BLP15M9S30GBLP15M9S30G 功率LDMOS晶體管30 W 通用 LDMOS RF 功率晶體管，適用于 HF 至 2 GHz 頻段的廣播和 ISM 應(yīng)用。BLP15M9S30G 特點
2024-02-29 19:33:48
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化鎵HEMTQorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化鎵 (GaN) HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-26 22:58:56
μm碳化硅基氮化鎵生產(chǎn)工藝制造而成。 該器件專門設(shè)計用于高頻和射頻功率 (30W) S波段和X波段傳輸線性功率處理。其余為寬帶 (≥11GHz) 低通接
2024-02-26 18:27:09
Qorvo QPC2511 30W GaN SP3T開關(guān)Qorvo QPC2511 30W GaN（氮化鎵）SP3T開關(guān)是一款單刀三擲開關(guān)，采用專有的QGaN15 0.15μm碳化硅基氮化鎵生產(chǎn)工藝
2024-02-26 18:26:13
前言：在如今快節(jié)奏生活不斷蔓延的背景下，人們對各種事情的處理也漸漸地開始要求在保證質(zhì)量的情況下，不斷加快。手機(jī)快充就是一個典型的例子，從開始的18W，30W快充，到現(xiàn)在已經(jīng)有240W的超級快充出現(xiàn)
2024-02-24 19:04:46
1190 
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來驅(qū)動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅(qū)動方案，但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅(qū)動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
近年來，隨著移動設(shè)備的普及和科技的不斷進(jìn)步，人們對于充電速度和電池續(xù)航能力的需求也越來越高。PD快充和氮化鎵的出現(xiàn)，對于滿足人們對于充電速度和電池效能的需求起到了重要作用。本文將從技術(shù)原理、特性
2024-01-10 10:34:031491 按照典型電路的設(shè)計，能否實現(xiàn)30W左右的TEC驅(qū)動，除了芯片的供電外還需要外接電源嗎？
2024-01-08 11:22:17
事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
PD快充誘騙芯片，顧名思義，就是通過LDR6328Q PD取電芯片把pd適配器的電壓給誘騙出來固定給后端設(shè)備供電。 PD誘騙芯片是受電端的一種PD協(xié)議芯片，它內(nèi)置了PD通訊模塊，通過與供電端（如PD
2023-12-29 15:28:22798 
Sumitomo 是全球最大的射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件供應(yīng)商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點對點無線電和其他應(yīng)用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
用了幾次來說說使用感受。首先這款恒溫電烙鐵升溫速度很快，標(biāo)稱30W其實感覺有50W的效果。相當(dāng)不錯的一款快速恒溫電烙鐵。
2023-12-13 11:18:44
隨著移動設(shè)備的普及和技術(shù)的不斷進(jìn)步，充電器作為我們?nèi)粘Ｉ钪斜夭豢缮俚呐浼唬苍诓粩嘌葸M(jìn)。其中，PD（Power Delivery）充電器作為一種新一代的充電技術(shù)，正逐漸受到廣大用戶的關(guān)注和喜愛
2023-12-12 10:12:59329 
隨著移動設(shè)備的普及和技術(shù)的不斷進(jìn)步，充電器作為我們?nèi)粘Ｉ钪斜夭豢缮俚呐浼?，也在不斷演進(jìn)。其中，PD（PowerDelivery）充電器作為一種新一代的充電技術(shù)，正逐漸受到廣大用戶的關(guān)注和喜愛
2023-12-12 08:08:36423 
氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302310 使用頻率的大幅度提升給智能手機(jī)的技術(shù)發(fā)展帶來了更高的要求，智能快充市場也隨之爆火。GaN給智能快充領(lǐng)域帶來了不少新機(jī)會，同時也進(jìn)入了多個新的應(yīng)用場景。深圳銀聯(lián)寶科技新推出集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式PD 30W快速充電器芯片U8722，可以更好的提高充電效率！
2023-11-14 09:10:45430 IP2363正式發(fā)布了IP2363 是一款升降壓充電管理IC ,支持2~5節(jié)電池充電， 集成 PD3.0和 DP&DM輸入快充協(xié)議, 充電功率高達(dá) 30W。附件是IP2363規(guī)格書，DEMO
2023-11-01 20:04:50
4 弄了一個DS1305的時鐘，驅(qū)動成功后很高興 ，很快就發(fā)現(xiàn)問題，有半天的時間，這個芯片的時間就可以快出20S左右的時間，幾天前燒的程序，現(xiàn)在已經(jīng)快到2分鐘左右了。感覺是不是有點太離譜了。各位前輩有沒有這樣的問題，有沒有解決方法
2023-10-30 06:19:31
SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
高集成30W氮化鎵合封芯片CX75GE030DI助力充電器輕松實現(xiàn)簡化電源設(shè)計，CX75GE030DI內(nèi)部集成了氮化鎵功率管控制和驅(qū)動電路芯片，外圍精簡，能有效優(yōu)化充電器體積。
2023-10-19 09:12:09359 展嶸同步整流芯片CR731014和協(xié)議芯片CR6126AQ。
這個方案適配了USB-A和USB-C兩個口，功率最高能達(dá)到30W，因搭配使用的是內(nèi)置COOLMOS的主控芯片，其具有更高的開關(guān)頻率和更低的損耗。下面一起來看看相關(guān)的測評吧。
2023-10-11 16:05:45570 
30W單激PFC計算
2023-09-28 07:19:37
PS-1305S按鍵彈力曲線儀機(jī)臺功能？|深圳市磐石測控儀器有限公司
2023-09-20 09:23:12746 
頭IoT Power Charger來了！還有藍(lán)牙5.3耳機(jī)~ 為感謝新老客戶朋友的支持，合宙將陸續(xù)選擇一些大家喜歡的產(chǎn)品上架，即日起特別征集新品建議： 您希望合宙上架什么產(chǎn)品，歡迎文末留言！ 1 合宙30W氮化鎵充電頭 合宙定制版30W氮化鎵充電頭 （ IoT Power Charger） —— 充電
2023-09-19 10:05:021193 
PS-1305S小型荷重試驗機(jī)的優(yōu)勢所在？|深圳磐石測控
2023-09-19 09:20:52669 
近期，展嶸再次給電源適配器開發(fā)了新的方案，支持PD3.0的30W氮化鎵充電頭，一共有兩個接口：A+C。該方案使用的是主控合封氮化鎵SW1123+同步SW1655+協(xié)議CR6126AQ。
2023-09-18 16:45:082246 
。SW2505是一顆高集成的快充協(xié)議芯片，內(nèi)部集成40MHz主頻的ARM M0內(nèi)核CPU，內(nèi)置128KB Flash和4KB SRAM，具備I2C、UART、GPIO等通用接口。集成PD3.1/QC/UFCS
2023-09-18 15:52:03
IP2366 是一款高集成的同步開關(guān)充放電芯片，充電功率可高達(dá)100W,放電功率可以高達(dá)140W,IP2366內(nèi)置溫度檢測，內(nèi)置14bit ADC,支持PD3.1等多種快輸入輸出協(xié)議。支持2-6節(jié)
2023-09-08 18:53:28
集睿致遠(yuǎn)/ASL新推出的CS5466AN單芯片集成了，typec轉(zhuǎn)HDMI+PD3.0+USB3.0，其中HDMI最高支持8k_30Hz高清視頻輸出，還支持最高PD100w快充功能。
2023-09-08 16:47:44463 
30W快充應(yīng)用同步整流icU711X30W快充應(yīng)用同步整流icU711X推薦應(yīng)用范圍：U7116，輸出電壓3~21V，輸出電流≤3A；U7110，輸出電壓3~21V，輸出電流≤4A，是一款高頻率
2023-09-08 08:12:29457 
氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術(shù)的重大進(jìn)步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
英集芯IP6520最大30WPD輸出，集成快充輸出協(xié)議的降壓SOC支持DCP/QC2.0/QC3.0/QC3+/FCP/AFC/PD2.0/PD3.0(PPS)英集芯IP6520是一款集成同步開關(guān)
2023-09-05 21:16:111 英集芯IP6520最大 30W PD 輸出，集成快充輸出協(xié)議的降壓 SOC 民信微支持 DCP/QC2.0/QC3.0/QC3+/FCP/AFC/PD2.0/PD3.0(PPS)英集芯IP6520
2023-09-05 21:14:13
降低了產(chǎn)品成本。搭載GaN的充電器具有元件數(shù)量少、調(diào)試方便、高頻工作實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率等優(yōu)點，可以簡化設(shè)計，降低GaN快充的開發(fā)難度，有助于實現(xiàn)小體積、高效氮化鎵快充設(shè)計。 Keep Tops氮化鎵內(nèi)置多種
2023-08-21 17:06:18
輸出播放，可達(dá)到功率30W。同時它可以外接一個30W的無源副音箱，用在面積較大的場所。5寸進(jìn)口全頻低音喇叭、2.5寸進(jìn)口高音喇叭。SV-7042XT作為網(wǎng)絡(luò)廣播播放系統(tǒng)的終端，可用于需要廣播播放的場所，例如智慧城市、連鎖酒店、教室、醫(yī)院，包括景區(qū)等。 SV-7042XT設(shè)備有網(wǎng)絡(luò)廣播與本地擴(kuò)音
2023-08-15 08:40:46505 此2x30W放大器電子電路項目采用LM4765立體聲音頻放大器IC設(shè)計，能夠以小于30.8%THD+N的0Ω負(fù)載向每通道通常1W的連續(xù)平均輸出功率提供。
每個放大器具有獨立的平滑過渡淡入
2023-08-04 17:45:21
手機(jī)快充就是一個典型的例子，從開始的18W，30W快充，到現(xiàn)在已經(jīng)有240W的超級快充出現(xiàn)。
2023-08-01 18:26:40787 
USB PD3.0相對于USB PD2.0的變化主要有三方面：增加了對設(shè)備內(nèi)置電池特性更為詳細(xì)的描述；增加了通過PD通信進(jìn)行設(shè)備軟硬件版本識別和軟件更新的功能，以及增加了數(shù)字證書及數(shù)字簽名功能。
2023-07-20 09:29:167328 
DDR-30系列是一款30W導(dǎo)軌型DC-DC轉(zhuǎn)換器，其主要特點為導(dǎo)軌型安裝便捷, 寬度僅為35mm的超薄設(shè)計,4:1的超寬范圍輸入電壓、-40~+85℃的寬范圍工作溫度、4KVdc的輸入/輸出隔離、輸出電壓可調(diào)節(jié)(±10%)以及完整的保護(hù)功能等。
2023-07-12 11:19:56580 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)NCP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化鎵快充電源IC，原裝現(xiàn)貨 型號：NCP1342品牌：安森美封裝:SOIC-8 ,SOIC-9
2023-07-11 11:31:20
cs5466typec轉(zhuǎn)hdmi 8k30hz+u3+pd方案
2023-07-10 11:25:51321 
。這款電源內(nèi)置英諾賽科INN700TK350B氮化鎵開關(guān)管，采用TO252封裝，額定耐壓為700V，瞬態(tài)耐壓為800V，具有更多余量。電源支持90-264V輸入電壓
2023-07-05 22:38:44
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)NCP1342原裝65W氮化鎵快充電源主控芯片，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷 NCP1342原裝65W氮化鎵快充電源主控芯片特性集成高壓啟動電路，帶停電檢測集成X2電容放電
2023-07-05 15:38:22
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)NCP1342安森美65W氮化鎵PD充電器芯片，原裝現(xiàn)貨型號：NCP1342品牌：安森美封裝:SOIC-8 SOIC-9 NCP1342
2023-07-05 15:24:23
2SK1305 數(shù)據(jù)表
2023-06-28 19:49:500 氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
采用氮化鎵器件的高頻PWM逆變器，其優(yōu)勢是實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率而無需使用電解電容器和輸入電感器。
參考資料：
1Lidow, A., De Rooij, M., Strydom, J., Reusch
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
IP2366 是一款高集成的同步開關(guān)充放電芯片，充電功率可高達(dá)140W,放電功率可以高達(dá)140W,IP2366內(nèi)置溫度檢測，內(nèi)置14bit ADC,支持PD3.1等多種快輸入輸出協(xié)議。支持2-6節(jié)
2023-06-16 20:00:09
通QC5認(rèn)證100Ｗ氮化鎵快充、麥多多100W氮化鎵、OPPO 65W超級閃充氮化鎵充電器、聯(lián)想90W氮化鎵快充、努比亞65W氮化鎵充電器、倍思120W氮化鎵+碳化硅PD快充充電器等數(shù)十款大功率充電器
2023-06-16 14:05:50
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實例：高性能電機(jī)驅(qū)動器?應(yīng)用示例；高功率開關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
的電壓，其漏極漂移區(qū)為10-20μm，或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。然而，氮化鎵器件目前仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于約300V/μm的禁帶寬度極限，這為未來的優(yōu)化和改進(jìn)，留下了巨大的空間
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔(dān)任副總裁及更高級別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
UG5060-30 是一款應(yīng)用頻率在 5-6GHz 的氮化鎵射頻功率放大管，具有高效率、高增益的特性。這款放大管提供帶法蘭的封裝形式，工作在 48V 供電模式。最大飽和功率35W，用于5.2G/5.8G 無人機(jī)干擾模塊.
2023-05-31 18:41:12
UG4460-30F2 是一款 30W 應(yīng)用頻率高達(dá) 4.4~6GHz 的氮化鎵射頻功率放大管。這款放大管具有 高效率、高增益的特性。這款放大管提供帶法蘭的封裝形式，工作在 28V 供電模式.在
2023-05-31 18:10:03
Cortex-M0 內(nèi)核，最高工作頻率為 40MHz，內(nèi)置 64KB eFlash 、4KB SRAM，并支持 I2C 和 UART 通用外設(shè)接口。
且集成了 Type-C 接口邏輯，USB PD
2023-05-30 11:27:26
IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最簡潔的33W PD充電器方案之一 IN3261G IN3262G為高性能多模式 PWM?反激式控制器。該產(chǎn)品方便用戶以較少的外圍元器件、較低的系統(tǒng)成本
2023-05-22 09:08:56375 2SK1305 數(shù)據(jù)表
2023-05-11 19:27:000 供應(yīng)CR5268TP 30W 低待機(jī)功耗的 CCM+PFM 混合電流模式PWM控制開關(guān)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向啟臣微代理驪微電子申請。>>
2023-05-04 11:17:48
供應(yīng)XPD938D30 65W和65W以內(nèi)支持PD3.0的快充協(xié)議芯片，是富滿微華南總代理，XPD913 集成同步開關(guān)降壓控制器，內(nèi)置功率 MOS。輸出電壓范圍是 3.3V 到21V，能
2023-04-24 14:07:50
隨著氮化鎵功率器件在 PD快充領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，氮化鎵功率器件已經(jīng)成為了消費電子領(lǐng)域的新寵，應(yīng)用范圍也越來越廣。氮化鎵功率器件憑借著自身優(yōu)異的性能和良好的熱特性，被廣泛應(yīng)用于充電器、電源適配器
2023-04-21 11:00:201613 
PD快充方案一直是消費電子產(chǎn)品領(lǐng)域的重要話題，近年來由于智能手機(jī)等設(shè)備在人們的生活中的廣泛應(yīng)用，PD快充也得到了越來越多的關(guān)注。本文將介紹一種以65W氮化鎵（1A2C）PD快充方案，來更好地滿足消費者對快速充電的需求。
2023-04-19 16:06:031353 產(chǎn)品特色： 本產(chǎn)品是低成本、已量產(chǎn)的65W多口氮化鎵PD快充頭，可以與市場上18~65W的產(chǎn)品需求兼容，由于極優(yōu)的價格，本產(chǎn)品與市場上的低功率充電器成本沒有顯著的價格差距，可以拿下
2023-04-12 17:34:59
——DB25接口，需連表頭 10mW to 30W ——光譜范圍：0.25至11μm ——熱電偶型，適合中小功率激光器 ——DB25接口，需連表頭 審
2023-04-11 07:37:45298 
充適配器、智能排插 提供完整的解決方案。IP6520內(nèi)置功率 MOS，輸入電壓范圍是7. 1V到 32 V，輸出電壓范圍是3V 到 12 V，能提供最大18 W的輸出功率，能夠根據(jù)識別到快充協(xié)議自動
2023-04-07 20:48:19
1A2C-65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A，內(nèi)置MGZ31N65-650V氮化鎵開關(guān)管；采用PD3.0協(xié)議IC。
2023-04-07 09:37:16570 智融SW3536是一顆支持1A1C雙USB口輸出的降壓控制器芯片，內(nèi)置多快充協(xié)議，支持雙口功率盲插，支持雙口獨立限流。內(nèi)置的同步降壓轉(zhuǎn)換器支持7A大電流輸出，可使用氮化鎵開關(guān)管，以獲得更小的體積
2023-04-04 17:53:37
USB Type-C and PD Source Controller1、特性集成高性能MCU☆ 內(nèi)置64KB程序存儲器FLASH☆ 2KB數(shù)據(jù)存儲器（SRAM）模擬特性☆ 集成恒壓補(bǔ)償環(huán)路（CV
2023-04-03 09:31:51
46626-1305
2023-03-29 22:45:39
CT3261
2023-03-29 22:33:58
FJ3261AB
2023-03-29 21:52:53
FJ3261BH
2023-03-29 17:20:59
WC-PD30B012-1
2023-03-28 18:08:14
FJ3261AH
2023-03-28 18:06:38
，可直接用于驅(qū)動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅(qū)動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)
2023-03-28 10:24:46
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