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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

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2025-04-21 標(biāo)簽:氮化鎵AI服務(wù)器 1247 0

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2013-08-05 標(biāo)簽:元器件氮化鎵碳化硅 1243 0

2022半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)內(nèi)外格局生變

美國(guó)“2022芯片與科學(xué)法案”或?qū)θ虬雽?dǎo)體格局產(chǎn)生影響。該法案主要包括兩方面內(nèi)容:一是向半導(dǎo)體行業(yè)提供約527億美元的資金支持,并為企業(yè)提供價(jià)值240...

2022-09-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)氮化鎵 1230 0

IR推出高效率氮化鎵功率器件

IR推出高效率氮化鎵功率器件 目前,硅功率器件主要通過封裝和改善結(jié)構(gòu)來(lái)優(yōu)化性能提升效率,不過隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個(gè)改善的空間已經(jīng)不大了

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Power Integrations推出適合智能照明應(yīng)用的新款LYT6078C驅(qū)動(dòng)器IC

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作為第三代半導(dǎo)體材料,氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點(diǎn),是制作功率芯片的理想材料。如今,電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯...

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氮化鎵(GaN)是一種非常堅(jiān)硬且機(jī)械性能非常穩(wěn)定的寬禁帶半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度、更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻,GaN基功率器...

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意法半導(dǎo)體收購(gòu)氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan的多數(shù)股權(quán)

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日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體器件,旨在提升電動(dòng)汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅(SiC)在電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用上競(jìng)爭(zhēng)...

2024-10-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC氮化鎵 1215 0

氮化鎵材料在電力電子器件中的應(yīng)用

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隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,而氮化鎵(GaN)材料在提高能源效率方面發(fā)揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性,氮化鎵在電力電...

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MACOM 展示業(yè)界最全的射頻/光通信無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施通信解決方案

 馬塞諸塞州洛厄爾,2016年2月22日- M/A-COM Technology Solutions Holdings Inc. (“MACOM”)作為...

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