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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

GaN氮化鎵的4種封裝解決方案

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GaN氮化鎵晶圓硬度強(qiáng)、鍍層硬、材質(zhì)脆材質(zhì)特點(diǎn),與硅晶圓相比在封裝過程中對(duì)溫度、封裝應(yīng)力更為敏感,芯片裂紋、界面分層是封裝過程最易出現(xiàn)的問題。同時(shí),Ga...

2023-11-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝氮化鎵 1830 0

Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”

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Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細(xì)預(yù)覽,該模型可以在仿真中準(zhǔn)確呈現(xiàn)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性,并降低在設(shè)計(jì)過程后期發(fā)現(xiàn)EMC問題的風(fēng)險(xiǎn)。

2021-08-30 標(biāo)簽:功率二極管emc氮化鎵 1828 0

氮化鎵應(yīng)用拓展加速,從快充跨步到數(shù)據(jù)中心

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在廠商的推廣和終端產(chǎn)品的面世后,氮化鎵器件的優(yōu)勢(shì)大家也都有所耳聞了。更快的開關(guān)速度省去了更多的無源器件,從而實(shí)現(xiàn)了更小的體積和更低的成本;更小的開關(guān)損耗...

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貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器 高頻應(yīng)用的好選擇

TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動(dòng)器,經(jīng)過特別設(shè)計(jì),能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。

2019-09-29 標(biāo)簽:氮化鎵半橋驅(qū)動(dòng)器貿(mào)澤電子 1803 0

商務(wù)部和海關(guān)總署發(fā)布公告,對(duì)鎵、鍺相關(guān)物限制出口

商務(wù)部和海關(guān)總署發(fā)布公告,對(duì)鎵、鍺相關(guān)物限制出口

該公告規(guī)定了涉及金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵,以及金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長(zhǎng)襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等相關(guān)物...

2023-07-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 1800 0

達(dá)摩院發(fā)布2021十大科技趨勢(shì)

隨著新型AI算法的迭代及算力的突破,AI將有效解決疫苗/藥物研發(fā)周期長(zhǎng)、成本高等難題,例如提升化合物篩選、建立疾病模型、發(fā)現(xiàn)新靶點(diǎn)、先導(dǎo)化合物發(fā)現(xiàn)及先導(dǎo)...

2021-01-20 標(biāo)簽:氮化鎵阿里巴巴腦機(jī)接口 1799 0

氮化鎵激光器芯片能用酒精擦拭嗎?

氮化鎵激光器芯片能用酒精擦拭嗎? 氮化鎵激光器芯片是一種重要的光電子元件,被廣泛應(yīng)用于激光科技、光通信和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。對(duì)于氮化鎵激光器芯片的清潔維護(hù)非...

2023-11-22 標(biāo)簽:激光器氮化鎵 1793 0

全球首款氮化鎵量子光源芯片誕生

量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的“心臟”,在量子通信中扮演著至關(guān)重要的角色。而電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)此次研發(fā)的氮化鎵量子光源芯片,在性能上取得了顯著的突破。

2024-04-19 標(biāo)簽:氮化鎵量子通信 1785 0

意法半導(dǎo)體和MACOM射頻硅基氮化鎵原型芯片制造成功

意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布,射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si...

2022-05-20 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體無線網(wǎng)絡(luò)氮化鎵 1785 0

納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認(rèn)證

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? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達(dá)到電動(dòng)汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn),可為車載充電機(jī)(OBC)和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效...

2025-04-17 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體功率芯片 1782 0

氮化鎵(GaN)如何應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)和可持續(xù)性挑戰(zhàn)

為了提高采用率,電動(dòng)汽車必須提供安全性和便利性,在這種情況下,這主要與提高續(xù)航效率、更好的充電基礎(chǔ)設(shè)施和更快的充電時(shí)間有關(guān)。硅器件不太可能達(dá)到所需的水平...

2022-12-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車DC-DC氮化鎵 1780 0

納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用

從三星S22到S23,下一代GaNFast?技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場(chǎng)中取代傳統(tǒng)硅功率芯片

2023-11-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車OLED屏氮化鎵 1768 0

西電廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心通線,中國(guó)科學(xué)院院士郝躍領(lǐng)銜

西安電子科技大學(xué)表示,該項(xiàng)目竣工后,將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長(zhǎng)、工程準(zhǔn)備、密封測(cè)試等整個(gè)工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共...

2023-09-25 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 1764 0

德州儀器發(fā)布低功耗氮化鎵系列新品

德州儀器 (TI) 今日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品,可助力提高功率密度,大幅提升系統(tǒng)效率,同時(shí)縮小交流/直流消費(fèi)類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺...

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智佳能第三代氮化鎵分容水冷一體機(jī)降本增效領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)

動(dòng)力電池產(chǎn)業(yè)經(jīng)過多輪的產(chǎn)能狂飆后,擴(kuò)張?jiān)鏊龠M(jìn)入調(diào)整期。但新能源動(dòng)儲(chǔ)賽道發(fā)展大勢(shì)仍為全球共識(shí),或?qū)⑷匀皇俏磥碓鏊佥^快的行業(yè)之一。

2023-11-17 標(biāo)簽:新能源氮化鎵鋰電 1758 0

納微十年,氮化鎵GaNSlim上新,持續(xù)引領(lǐng)集成之勢(shì)

納微十年,氮化鎵GaNSlim上新,持續(xù)引領(lǐng)集成之勢(shì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)十年前納微半導(dǎo)體作為氮化鎵行業(yè)的先鋒,成功地將氮化鎵功率器件帶入消費(fèi)電子市場(chǎng),幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產(chǎn)品,也...

2024-10-23 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率芯片 1752 0

面向氮化鎵光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

面向氮化鎵光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

以氮化鎵(GaN)為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料,其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 e...

2023-08-04 標(biāo)簽:電阻器led燈激光器 1750 0

Anker推出全球首款采用氮化鎵材料的充電器 體積只比蘋果萬年5W充電器略大一些

氮化鎵(GaN)被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料,應(yīng)用范圍非常廣,包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等,而用在充電器上可在超小體積上實(shí)現(xiàn)大功率輸出。

2019-01-03 標(biāo)簽:充電器氮化鎵Anker 1748 0

閃極Retro 35W氮化鎵充電器,重現(xiàn)經(jīng)典電腦造型

閃極Retro 35W氮化鎵充電器,重現(xiàn)經(jīng)典電腦造型

經(jīng)典麥金塔設(shè)計(jì),充電狀態(tài)屏幕,挑戰(zhàn)充電器設(shè)計(jì)創(chuàng)新可能 5 月 20 日,閃極科技正式發(fā)布 Retro 35 充電器。該產(chǎn)品采用復(fù)古電腦設(shè)計(jì),在第三代半導(dǎo)...

2022-05-20 標(biāo)簽:充電器氮化鎵 1740 0

廣州企業(yè)發(fā)布6英寸900V硅基氮化鎵外延片

該外延片專為新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)開發(fā),以適用目前更高效的800V電壓架構(gòu)。并且該外延片基于國(guó)產(chǎn)設(shè)備開發(fā),完全自主可控。

2022-11-18 標(biāo)簽:氮化鎵 1735 0

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microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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Coilcraft LRC trinamic
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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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