一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

納微第四代氮化鎵器件樹立大功率行業(yè)應用內(nèi)新標桿

納微芯球 ? 來源:納微芯球 ? 2023-09-07 14:30 ? 次閱讀

納微半導體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴苛的大功率行業(yè)應用內(nèi)樹立新標桿

加利福尼亞托倫斯2023年9月6日訊 — 納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日在臺北舉辦客戶與合作伙伴新聞發(fā)布會,正式向全球發(fā)布GaNSafe高性能寬禁帶功率平臺。納微通過升級這一第四代氮化鎵技術,以滿足數(shù)據(jù)中心、太陽能/儲能和電動汽車市場等要求苛刻的高功率應用場景需求,在這些目標應用中,效率、功率密度以及強大可靠的運行能力至關重要。

在臺北萬豪Courtyard六福萬怡召開的全球發(fā)布會上,納微全球銷售高級副總裁David Carroll和高級業(yè)務發(fā)展總監(jiān)Charles Bailley向超過50名來自客戶端的高級管理層代表、行業(yè)合作伙伴和國際媒體介紹納微及其全新的GaNSafe平臺。

納微半導體全新的第四代氮化鎵功率芯片由納微長期合作伙伴——臺積電在新竹的工廠生產(chǎn)和制造,納微亦非常榮幸地邀請到臺積電氮化鎵功率元件項目經(jīng)理蘇如意博士參與GaNSafe全球發(fā)布會,蘇博士在現(xiàn)場與觀眾分享并展望了氮化鎵技術的未來。

納微的GaNFast功率芯片集成了氮化鎵(GaN)功率、驅(qū)動、控制、檢測和保護功能,實現(xiàn)更快的充電、更高的功率密度和更強大的節(jié)能效果,現(xiàn)已成功出貨超過1億顆,并提供行業(yè)首個20年質(zhì)保承諾。如今,全新GaNSafe平臺在工程設計上通過增加額外的、特定的保護等其他功能,配合全新堅固的高功率封裝,得以在極端高溫、長時間工作條件下提供卓越的性能支持。

初期的高功率650/800 V GaNSafe產(chǎn)品系列涵蓋了從35到98 m?的RDS(ON)范圍,采用一種新型的適用于氮化鎵且散熱優(yōu)良的表貼TOLL封裝,可匹配從1,000到22,000W的應用。GaNSafe集成的特征和功能包括:

?受保護的、集成閘極驅(qū)動控制,零閘極-源回路電感,可靠的高速2 MHz開關能力,以最大化提升應用的功率密度。

?快速的短路保護,自主的“檢測和保護”可在50 ns內(nèi)完成,比競爭對手的分立式氮化鎵解決方案快4倍。

?靜電放電(ESD)保護達到2 kV,而分立式的氮化鎵晶體管為零。

?650 V連續(xù)和800 V瞬時耐電壓能力,有助于提升芯片在特殊應用條件下的魯棒特性。

?易于使用、高功率、高可靠性、高性能功率芯片,只有4個引腳,加速客戶設計。

?可調(diào)節(jié)的開啟和關閉速度(dV/dt),簡化EMI的規(guī)范要求。

與分立式的氮化鎵晶體管設計存在電壓尖峰、負壓尖峰和超規(guī)格使用的問題不同,GaNSafe是一個高效、可預測、可靠的系統(tǒng)。GaNSafe堅固的4引腳TOLL封裝已達到嚴格的IPC-9701機械可靠性標準,提供了簡單、堅固、可靠的性能。

納微針對市場應用的系統(tǒng)設計中心可提供使用GaNSafe技術的效率、密度和系統(tǒng)成本達標的完整平臺設計,以加速客戶設計并縮短推向市場的周期,并最大程度地提高客戶“first-time-right”即首次采用GaNSafe器件設計,即可實現(xiàn)應用成功的機會。這些系統(tǒng)平臺是包括經(jīng)過全面測試的硬件、布局、仿真和硬件測試結(jié)果在內(nèi)的完整設計支持。通過GaNSafe技術實現(xiàn)的系統(tǒng)平臺案例包括:

1. 納微半導體CRPS185數(shù)據(jù)中心電源平臺,能在體積僅40mm×73.5mm×185mm(544cc)的情況下,帶來3200W的功率,實現(xiàn)5.9W/cc(接近100W/inch3)的功率密度。相較于傳統(tǒng)硅方案縮小40%體積,效率在30%的負載下超過95.6%,在20% ~ 60%的負載下超96%,定義了“鈦金Plus”的行業(yè)標準;

2. 納微全新的6.6kW 2合1雙向電動汽車車載充電器(OBC),在雙向6.6kW OBC的基礎上集成3kW DC-DC的功能,這款2合1平臺產(chǎn)品具有3.9kW/L以上的功率密度,滿載下的峰值效率達96%以上,與市場同類解決方案相比各項性能指標都大幅領先。

納微半導體

首席執(zhí)行官及聯(lián)合創(chuàng)始人

Gene Sheridan

“納微早先的GaNFast和GaNSense技術已經(jīng)為移動消費電子行業(yè)設定了采用氮化鎵的行業(yè)標準,納微發(fā)貨量大、采用納微的主流一線客戶多,在消費電子行業(yè)中,納微氮化鎵已逐漸取代硅成為消費電子快充主流應用。

如今GaNSafe更進一步,讓我們的技術更上一層樓,不僅在集成方面實現(xiàn)了行業(yè)中最受保護、可靠和安全的氮化鎵器件水平,而且在功率水平上實現(xiàn)全面提升,將徹底打開AI數(shù)據(jù)中心、電動車、太陽能和能儲等1-22kW功率系統(tǒng)市場。我們的客戶如今可以在這些數(shù)十億規(guī)模的市場上,實現(xiàn)氮化鎵的全部潛質(zhì),這些市場要求最高的效率、密度和可靠性?!?/p>

納微GaNSafe系列產(chǎn)品現(xiàn)已提供給明確意向客戶,預計在2023年第四季度開始量產(chǎn)。在數(shù)據(jù)中心、太陽能/能儲和電動車應用領域中正在進行的客戶項目已達到40個,這是納微價值10億美元的在研客戶項目的一部分。






審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • emi
    emi
    +關注

    關注

    53

    文章

    3662

    瀏覽量

    129746
  • 靜電放電
    +關注

    關注

    4

    文章

    299

    瀏覽量

    45033
  • 氮化鎵
    +關注

    關注

    61

    文章

    1729

    瀏覽量

    117317
  • 車載充電器
    +關注

    關注

    2

    文章

    255

    瀏覽量

    24459
  • 納微半導體
    +關注

    關注

    7

    文章

    143

    瀏覽量

    20330

原文標題:納微GaNSafe?系列正式發(fā)布:全球氮化鎵功率器件安全巔峰開啟數(shù)十億美元的數(shù)據(jù)中心、太陽能和電動汽車市場

文章出處:【微信號:納微芯球,微信公眾號:納微芯球】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    半導體GaNSafe?氮化功率芯片正式通過車規(guī)認證

    日訊——半導體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AE
    的頭像 發(fā)表于 04-17 15:09 ?921次閱讀
    <b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b>半導體GaNSafe?<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>芯片正式通過車規(guī)認證

    曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片

    據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來,每年都在改進技術。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(SF4X)進行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
    的頭像 發(fā)表于 03-12 16:07 ?1.2w次閱讀

    半導體氮化和碳化硅技術進入戴爾供應鏈

    近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件行業(yè)領導者——
    的頭像 發(fā)表于 02-07 13:35 ?455次閱讀
    <b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b>半導體<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>和碳化硅技術進入戴爾供應鏈

    氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

    的代替材料就更加迫切。 氮化(GaN)被稱為第三半導體材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、
    發(fā)表于 01-15 16:41

    AN65-第四代LCD背光技術

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN65-第四代LCD背光技術.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 01-09 14:12 ?0次下載
    AN65-<b class='flag-5'>第四代</b>LCD背光技術

    十年,氮化GaNSlim上新,持續(xù)引領集成之勢

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)十年前半導體作為氮化行業(yè)的先鋒,成功地將氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-23 09:43 ?1456次閱讀
    <b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b>十年,<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>GaNSlim上新,持續(xù)引領集成之勢

    集成之巔,易用至極!發(fā)布全新GaNSlim?氮化功率芯片

    — 唯一全面專注的下一功率半導體公司及GaNFast?氮化功率芯片和GeneSiC?碳化硅功率
    發(fā)表于 10-17 16:31 ?976次閱讀
    集成之巔,易用至極!<b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b>發(fā)布全新GaNSlim?<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>芯片

    半導體發(fā)布GaNSli氮化功率芯片

    近日,半導體推出了全新一高度集成的氮化功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集
    的頭像 發(fā)表于 10-17 16:02 ?631次閱讀

    意法半導體第四代碳化硅功率技術問世

    意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時,意法半導
    的頭像 發(fā)表于 10-12 11:30 ?946次閱讀

    意法半導體發(fā)布第四代SiC MOSFET技術

    意法半導體(簡稱ST)近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術,標志著公司在高效能半導體領域又邁出了重要一步。此次推出的第四代技術,在能效、功率密度和穩(wěn)健性方面均樹立
    的頭像 發(fā)表于 10-10 18:27 ?1036次閱讀

    富士康,布局第四代半導體

    能,為未來高功率電子元件開辟了新的可能性。 第四代半導體氧化 (Ga2O3) 因其優(yōu)異的性能,被視為下一半導體材料的代表。它擁有超寬能隙 (4.8 eV)、超高臨界擊穿場強 (8
    的頭像 發(fā)表于 08-27 10:59 ?678次閱讀

    半導體下一GaNFast氮化功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化快充

    加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一功率半導體公司及氮化和碳化硅功率芯片
    的頭像 發(fā)表于 06-21 14:45 ?1886次閱讀

    capsense第四代和第五在感應模式上的具體區(qū)別是什么?

    據(jù)我所知,第五capsense相比第四代將電容(包括自電容+互電容技術)和電感觸摸技術集成到了一起,snr信噪比是上一的十多倍,同時功耗僅是上一的十分之一。但是這張圖在感應模式
    發(fā)表于 05-23 06:24

    Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET

    Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術,標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及
    的頭像 發(fā)表于 05-14 15:33 ?885次閱讀

    Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封裝的第四代600 VE系列功率MOSFET

    Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET,為通信、工業(yè)和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 05-10 11:47 ?1356次閱讀
    Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封裝的<b class='flag-5'>第四代</b>600 VE系列<b class='flag-5'>功率</b>MOSFET