氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資

近日，第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成C+輪數(shù)億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成2輪數(shù)億元融資以來(lái)的又一融資進(jìn)展。

2023-12-09 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體氮化鎵 1176 0

三代半導(dǎo)體材料的區(qū)別是什么

研究機(jī)構(gòu)：“全球碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到18.4億美元，2025年會(huì)進(jìn)一步增長(zhǎng)到52.9億美元”。那么什么是半導(dǎo)體？

2022-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1173 0

Panasonic 高效GaN 電源解決方案 登陸Mouser

2016年3月29日 – 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始分銷Panasonic氮化鎵（GaN）解決方案。為滿足現(xiàn)代電源的...

2016-03-29 標(biāo)簽：晶體管Mouser氮化鎵 1173 0

馬瑞利與Transphorm達(dá)成戰(zhàn)略合作 將進(jìn)一步完善新能源汽車技術(shù)領(lǐng)域的布局

日前，汽車零部件供應(yīng)商MARELLI（馬瑞利）與半導(dǎo)體公司Transphorm達(dá)成戰(zhàn)略合作。前者將獲得電動(dòng)和混合動(dòng)力車輛領(lǐng)域的的動(dòng)力總成逆變器開(kāi)發(fā)技術(shù)，...

2020-03-10 標(biāo)簽：新能源汽車氮化鎵Transphorm 1169 0

英諾芯半導(dǎo)體IN3261G+IN1305M :33W氮化鎵

IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最簡(jiǎn)潔的33W PD充電器方案之一 IN3261G IN3262G為高性能多模式 PWM?反激式控制器。該...

2023-05-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1167 0

氮化鎵充電器理到底有哪些黑科技

對(duì)于近幾年的電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，隨著充電技術(shù)的普及，快速充電技術(shù)在各種電子設(shè)備上得到了普及。我們經(jīng)常在智能手機(jī)上看到40W快充、65W快充等字樣。充電環(huán)節(jié)中最...

2023-09-14 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 1165 0

英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用

11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用 將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地同時(shí)開(kāi)展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問(wèn)題研究提升氮化鎵材料與器...

2023-11-22 標(biāo)簽：氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體英諾賽科 1151 0

GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

近期，大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上

2024-01-15 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 1149 0

數(shù)字控制 GaN 應(yīng)用已做好準(zhǔn)備

在英語(yǔ)里，ready是很有意思的一個(gè)詞，它在不同的語(yǔ)境下會(huì)有完全不同的意思。有一大屋子女兒時(shí)，ready的意思就是為做好準(zhǔn)備而準(zhǔn)備；而準(zhǔn)備的時(shí)間絕不會(huì)少...

2017-04-18 標(biāo)簽：數(shù)字電源氮化鎵 1146 0

GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

每個(gè)世紀(jì)在人類努力的各個(gè)領(lǐng)域都有其重大發(fā)明。對(duì)于電力電子而言，21世紀(jì)正在加速發(fā)現(xiàn)寬帶隙。在過(guò)去的二十年里，研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)...

2022-07-27 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1145 0

GaN紫外傳感器的6中類型介紹

氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.4eV，對(duì)應(yīng)截至波長(zhǎng)365nm，對(duì)可見(jiàn)光無(wú)響應(yīng)，克服了硅基紫外傳感器對(duì)可見(jiàn)光有強(qiáng)烈響應(yīng)，且紫外靈...

2023-01-12 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵GaN 1141 0

高壓氮化鎵的未來(lái)，您能想象得到嗎？

你可以想象有這樣一個(gè)世界，在這個(gè)世界中，你不需要建造這么多發(fā)電廠，來(lái)滿足不斷躥升的數(shù)字需求。在這個(gè)世界中，工業(yè)、企業(yè)計(jì)算、電信和可再生能源系統(tǒng)的運(yùn)行速度...

2017-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵GaNlmg3410 1140 0

德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體制造規(guī)模

近日，德州儀器（TI）宣布了一個(gè)重要的產(chǎn)能提升計(jì)劃。公司在日本會(huì)津工廠的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體已經(jīng)正式投產(chǎn)。

2024-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體德州儀器氮化鎵 1140 0

VisIC Technologies為大功率氮化鎵牽引逆變器鋪平了道路

因此，VisIC Technologies 已經(jīng)證明其 D3GaN（直接驅(qū)動(dòng)耗盡型氮化鎵）半導(dǎo)體技術(shù)非常適合最具挑戰(zhàn)性的大功率汽車應(yīng)用?？焖匍_(kāi)關(guān)應(yīng)用中需...

2023-02-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體大功率氮化鎵 1139 0

納微半導(dǎo)體下一代氮化鎵功率芯片全力支持OPPO Reno7 Pro英雄聯(lián)盟手游限定版50W餅干充電器成功發(fā)布

氮化鎵是下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)，運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快20倍，和傳統(tǒng)硅充電器相比，氮化鎵充電器在一半的尺寸和重量下，能實(shí)現(xiàn)3倍功率或3倍的充電速度。

2022-01-12 標(biāo)簽：充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1137 0