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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

氮化鎵晶圓在劃切過程中如何避免崩邊

9月，英飛凌宣布成功開發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效...

2024-10-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 1536 0

拆解報(bào)告 | 東科助力Mentech 65W超薄氮化鎵PD實(shí)現(xiàn)快充新升級(jí)

這是你閱讀的充電頭網(wǎng)第3035篇拆解報(bào)告。前言充電頭網(wǎng)拿到了銘普光磁推出的一款超薄氮化鎵快充，這款充電器采用國(guó)標(biāo)折疊插腳，流行超薄設(shè)計(jì)，實(shí)測(cè)機(jī)身厚度僅為...

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格芯收購Tagore氮化鎵技術(shù)，加速GaN功率元件市場(chǎng)創(chuàng)新與發(fā)展

美國(guó)領(lǐng)先的純晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)于本周一宣布了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略舉措，成功收購了Tagore公司專有的、經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的功率氮化鎵(...

2024-07-03 標(biāo)簽：氮化鎵 BGAN 功率元件 1534 0

PD快充如何做到更高效的充電速度和續(xù)航能力？

近年來，隨著移動(dòng)設(shè)備的普及和科技的不斷進(jìn)步，人們對(duì)于充電速度和電池續(xù)航能力的需求也越來越高。

2024-04-19 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體充電電池 1534 0

蘇州高新區(qū)與水芯電子合作簽約儀式暨水芯與Baseus倍思聯(lián)合新品發(fā)布會(huì)開幕！

9月20日，蘇州高新區(qū)水芯電子合作簽約儀式暨水芯電子Baseus倍思聯(lián)合新品發(fā)布會(huì)在江蘇蘇州日航酒店成功舉辦。會(huì)議主要就消費(fèi)類電子領(lǐng)域首次采用水芯數(shù)字電...

2022-09-21 標(biāo)簽：氮化鎵倍思水芯電子 1534 0

金剛石/氮化鎵薄膜生長(zhǎng)工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展

氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

2023-12-19 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵偏置電壓 1526 0

意法半導(dǎo)體與臺(tái)積電攜手合作，提高氮化鎵產(chǎn)品市場(chǎng)采用率

氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，優(yōu)勢(shì)十分明顯，例如，在大功率工作時(shí)能效更高，使寄生功率損耗大幅降低。

2020-02-24 標(biāo)簽：臺(tái)積電意法半導(dǎo)體氮化鎵 1526 0

北京冬奧會(huì)實(shí)現(xiàn)核心信息系統(tǒng)100%云上運(yùn)行

當(dāng)不同行業(yè)數(shù)字化程度趨于成熟，智慧城市雛形初現(xiàn)。2022北京冬奧會(huì)通過引進(jìn)智慧城市多種產(chǎn)品與模式，打造出微縮版城市空間，為全球展示著未來各個(gè)領(lǐng)域的可能樣...

2022-02-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 1522 0

RFMD推出氮化鎵功率倍增模塊RFCM2680

RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對(duì)有線電視網(wǎng)絡(luò)的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時(shí)采用了氮化鎵...

2011-11-16 標(biāo)簽：功率氮化鎵 RFMD 1513 0

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APEC 2022 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今天宣布推出內(nèi)部...

2022-03-22 標(biāo)簽：電容氮化鎵 POWI 1506 0

TriQuint推出新型氮化鎵 (GaN) 集成功率倍增器

技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克代碼：TQNT），今天發(fā)布了新型氮化鎵（GaN）集成功率倍增器，為快速增長(zhǎng)的有線電...

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拆解圖拉斯45W小冰塊氮化鎵充電器

前言本期為大家?guī)淼氖荰ORRAS圖拉斯旗下小冰塊快充系列一款新品——圖拉斯45W小冰塊充電器CQ14的拆解，其延續(xù)小冰塊系列小巧精美專利外觀設(shè)計(jì)，同時(shí)...

2024-12-07 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 1503 0

康佳欲加快Micro LED芯片研發(fā) 并以氮化鎵技術(shù)為突破

近日，康佳一則招募氮化鎵工程師的官方啟事引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注?？导迅笨偛美詈觏w在接受記者采訪時(shí)解釋，招募氮化鎵工程師是希望加快推進(jìn)康佳在Micro LED芯...

2020-02-28 標(biāo)簽：Micro 氮化鎵康佳 1502 0

氮化鎵功率器件測(cè)試方案

在當(dāng)今的高科技社會(huì)中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢(shì)在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用...

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GaN氮化鎵材料，主要適用于哪些領(lǐng)域

GaN器件是平面器件，與現(xiàn)有的Si半導(dǎo)體工藝兼容性強(qiáng)，因此更容易與其他半導(dǎo)體器件集成，進(jìn)一步降低用戶的使用門檻，并在不同應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)它的屬性和優(yōu)勢(shì)，很有...

2023-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 1497 0

大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的65W PD電源方案

NCP1345是一款高度集成的準(zhǔn)諧振Flyback控制器，適用于多種類型的高性能電源轉(zhuǎn)換器。

2021-11-11 標(biāo)簽：控制器電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 1483 0

氮化鎵（GaN）的最新技術(shù)進(jìn)展

本文要點(diǎn)氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的...

2024-07-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 1483 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化鎵功率芯片

唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布...

2025-03-13 標(biāo)簽：氮化鎵 AC-DC 碳化硅 1482 0

貿(mào)澤電子將備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評(píng)估板

貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評(píng)估板。

2020-03-16 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器 1474 0

Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應(yīng)用中具有廣闊的應(yīng)用前景。

2023-12-09 標(biāo)簽：充電器氣體傳感器氮化鎵 1465 0

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植保無人機(jī)，又名無人飛行器，顧名思義是用于農(nóng)林植物保護(hù)作業(yè)的無人駕駛飛機(jī)，該型無人飛機(jī)由飛行平臺(tái)（固定翼、直升機(jī)、多軸飛行器）、導(dǎo)航飛控、噴灑機(jī)構(gòu)三部分組成，通過地面遙控或?qū)Ш斤w控，來實(shí)現(xiàn)噴灑作業(yè)，可以噴灑藥劑、種子、粉劑等。
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