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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵技術(shù)再突破！英飛凌重磅發(fā)布新品，助力人形機(jī)器人能效革新
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月14日，在英飛凌ICIC峰會(huì)上，英飛凌首次在國(guó)內(nèi)展示英飛凌發(fā)布兩項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新，分別是英飛凌300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μ...
2025-03-20 標(biāo)簽：氮化鎵 1942 0
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成...
2023-02-07 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)半導(dǎo)體材料氮化鎵 1941 0
全球最高功率密度！納微全新4.5kW服務(wù)器電源方案正式發(fā)布，輕松滿足AI數(shù)據(jù)中心增長(zhǎng)的功率需求
納微氮化鎵和碳化硅混合設(shè)計(jì)電源能在最小尺寸下，為每個(gè)搭載AI GPU的機(jī)柜提升3倍功率 加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFas...
2024-07-26 標(biāo)簽：電源服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 1916 0
英飛凌公布一款功率為65W的USBPD充電器 采用第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵
在近日的業(yè)內(nèi)電源展會(huì)上，英飛凌公布了最新的氮化鎵材料應(yīng)用，一款功率為65W的USB PD充電器。
納微半導(dǎo)體2022年第四季度及全年財(cái)報(bào)亮眼 2022年收入增長(zhǎng)60%
1 2022年收入增長(zhǎng)60%。 2 納微藉技術(shù)、終端市場(chǎng)、地域多樣化形成規(guī)模優(yōu)勢(shì)。 3 取代功率半導(dǎo)體器件中的傳統(tǒng)硅應(yīng)用；實(shí)現(xiàn)新增長(zhǎng)市場(chǎng)電氣化。 下一代...
從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的...
2020-07-06 標(biāo)簽：氮化鎵 1896 0
RF GaAs模具市場(chǎng)將從2019年的28億美元左右增長(zhǎng)到2025年的36億美元以上。這一市場(chǎng)是由5G和Wi-Fi6手機(jī)應(yīng)用需求的增長(zhǎng)推動(dòng)的。
半導(dǎo)體市場(chǎng)剛起步誰能成為下個(gè)勝利者？
過去30年，臺(tái)積電、聯(lián)電擅長(zhǎng)制造的邏輯IC，基本上都是以硅做為材料?！腹杌旧鲜且环N相當(dāng)全能的材料。」工研院產(chǎn)業(yè)科技國(guó)際策略發(fā)展所研究總監(jiān)楊瑞臨觀察。
2021-03-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 1893 0
普通消費(fèi)者，甚至對(duì)氮化鎵了解不多的工程師，普遍認(rèn)為氮化鎵只能實(shí)現(xiàn)幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實(shí)，因?yàn)樵鰪?qiáng)型氮化鎵目前只有QFN/DFN和T...
2022-11-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1886 0
三安半導(dǎo)體首發(fā)8英寸碳化硅襯底，國(guó)內(nèi)8英寸加速布局！
從產(chǎn)能來看，湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產(chǎn)能2,000片/...
隨著技術(shù)的飛速發(fā)展，快充已經(jīng)成為智能手機(jī)的標(biāo)配，甚至，不少手機(jī)廠商還將“百瓦級(jí)”快充作為宣傳自家旗艦的一大亮點(diǎn)。
電動(dòng)汽車的日益普及正在改變行業(yè)，對(duì)緊湊輕巧的電源管理解決方案的強(qiáng)烈需求同時(shí)又不影響車輛性能。同時(shí)，設(shè)計(jì)更高效、更具成本效益的工業(yè)解決方案將減少排放，為更...
2022-08-05 標(biāo)簽：電源驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1863 0
GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強(qiáng)型（e-mode）、共源共柵型（cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的柵極驅(qū)動(dòng)和系統(tǒng)要求。
電子元件和電路的適當(dāng)熱管理是確保系統(tǒng)在所有操作條件下正確運(yùn)行和可靠性的基本要求。當(dāng)前電子設(shè)備逐漸小型化的趨勢(shì)以及對(duì)功率密度的需求不斷增加，將熱管理問題置...
大聯(lián)大推出基于InnoGaN產(chǎn)品的1KW DCDC電源模塊方案
2024年1月18日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN ...
氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展...
IN3261G+IN1305M PD 30W內(nèi)置氮化鎵
IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最簡(jiǎn)潔的30W PD充電器方案之一 IN3261G IN3262G為高性能多模式 PWM 反激式控制...
2023-03-01 標(biāo)簽：開關(guān)電源PD氮化鎵 1837 0
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕世雙胞胎，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關(guān)注。電氣工程師之所以如此關(guān)注這兩種功率半導(dǎo)體，是因?yàn)樗鼈?..
2023-10-07 標(biāo)簽：MOS氮化鎵功率半導(dǎo)體 1835 0
2019年，氮化鎵（GaN）方案與技術(shù)掀起電源行業(yè)一波波“熱潮”
隨著2019年5G的正式布局，高效化和智能化已經(jīng)成為每一個(gè)照明企業(yè)都無法回避的問題，各大企業(yè)紛紛布局，通過技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)。其中氮化鎵（GaN）的方案與技術(shù)...
格芯收購(gòu)Tagore Technology氮化鎵技術(shù),加速電源管理創(chuàng)新
近日，全球領(lǐng)先的純晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries，簡(jiǎn)稱GF）宣布了一項(xiàng)重大戰(zhàn)略舉措，成功收購(gòu)了Tagore Technology公司所持...
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