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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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本內(nèi)容講解了氮化鎵在射頻通信中應用。氮化鎵并非革命性的晶體管技術,與現(xiàn)有技術相比，氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢在于更高的漏極效率、更大的帶寬、更高的擊穿電壓和...
產(chǎn)品應用 | 東科AHB氮化鎵芯片助力安克150W超強性能快充
前言近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克推出的一款超強性能氮化鎵充電器A2655，產(chǎn)品由蘋果獨家提供，現(xiàn)已上架蘋果商城。產(chǎn)品配備多達四口USB-C快...
宜普電源轉換公司推出100V ~ 200V產(chǎn)品系列的EPC2059氮化鎵場效應晶體管
宜普電源轉換公司是增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領先供應商，致力提高產(chǎn)品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本，最新推出EP...
__[導讀]__Nexperia 是基本半導體領域的專家，最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來越多的分立器件中，該器件采用具有側面可濕性側面 (SWF) 的無引...
南海區(qū)科學技術局領導蒞臨國星半導體調(diào)研LED芯片、功率器件用GaN芯片
? 為提高企業(yè)創(chuàng)新能力，為南海區(qū)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展提供有力支撐，11月2日下午，南海區(qū)科學技術局局長薛佩華，科技規(guī)劃和監(jiān)督股股長熊惠芬，科技成果轉化股股...
第三代半導體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛的應用領域，在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導體領域的一顆“新星”——第三代半導...
納微新一代GaNSense? Control合封芯片詳解：更高效穩(wěn)定、成本更優(yōu)的氮化鎵功率芯片
自氮化鎵進軍快充市場以來，不過短短幾年時間，其憑借著極高的電能轉換效率和優(yōu)秀的高頻特性，使得采用氮化鎵功率芯片的充電器， 能在體積和重量只有傳統(tǒng)硅器件充...
騰訊紅魔游戲手機6將于3月4日正式發(fā)布，搭載高通驍龍888處理器，還可能是業(yè)界首款內(nèi)置風扇的驍龍888旗艦游戲手機。
EPC推出300W、雙向、1/16磚型轉換器評估模塊——EPC9151
面向高功率密度且低成本的DC/DC轉換，EPC9151功率模塊利用EPC2152 ePower?功率級實現(xiàn)性能更高和尺寸更小的解決方案。
Microchip持續(xù)擴大氮化鎵（GaN）射頻功率器件產(chǎn)品組合
與所有Microchip 的GaN射頻功率產(chǎn)品一樣，新器件采用碳化硅基氮化鎵技術制造，提供了高功率密度和產(chǎn)量的最佳組合，可在高壓下運行，255℃結溫下使...
氮化鎵（GaN）晶體管在工作過程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會導致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開發(fā)有效的散熱方法。
希望昨晚舉行的2015 APEC（國際電力電子應用會議暨展覽會）座談會能夠最終將此話題確定下來。雖然參加的人很多，但似乎也過于夸大這一話題了。多少次，我...
GaN 可為射頻應用帶來獨特的優(yōu)勢。GaN 獨特的材料屬性可為射頻系統(tǒng)提供高功率附加效率 (PAE)、高功率輸出、小巧外形、寬帶寬、熱優(yōu)勢和堅固耐用等優(yōu)勢。
數(shù)據(jù)中心鈦基準性能優(yōu)于基于GaN的3kW AC/DC PSU
數(shù)據(jù)中心中數(shù)量龐大且不斷增加的服務器，每個都配備中央處理單元 （CPU）、圖形處理單元 （GPU） 和能夠存儲大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存，因此需要增加功率。為了支持...
2022-07-25 標簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1625 0
隨著越來越多的中國設備企業(yè)在歐美地區(qū)設立分部或基地，國產(chǎn)鋰電化成分容設備在海外市場滲透率將上升。
Nexperia第二代650V氮化鎵場效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2kW或更高功率下運行
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。
由于氮化鎵鎖定中低功率應用，其應用市場規(guī)模要大于中高功率，因此Yole預估，氮化鎵組件2015年～2021年的成長率將達83%，其中電源供應器將占相當大...
氮化鎵 (GaN) 解決方案的集成將使您擁有更小、功率更大的外殼。OPPO 宣布全面采用 Navitas Semiconductor 的 GaN (Ga...
納微第四代氮化鎵器件樹立大功率行業(yè)應用內(nèi)新標桿
納微半導體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴苛的大功率行業(yè)應用內(nèi)樹立新標桿
在最近的IEDM大會上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設備。
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