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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵已成為事實上的第三代半導體材料。然而，以您需要的質(zhì)量和所需的熱阻制造 GaN 晶圓是晶圓廠仍在努力克服的挑戰(zhàn)。
士蘭微電子推出小體積、低成本的兩級無頻閃隔離LED照明驅(qū)動方案
在LED驅(qū)動電源設(shè)計領(lǐng)域，不斷追求更高性能和成本效益是行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動力。士蘭微電子以先進的高壓MOS工藝平臺為基礎(chǔ)，以其卓越的穩(wěn)定性和成熟制造工藝，成為...
CNBC專訪納微半導體：全球首家針對電動汽車的氮化鎵功率芯片設(shè)計中心展望及新聞稿
美西時間2月4日，納微半導體再次接受CNBC專訪。CEO Gene Sheridan在采訪中表示，電動汽車是納微下一個目標市場。
泰高技術(shù)攜手鎵宏半導體簽署GaN領(lǐng)域的全面戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日，深圳市泰高技術(shù)與深圳鎵宏半導體有限公司達成了一項全面戰(zhàn)略合作協(xié)議，旨在增強企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展能力，提升產(chǎn)品競爭力。
瑞薩收購Transphorm，利用GaN技術(shù)擴展電源產(chǎn)品陣容
全球半導體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Tran...
GaN場效應(yīng)晶體管（FET）器件的工作電壓可以比同類GaAs器件高五倍。由于GaNFET器件可以在更高的電壓下工作，因此設(shè)計人員可以更輕松地在窄帶放大器...
氮矽科技預(yù)計年底推出首款分離式高速氮化鎵柵極驅(qū)動芯片的快充產(chǎn)品
氮化鎵作為替代硅用于芯片制造的新興材料，目前已經(jīng)在快充市場呈現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。
格芯獲3000萬美元資金，加速硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化
2022-10-21 標簽：氮化鎵 1392 0
安世半導體榮獲雙料大獎，引領(lǐng)氮化鎵技術(shù)前沿
近日，Nexperia（安世半導體）憑借其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領(lǐng)域的杰出表現(xiàn)，榮獲兩項權(quán)威大獎：“SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”和“中國GaN功...
中國上海，2016年2月24日- 領(lǐng)先的高性能模擬、微波、毫米波和光波半導體產(chǎn)品供應(yīng)商MACOM日前宣布推出其備受矚目、應(yīng)用于宏基站的MAGb系列氮化鎵...
這種更高效的無線能量傳輸技術(shù)使得各種應(yīng)用變得更加簡單，同時也開辟了新的領(lǐng)域。比如，你可以用它來給電動滑板車充電，而滑板車的位置在充電墊上沒有那么嚴格。對...
量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的中樞器具，如同“量子燈泡”，賦予聯(lián)網(wǎng)用戶量子信息交互的能力。當前，量子光源芯片主要以氮化硅等材料制造，而此次研發(fā)的氮化鎵量子...
1A2C-65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3....
您的工作是否涉及有源/無源微電子電路和設(shè)計?如果涉及，您可能非常了解高溫會對這些器件產(chǎn)生哪些不利影響。高工作溫度會導致性能下降，服務(wù)壽命縮短。因此，工程...
Power Integrations全新InnoSwitch3AC-DC變換器IC可提供100W的功率輸出
深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓...
納微氮化鎵功率芯片進入全新三星Galaxy S22系列45W旅行充電器
Navitas 首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Gene Sheridan 表示：“三星的消費者欣賞具有創(chuàng)新、性能和質(zhì)量卓越的領(lǐng)先技術(shù)。 “三星和納微在提供下一...
安世半導體氮化鎵器件助力浩思動力2025上海車展核心技術(shù)首秀
安世半導體近日宣布，旗下先進的氮化鎵(GaN)器件成功應(yīng)用于浩思動力(Horse Powertrain)首款超級集成動力系統(tǒng)—Gemini小型增程器的發(fā)...
作為Redmi Note 12系列的重頭戲，Redmi Note 12探索版配備了210W“神仙秒充”，在等效4300mAh電池下，5分鐘就能充至66%...
來自客戶的光隔離探頭實測對比 ? 自泰克光隔離探頭推出市場以來，由于其手機大小的體積、最高近30萬人民幣的天價和宣傳中近乎完美的共模抑制比指標，在新興的...
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