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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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解決方案 | 全氮化鎵65W充電器充電寶二合一 大容量 大功率
智融科技是國(guó)內(nèi)較早進(jìn)入高集成移動(dòng)電源快充SOC芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的公司之一，所推出的移動(dòng)電源芯片具有接口支持多，協(xié)議支持全面，內(nèi)部集成開(kāi)關(guān)管等控制邏輯，支持?jǐn)?shù)...
福布斯專(zhuān)訪納微半導(dǎo)體：談氮化鎵在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用
納微半導(dǎo)體向福布斯詳細(xì)介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動(dòng)汽車(chē)以及電動(dòng)交通工具等方面的應(yīng)用。
2021-08-24 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)充電器汽車(chē)電子 1727 0
大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于ON Semiconductor產(chǎn)品的小型工業(yè)電源供應(yīng)器方案
GaN驅(qū)動(dòng)器對(duì)性能至關(guān)重要，驅(qū)動(dòng)器使驅(qū)動(dòng)電壓保持在電壓最大限值內(nèi)并不是唯一的要求。
2021-06-16 標(biāo)簽：氮化鎵工業(yè)電源ON Semiconductor 1726 0
OPPO超快閃充80W氮化鎵雙口充電器套裝上市，售價(jià)169元
據(jù)悉，該設(shè)備具備Type-C及USB-A兩接口，單接口均支持80W Max閃充，半小時(shí)內(nèi)即可將Find X7由1%充滿(mǎn)至100%。雙口同時(shí)輸出時(shí)，可達(dá)到...
Power Integrations發(fā)布新款I(lǐng)nnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開(kāi)關(guān)電源IC
PowiGaN技術(shù)以?xún)?yōu)異的效率而著稱(chēng) - 在任何輸入電壓和負(fù)載條件下效率均可高達(dá)94％，其極高的可靠性能夠保證電源在市電電壓不穩(wěn)的地區(qū)使用時(shí)耐受輸入浪涌...
GaN圈“掃地僧”譽(yù)鴻錦：身藏寶藏，初現(xiàn)鋒芒
10月13日，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）隆重舉行了氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會(huì)，暨譽(yù)鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會(huì)活動(dòng)...
Nexperia與聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達(dá)成深度合作
隨著汽車(chē)電氣化、5G通信、工業(yè)4.0市場(chǎng)的不斷增長(zhǎng)，基于GaN的主流設(shè)計(jì)正漸入佳境，勢(shì)必推動(dòng)2021年及未來(lái)功率半導(dǎo)體的需求增長(zhǎng)。
Other Parts Discussed in Post: LMG5200當(dāng)測(cè)定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí)，即使有1GHz的觀察儀器和...
Transphorm的GaN被用于AES供應(yīng)大型客機(jī)的最新電源
首家獲得JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證、具有最高可靠性的氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm Inc.今天確認(rèn)，其客戶(hù)AES ...
復(fù)旦大學(xué)芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
開(kāi)關(guān)電源芯片被廣泛應(yīng)用于車(chē)載電子系統(tǒng)中，完成高效電能轉(zhuǎn)換。隨著智能駕駛技術(shù)的迅速發(fā)展，對(duì)開(kāi)關(guān)電源芯片的電磁干擾（EMI）噪聲的要求也日益嚴(yán)苛。
氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)芯片領(lǐng)先廠商晶通半導(dǎo)體授權(quán)世強(qiáng)硬創(chuàng)代理
近日，世強(qiáng)先進(jìn)(深圳)科技股份有限公司(下稱(chēng)“世強(qiáng)先進(jìn)”)與國(guó)內(nèi)氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)芯片領(lǐng)先廠商——晶通半導(dǎo)體(深圳)有限公司(下稱(chēng)“晶通半導(dǎo)體”)簽署...
2023-03-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片 1702 0
納微半導(dǎo)體GaNSense半橋芯片達(dá)到更高層級(jí)的效率和節(jié)能水平
GaNSense半橋氮化鎵功率芯片集成了兩個(gè)GaN FETs 和驅(qū)動(dòng)器，以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護(hù)功能，為電子元件創(chuàng)建了一個(gè)易于使用的系統(tǒng)構(gòu)建塊。相...
2022-09-09 標(biāo)簽：芯片驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1701 0
陳敬教授：面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器件技術(shù)
近日，在第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇開(kāi)幕大會(huì)上，香港科技大學(xué)講席教授陳敬帶來(lái)了“面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器...
“融合時(shí)代”即將來(lái)臨？手機(jī)內(nèi)置氮化鎵有哪些優(yōu)勢(shì)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）氮化鎵作為第三代功率半導(dǎo)體，因其寬帶隙和高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，在電源、射頻領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，近年來(lái)也逐漸開(kāi)始進(jìn)入消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)，成為...
2023-07-12 標(biāo)簽：氮化鎵 1693 0
目前常用的解決方案包括使用硅基超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SJMOSFET）來(lái)調(diào)節(jié)、轉(zhuǎn)換并向電池充電。它的尺寸大約為18英寸×25英寸，重量大概1...
2020-11-05 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)氮化鎵工業(yè)電源 1692 0
納微半導(dǎo)體助力Redmi K50冠軍版電競(jìng)手機(jī)發(fā)布，搭配120W氮化鎵神仙秒充，梅賽德斯F1手機(jī)震撼上市
納微半導(dǎo)體今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片，已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車(chē)隊(duì)共...
2022-03-14 標(biāo)簽：充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1690 0
借助 GaN，智能手機(jī)制造商可以制造外殼尺寸更小且性?xún)r(jià)比更高的充電器。盡管基于 GaN 的器件的單價(jià)比硅貴，但更高的頻率和更高的功率密度值導(dǎo)致每瓦美元更...
氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）宣布已任命 Ron Shelton 為新任高級(jí)副總裁、首席財(cái)務(wù)官和財(cái)務(wù)主管。同時(shí)，臨時(shí)首席財(cái)...
2022-06-02 標(biāo)簽：芯片氮化鎵納微半導(dǎo)體 1677 0
杰華特推出JW1565氮化鎵合封芯片，滿(mǎn)足65W快充應(yīng)用
杰華特推出JW1565氮化鎵合封芯片，滿(mǎn)足65W快充應(yīng)用伴隨著65W氮化鎵快充的發(fā)展，電源技術(shù)在不斷迭代。從傳統(tǒng)控制器+驅(qū)動(dòng)器+氮化鎵開(kāi)關(guān)管，多顆芯片的...
產(chǎn)品應(yīng)用 | 東科AHB氮化鎵芯片助力安克150W超強(qiáng)性能快充
前言近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克推出的一款超強(qiáng)性能氮化鎵充電器A2655，產(chǎn)品由蘋(píng)果獨(dú)家提供，現(xiàn)已上架蘋(píng)果商城。產(chǎn)品配備多達(dá)四口USB-C快...
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