)定至關(guān)重要。
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個(gè)半導(dǎo)體...
納微半導(dǎo)體迅速擴(kuò)張芯片出貨量創(chuàng)歷史新高
納微半導(dǎo)體正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障，反應(yīng)了全球移動消費(fèi)電子市場正加速采用氮...
Power Integrations榮獲“國際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”
Power Integrations，憑借其全球領(lǐng)先的功率器件技術(shù)和卓越的市場表現(xiàn)，榮獲了“國際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)不僅是對Power Int...
近日，小米上架了兩款充電器，一個(gè)是小米充電器120W秒充版，售價(jià)249元，另一個(gè)是小米氮化鎵GaN充電器55W，售價(jià)99元。兩款充電器均附送數(shù)據(jù)線。
全球領(lǐng)先！納微半導(dǎo)體氮化鎵芯片出貨量超1300萬顆
納微半導(dǎo)體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障。
2021-01-27 標(biāo)簽：氮化鎵功率IC納微半導(dǎo)體 2062 0
Qorvo全球CEO專訪：手機(jī)中哪些射頻器件會爆增？
“我們在未來的5G 射頻市場將擁有很多領(lǐng)先的技術(shù)，比如非常適合毫米波器件的氮化鎵（GaN）工藝。不僅如此，現(xiàn)在多頻多模LTE手機(jī)，特別是運(yùn)營商最新要求的...
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙...
近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側(cè)控制IC驅(qū)動MTCD-mode GaN F...
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