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納微十年,氮化鎵GaNSlim上新,持續(xù)引領(lǐng)集成之勢

花茶晶晶 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:黃晶晶 ? 2024-10-23 09:43 ? 次閱讀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)十年前納微半導(dǎo)體作為氮化鎵行業(yè)的先鋒,成功地將氮化鎵功率器件帶入消費(fèi)電子市場,幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產(chǎn)品,也推動了“氮化鎵”的認(rèn)知普及,當(dāng)然也成就了納微輝煌的十年。

如今,納微在氮化鎵產(chǎn)品線上不斷拓展,最近重磅發(fā)布全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產(chǎn)品——GaNSlim,其憑借最高級別的集成度和散熱性能,可為手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源、固態(tài)照明電源等領(lǐng)域,進(jìn)一步簡化和加速尺寸緊湊、高功率密度的應(yīng)用開發(fā)。

從消費(fèi)電子到數(shù)據(jù)中心,業(yè)績增長可觀

納微半導(dǎo)體2024年第二季度總收入增長至2,050萬美元,比2023年同期的1,810萬美元增長13%。其財務(wù)表現(xiàn)超出市場預(yù)期。

從最早的消費(fèi)電子到AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車等領(lǐng)域,納微氮化鎵和碳化硅的應(yīng)用版圖不斷擴(kuò)張。據(jù)財報顯示,移動/消費(fèi)電子方面,移動電子客戶持續(xù)增加納微氮化鎵在快充產(chǎn)品中的應(yīng)用。預(yù)計2024年小米和OPPO對納微氮化鎵的采用率將達(dá)30%。筆電方面,聯(lián)想和戴爾也再次采用了納微GaNFast技術(shù)。納微第二季度推出了16款全新納微GaNFast充電器,使采用納微方案的快充總數(shù)超過470款。

企業(yè)/AI數(shù)據(jù)中心方面,自2023年12月投資者日以來,納微數(shù)據(jù)中心在研客戶項目翻了一番,目前開發(fā)中的客戶項目超過60個,24年第二季度又有7個數(shù)據(jù)中心電源項目推進(jìn)至客戶評審階段。

此外,電動汽車/電動交通方面,在研客戶項目強(qiáng)勁增長,數(shù)量超200個。納微22kW車載充電機(jī)(OBC)方案在2024年第二季度有15個客戶項目推進(jìn)至評審階段。納微預(yù)計在2025年底,電動汽車業(yè)務(wù)將獲得首批由氮化鎵技術(shù)帶來的收入。

GaNSlim集成之作

一直以來,納微的氮化鎵功率芯片專注于以更高的集成度實現(xiàn)高效率、高性能的功率變換,打造最簡單的系統(tǒng)設(shè)計,盡可能縮短客戶產(chǎn)品從設(shè)計到市場的時間。

納微半導(dǎo)體消費(fèi)市場部負(fù)責(zé)人詹仁雄表示GaNSlim系列產(chǎn)品具有六大特點(diǎn)。超低待機(jī)和啟動電流、800伏最高耐壓、系統(tǒng)溫度更低、無損電流檢測、電磁干擾(EMI)設(shè)計更容易以及系統(tǒng)設(shè)計更簡化等。

由于具備低于10μA的超低啟動電流和超低待機(jī)電流,GaNSlim可與SOT23-6控制器兼容,無需高壓啟動FET,就能滿足待機(jī)功耗要求。

GaNSlim采用了DPAK-4L封裝,納微已為該封裝申請專利,具有高散熱性能、小外觀尺寸、低寄生電感。與其他傳統(tǒng)的QFN封裝相比,器件溫升低7°C以上,可支持高達(dá)500W的高功率設(shè)計。

集成的無損電流檢測功能可以省去外部電流檢測電阻,優(yōu)化了系統(tǒng)的效率和可靠性。過溫保護(hù)功能確保了系統(tǒng)的魯棒性,自動睡眠模式提高了輕載和無負(fù)載時的效率。智能化開關(guān)斜率控制最大程度地提高了效率和功率密度,同時減少了外部元件的數(shù)量、系統(tǒng)成本和優(yōu)化了EMI性能。改為' EMI優(yōu)化功能減少了外部元件的數(shù)量、系統(tǒng)成本和優(yōu)化了EMI性能,同時大大節(jié)省了電源開發(fā)人員的研發(fā)時間和成本。

GaNSlim與GaNSense相比,封裝采用DPAK-4L,啟動電流下降,適配市面上各種QR控制器,無損電流檢測,尤其是EMI性能得到提升。外圍器件更少,LAYOUT更容易,系統(tǒng)設(shè)計更簡單。

與業(yè)界其他同類的GAN產(chǎn)品相比,GaNSlim散熱性能更好,內(nèi)置EMI優(yōu)化,啟動電流較小、耐壓更高,且同樣外圍器件更節(jié)省。

GaNSlim家族NV614x系列產(chǎn)品,額定DC耐壓為700V,導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))從120m?到330m?,并分別針對隔離型和非隔離型電源拓?fù)渥髁讼鄳?yīng)的性能優(yōu)化,可提供豐富的產(chǎn)品類型。

由于GaNSlim方案相比傳統(tǒng)硅具有更好的系統(tǒng)成本優(yōu)勢,正在500W以下的手機(jī)和筆電充電器、消費(fèi)電子和家用電器多個市場得到廣泛應(yīng)用。

納微高管表示,這款產(chǎn)品自2022年底開始規(guī)劃,2023年底推出工程樣品,到今年在移動、消費(fèi)電子和家電市場已有超過100個客戶項目,并將繼續(xù)推動在研客戶數(shù)量增長??蛻粽J(rèn)可度非常高。

持續(xù)引領(lǐng)氮化鎵市場

納微以集成化引領(lǐng)行業(yè)的發(fā)展,在成立十周年之際,推出的新品系列命名為GaNSlim,進(jìn)一步強(qiáng)化了納微一貫的極簡、集成化的設(shè)計理念。GaNSlim將邁向集成之巔、易用至極的高度。

氮化鎵器件以其高功率密度高效能在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等得以廣泛應(yīng)用。?根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢的報告,2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約為2.71億美元,預(yù)計到2030年將上升至43.76億美元,復(fù)合年增長率(CAGR)高達(dá)49%。

業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為隨著GaN的性能得到越來越多的認(rèn)可,以及大規(guī)模應(yīng)用后成本效益更佳,在電壓合適的場景下GaN一定會取代硅。未來GaN市場空間巨大,納微半導(dǎo)體的高速增長可期。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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