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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

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2024-01-11 標(biāo)簽:雪崩擊穿氮化鎵GaN 1597 0

制造成本可降低90%,日本信越開發(fā)新技術(shù)

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氮化鎵(GAN)有什么優(yōu)越性

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氮化鎵的大面積光電化學(xué)蝕刻技術(shù)

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下一代GaN功率IC可以共同集成肖特基二極管和耗盡型HEMT

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德州儀器高度集成GaN解決方案可優(yōu)化成本和功耗

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2021-01-05 標(biāo)簽:電動汽車控制器氮化鎵 1574 0

富士通半導(dǎo)體明年量產(chǎn)氮化鎵功率元件

富士通半導(dǎo)體有限公司臺灣分公司宣佈,成功透過硅基板氮化鎵(GaN)功率元件讓伺服器電源供應(yīng)器達(dá)到2.5kW的高輸出功率,并擴(kuò)大電源供應(yīng)的增值應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)低...

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華燦光電在氮化鎵領(lǐng)域的進(jìn)展概述

7月31日,是世界氮化鎵日。在這個充滿探索與突破的時代,氮化鎵憑借其卓越的特質(zhì)和廣袤的應(yīng)用維度,化作科技領(lǐng)域的一顆冉冉升起的新星。氮化鎵的登場,給電子行...

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首款氮化鎵充電樁發(fā)布 氮化鎵充電更快嗎?

這款氮化鎵充電樁的外觀采用機(jī)甲身型設(shè)計,并進(jìn)行了金屬磨砂噴漆處理,內(nèi)嵌了燈帶,通過不同顏色的燈光狀態(tài)來顯示充電進(jìn)度:綠燈常亮表示已充滿,綠燈閃爍表示充電...

2023-08-30 標(biāo)簽:充電器適配器氮化鎵 1563 0

垂直GaN技術(shù)新突破 新變局

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超8億元!氮化鎵行業(yè)新增了4個項目

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近日,氮化鎵行業(yè)新增了4個項目,涉及單晶襯底、器件等環(huán)節(jié)。

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氮化鎵工藝發(fā)展現(xiàn)狀

氮化鎵工藝發(fā)展現(xiàn)狀 氮化鎵是當(dāng)前發(fā)展最成款的競禁帶半導(dǎo)體材料,世界各國對氮化鎵的研究重視,美歐日等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃。氮化鎵因具有很大...

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納微半導(dǎo)體CTO登場SEMICON Taiwan 2021大會,介紹氮化鎵技術(shù)

 氮化鎵(GaN)是下一代半導(dǎo)體技術(shù),它的器件開關(guān)速度比傳統(tǒng)硅器件快20倍。

2021-09-08 標(biāo)簽:充電器氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 1549 0

構(gòu)建雙極型氮化鎵PN結(jié)實(shí)現(xiàn)雙通道加密光通信應(yīng)用

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半導(dǎo)體p-n結(jié)二極管是構(gòu)建光電器件的基本單元之一。然而,傳統(tǒng)p-n結(jié)二極管在某種程度上受到電流整流行為的限制,這使得載流子的調(diào)控性受到影響

2024-03-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PN結(jié)氮化鎵 1544 0

拆解報告 | 東科助力Mentech 65W超薄氮化鎵PD實(shí)現(xiàn)快充新升級

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2024-03-30 標(biāo)簽:充電器氮化鎵東科 1539 0

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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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