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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片助力一加11 5G版搭配100W超級(jí)閃充上市
? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體...
2023-02-28 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體一加手機(jī) 1462 0
??怂闺娨暸_(tái)專訪納微半導(dǎo)體CEO:納微氮化鎵技術(shù)走向世界
截至 2021 年 5 月,超過 2000 萬片納微 GaNFast?? 氮化鎵功率芯片已經(jīng)成功出貨。
2021-08-24 標(biāo)簽:氮化鎵納微半導(dǎo)體 1462 0
一種可以實(shí)現(xiàn)太赫茲波前調(diào)控的超構(gòu)表面
近年來,太赫茲(THz)技術(shù)已經(jīng)成為第六代(6G)無線通信、雷達(dá)探測(cè)、光譜成像和生物醫(yī)學(xué)傳感等領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
英諾賽科發(fā)布100V車規(guī)級(jí)GaN推進(jìn)汽車激光雷達(dá)市場(chǎng)
英諾賽科宣布推出100V車規(guī)級(jí)氮化鎵器件INN100W135A-Q,該器件已通過AEC-Q101 認(rèn)證,適用于自動(dòng)駕駛及其他先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)應(yīng)用中的車規(guī)...
氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料,在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動(dòng)力趨勢(shì)是led,微波,以及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包...
全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)迅猛增長(zhǎng):消費(fèi)電子產(chǎn)品與新興技術(shù)共同驅(qū)動(dòng)
除了智能手機(jī),通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、娛樂系統(tǒng)和家用電器等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品也對(duì)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。
GaN價(jià)格及市場(chǎng)規(guī)模的發(fā)展趨勢(shì)
根據(jù)行家說 Research 數(shù)據(jù)顯示,2021年,全球GaN 功率器件營(yíng)收規(guī)模約為 1.66 億美元,其中消費(fèi)類電子市場(chǎng)為0.95億美元,通信與數(shù)據(jù)中...
英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù), 推動(dòng)行業(yè)變革
2024年9月11日訊,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵(GaN...
科雅超低音X2電容用于NITRIDE 65W超薄氮化鎵充電器
深圳市譽(yù)鴻錦推出了一款NITRIDE品牌的餅干氮化鎵充電器,充電器內(nèi)置平面變壓器和氮化鎵器件、超薄X2安規(guī)電容,助力超薄設(shè)計(jì),厚度僅為12.8mm。支持...
科銳推出多款碳化硅基氮化鎵器件,助力大型雷達(dá)加速發(fā)展
有源電子掃描陣列(AESA)系統(tǒng)愈來愈受到研發(fā)的青睞,該系統(tǒng)主要運(yùn)用于大型機(jī)載平臺(tái)上,同時(shí)在陸地和海事細(xì)分市場(chǎng)也有采用。
何時(shí)應(yīng)對(duì)寬能帶隙材料時(shí)代?
對(duì)于功率電子而言,寬能帶隙材料能夠以相同甚至更低的成本,顯著改善效率、尺寸及重量等指標(biāo)。簡(jiǎn)單地說,寬能帶隙器件具有優(yōu)勝10倍的導(dǎo)通和開關(guān)性能,這種性能提...
機(jī)械革命無界14 Pro銳龍版即將上市,配備2.8K 120Hz顯示屏和5.1G網(wǎng)卡
在屏幕方面,新款電腦也同樣出色。其配置了2.8K 120Hz的顯示屏,像素達(dá)到了2880*1800,且具有400nit的光照度(典型值)與100%的sR...
10月30-31日重磅來襲丨CS China常州會(huì)議精彩劇透!匯聚頂流技術(shù)大咖,聚焦行業(yè)前沿風(fēng)向!
化合物半導(dǎo)體是我國重構(gòu)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局的重要突破口!隨著競(jìng)爭(zhēng)的加劇,化合物半導(dǎo)體材料進(jìn)入技術(shù)創(chuàng)新爆發(fā)期,各種新技術(shù)、新產(chǎn)品層出不窮。氮化鎵、碳化硅...
2024-08-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵化合物半導(dǎo)體 1443 0
GaN的驅(qū)動(dòng)電路有哪些挑戰(zhàn)?怎么在技術(shù)上各個(gè)突破?
GaN的驅(qū)動(dòng)電路有哪些挑戰(zhàn)?怎么在技術(shù)上各個(gè)突破?GaN驅(qū)動(dòng)電路有哪些設(shè)計(jì)技巧? GaN(氮化鎵)是一種新型的半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)的硅材料,具有更高的電...
2023-11-07 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵GaN 1442 0
Power Integrations發(fā)布全球電壓最高的單開關(guān)氮化鎵電源IC
新型PowiGaN開關(guān)為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的裕量,在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要。 Power Integrations發(fā)布了全球電壓最高的單開關(guān)氮化...
Anker推出GaNPrime全氮化鎵系統(tǒng)與產(chǎn)品
“全氮化鎵”氮化鎵充電系列有七個(gè)新產(chǎn)品,包括四個(gè)充電器、兩個(gè)移動(dòng)電源和一個(gè)插座,屬于“全氮化鎵”氮化鎵充電系列,進(jìn)一步滿足消費(fèi)者多樣化的充電需求。
恩智浦將GaN用于5G多芯片模塊,以實(shí)現(xiàn)高能效移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)
減少能耗是電信基礎(chǔ)設(shè)施的一個(gè)主要目標(biāo),其中每一點(diǎn)效率都至關(guān)重要。在多芯片模組中使用GaN可在2.6 GHz頻率下將產(chǎn)品組合效率提高到 52%,比公司上一...
近日,美國一家GaN企業(yè)宣布破產(chǎn)倒閉,該企業(yè)還有一個(gè)晶圓廠,總投資超過10億人民幣,而且該企業(yè)此前還宣布他們的GaN器件即將上主驅(qū),倒閉原因是什么?
騰訊專訪納微副總裁查瑩杰:電源架構(gòu)與材料,即將發(fā)生巨大轉(zhuǎn)變
在采訪中,查瑩杰先生向我們介紹了氮化鎵在電力電子行業(yè)的現(xiàn)狀與發(fā)展,納微半導(dǎo)體的使命以及未來發(fā)展的方向。
2021-07-02 標(biāo)簽:氮化鎵騰訊納微半導(dǎo)體 1424 0
?GaN半導(dǎo)體技術(shù)及其在電子領(lǐng)域的前景
當(dāng)前各種氮化鎵技術(shù)正在加速向200mm過渡,以期降低生產(chǎn)成本,使氮化鎵寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)在混合型和全電動(dòng)汽車、消費(fèi)電子產(chǎn)品、智能手機(jī)以及其他產(chǎn)品的制造...
2023-12-11 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體晶體管 1418 0
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