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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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Sumitomo(住友)射頻氮化鎵手冊(cè)

型號(hào)： Sumitomo

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 Sumitomo
  • 功率氮化鎵 無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
  • 功率氮化鎵 雷達(dá) C/X 波段的 GaN HEMT
  • 功率氮化鎵 海洋雷達(dá)的 GaN HEMT
  • 功率氮化鎵 雷達(dá) L/S 波段的 GaN HEMT
  • 功率氮化鎵 通用 GaN HEMT
  • 功率砷化鎵 內(nèi)部匹配的高功率 GaAs FET

--- 產(chǎn)品詳情 ---

Sumitomo 是全球最大的射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件供應(yīng)商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電和其他應(yīng)用。

 

  • 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
  • 功率氮化鎵-用于雷達(dá) C/X 波段的 GaN HEMT
  • 功率氮化鎵-用于海洋雷達(dá)的 GaN HEMT
  • 功率氮化鎵-用于雷達(dá) L/S 波段的 GaN HEMT
  • 功率氮化鎵-通用 GaN HEMT
  • 功率砷化鎵-內(nèi)部匹配的高功率 GaAs FET

 

功率砷化鎵-功率放大器 MMIC

  • 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
  • 高輸出功率
  • 高增益
  • 高效率
  • 內(nèi)部匹配

相關(guān)型號(hào)

  • SGK 5867-30A
  • SGK 5867-60A
  • SGK 5867-100A/ 001
  • SGK 5872-20A
  • SGK 6472-30A
  • SGK 6472-60A
  • SGK 7185-20A
  • SGK 7785-30A
  • SGK 7785-60A
  • SGK 7785-100A
  • SGK 1011-25A
  • SGK 1314-30A
  • SGK 1314-60A
  • SGC 7178-100A
  • SGC 7172-30A
  • SGC 7172-120A

 

用于雷達(dá) C/X 波段的 GaN HEMT

  • 高達(dá) 520W（典型值）的高功率
  • 高增益
  • 高效率
  • 寬帶

相關(guān)型號(hào)

  • SGC 5259-50B-R
  • SGC 5259-300B-R
  • SGC 5259-400B-R
  • SGC 8598-50B-R
  • SGC 8598-100B-R
  • SGC 8598-200B-R
  • SGC 8595-300B-R
  • SGC 0910-200B-R
  • SGC 0910-300B-R
  • SGC 1011-300B-R
  • SGC 1112-100B-R
  • SGM6901VU

 

用于海洋雷達(dá)的 GaN HEMT

  • 高達(dá) 340W（典型值）的高功率
  • 高增益
  • 高效率
  • 海洋雷達(dá)
  • 阻抗匹配Z 輸入/Z 輸出= 50 歐姆

相關(guān)型號(hào)

  • SGC 9395-50B-R
  • SGC 9395-100B-R
  • SGC 9395-130B-R
  • SGC 9395-200B-R
  • SGC 9395-300B-R
  • SGM6906VU
  • SGM6901VU/ 001

 

功率氮化鎵-用于雷達(dá) L/S 波段的 GaN HEMT

  • 高達(dá) 570W（典型值）的高功率
  • 高增益
  • 高效率
  • 寬帶
  • 阻抗匹配Z 輸入/Z 輸出= 50 歐姆

相關(guān)型號(hào)

  • SGN 2731-130H-R
  • SGN 2731-500H-R
  • SGN 3035-150H-R
  • SGN 3133-260H-R
  • SGN 3135-500H-R

 

功率氮化鎵-通用 GaN HEMT

  • 高達(dá) 150W（典型值）的高功率
  • 高效率
  • 可連續(xù)波操作
  • 并發(fā)寬帶操作
  • 小型無凸緣封裝

相關(guān)型號(hào)

  • SGCA030M1H
  • SGCA100M1H
  • SGNH130M1H

 

功率砷化鎵-內(nèi)部匹配的高功率 GaAs FET

  • FLM/ELM 系列是內(nèi)部匹配的功率 GaAs FET，專為無線電鏈路應(yīng)用而開發(fā)，這些應(yīng)用需要在 4.4GHz 至 14.5GHz 頻段的 50 Ω 系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高功率、高增益和低失真。
  • 輸入/輸出內(nèi)部匹配Zin/Zout = 50ohm
  • 密封金屬壁封裝
  • 高增益
  • 高輸出功率（高達(dá) 45W）
  • 低失真
  • 覆蓋寬帶

相關(guān)型號(hào)

  • FLM 4450-4F
  • FLM 4450-8F
  • FLM 4450-12F
  • FLM 4450-18F
  • FLM 4450-25F
  • FLM 4450-45F
  • FLM 5964-4F
  • FLM 5964-8F
  • FLM 5964-12F
  • ELM 5964-16F
  • FLM 5964-18F
  • FLM 5964-25F
  • FLM 5964-35F
  • FLM 5964-45F
  • FLM 6472-4F
  • FLM 6472-8F
  • FLM 6472-12FF
  • ELM 6472-16F
  • FLM 6472-18F
  • FLM 6472-25F
  • FLM 7785-4F
  • FLM 7785-BF
  • FLM 7795-12F
  • ELM 7785-16F
  • FLM 7795-19F
  • ELM 7785-35F
  • FLM 7785-45F
  • FLM 0910-4F
  • FLM 0910-QF
  • FLM 0910-12F
  • FLM 0910-15F
  • FLM 0910-25F
  • FLM 1011-4F
  • FLM 1011-6F
  • FLM 1011-8F
  • FLM 1011-12F
  • FLM 1011-15F
  • FLM 1314-3F
  • FLM 1314-6F
  • FLM 1314-BF
  • ELM 1314-9F
  • FLM 1314-12F
  • FLM 1314-18F
  • ELM 114-3CF/ 001

 

功率砷化鎵-功率放大器 MMIC

  • 在合適的高頻封裝中的 GaAs 功率放大器 MMIC，在 C 頻段到 Ka 頻段的頻率范圍內(nèi)輸出功率為 50mW - 2W。提供各種類型的封裝，包括高可靠性密封型、低成本表面貼裝型。
  • MMIC 可以進(jìn)行封裝以滿足客戶的成本/性能要求。
  • 輸入和輸出內(nèi)部匹配 Zin/Zout =50ohm
  • 高輸出功率（高達(dá)2W）
  • 高增益
  • 低失真
  • 小型密封封裝（V1B/V1D/VU）

相關(guān)型號(hào)

  • EMM5074VU
  • EMM5068VUJ
  • EMM5075VU
  • SMM5085V1B
  • EMM5836V1B
  • EMM5832VU
  • SMM5845V1B
  • SMM5854V1D
  • SMM5855V1D

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