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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

GaN要快速擴(kuò)散至各應(yīng)用領(lǐng)域仍有層層關(guān)卡待突破

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2023-03-20 標(biāo)簽:IGBT氮化鎵GaN 1206 0

世強(qiáng)與泰高簽署代理協(xié)議 滿足市場對氮化鎵充電器的需求

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2023-02-03 標(biāo)簽:氮化鎵 1205 0

用 Hercules 開發(fā)套件來控制 GaN 功率級——第 1 部分

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2017-04-18 標(biāo)簽:氮化鎵hercules 1204 0

東漸氮化鎵與海神機(jī)器人簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日,杭州東漸氮化鎵半導(dǎo)體有限公司與上海海神機(jī)器人科技有限公司,在前者位于上海的總部隆重舉行了戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約儀式。此次合作標(biāo)志著兩家行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)在科技...

2024-08-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體機(jī)器人氮化鎵 1201 0

納微半導(dǎo)體閃亮登場慕尼黑上海電子展,氮化鎵最新工業(yè)級應(yīng)用產(chǎn)品首次公開亮相

DUBLIN, IRELAND —(PRWeb) 納微半導(dǎo)體宣布,在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上,成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化鎵...

2021-04-27 標(biāo)簽:氮化鎵慕尼黑上海電子展納微半導(dǎo)體 1199 0

大功率器件氮化鎵芯片系列產(chǎn)品KT65C1R070D、KT65C1R120D

Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化鎵功率器件后;最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化鎵功率芯片,K...

2023-09-20 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵功率芯片 1198 0

氮化鎵新技術(shù)突破!

N極性GaN HEMT是目前業(yè)界的研究熱點(diǎn)。

2022-12-02 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 1198 0

聚能創(chuàng)芯完成1.7億元A輪融資

近日,青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司(以下簡稱“聚能創(chuàng)芯”)完成了一項(xiàng)重大里程碑,成功募集1.7億元人民幣的A輪融資。這一重要融資不僅為聚能創(chuàng)芯的快速發(fā)展注...

2024-01-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1197 0

小體積30W氮化鎵PD參考設(shè)計(jì),CX75GE030DI合封芯片來助力!

高集成30W氮化鎵合封芯片CX75GE030DI助力充電器輕松實(shí)現(xiàn)簡化電源設(shè)計(jì),CX75GE030DI內(nèi)部集成了氮化鎵功率管控制和驅(qū)動(dòng)電路芯片,外圍精簡...

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英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵半導(dǎo)體優(yōu)化無線充電功率

全球領(lǐng)先的功率系統(tǒng)與物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技股份公司(股票代碼:FSE: IFX, OTCQX: IFNNY)近期宣布與加拿大企業(yè)AWL-Elect...

2024-10-22 標(biāo)簽:英飛凌半導(dǎo)體氮化鎵 1193 0

永銘電子導(dǎo)電性電容在采用氮化鎵的AC/DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用

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2023-05-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DC氮化鎵 1192 0

英飛凌科技完成對GaN Systems Inc.的收購

英飛凌科技集團(tuán)今天宣布,對GaN Systems Inc.的收購已經(jīng)完成。這家總部位于渥太華的公司提供廣泛的氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換解決方案和尖端應(yīng)用專...

2023-10-25 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體英飛凌科技 1189 0

SGM48520榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)

SGM48520 是一款單通道低邊氮化鎵(GaN)晶體管驅(qū)動(dòng)器,獨(dú)立可配置的開通和關(guān)斷驅(qū)動(dòng)通道,具有最大 6A 拉電流和 4A 灌電流的輸出能力。芯片集...

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芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品

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2023年11月10日,溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學(xué)家峰會上隆重發(fā)布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應(yīng)用的850V Cynthus?系...

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羅姆、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

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12 月 12 日消息,日本半導(dǎo)體制造商羅姆 ROHM 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 10 日宣布同臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴...

2024-12-12 標(biāo)簽:臺積電功率器件氮化鎵 1187 0

國星半導(dǎo)體氮化鎵專利已申請200多篇 正積極進(jìn)行第三代半導(dǎo)體相關(guān)的技術(shù)儲備

近日,國星光電在深交所互動(dòng)易平臺上回答了投資者的問題時(shí)表示,硅基AlGaN垂直結(jié)構(gòu)近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應(yīng)用”及公司參與申報(bào)的“彩色M...

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科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴(kuò)大SiC產(chǎn)能

科銳目前正在美國紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅 (SiC) 制造工廠。這一全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的功率和射頻制造工廠將滿足車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)和200mm工藝。

2020-08-31 標(biāo)簽:氮化鎵科銳半導(dǎo)體制造 1181 0

小米11攜55W氮化鎵充電器全球上市,納微氮化鎵技術(shù)走向世界

氮化鎵(GaN)是第三代半導(dǎo)體技術(shù),其運(yùn)行速度比舊的慢速硅(Si)快20倍,并且可以以三分之一的體積和重量,實(shí)現(xiàn)高達(dá)三倍的功率或充電速度。

2021-03-15 標(biāo)簽:充電器半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 1180 0

中國降價(jià)影響美臺三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)利潤

有報(bào)道稱,兩年前,第三代半導(dǎo)體概念曾成為市場熱點(diǎn),不僅中國大陸股市大幅上漲,還推動(dòng)臺灣地區(qū)同類企業(yè)股價(jià)攀升。然而,近兩年來,美臺相關(guān)企業(yè)業(yè)績表現(xiàn)與預(yù)期相去甚遠(yuǎn)。

2024-05-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1179 0

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st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
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