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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導體發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵芯片,引領(lǐng)氮化鎵邁入集成新高度
高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器的戰(zhàn)略性集成, 實現(xiàn)易用、高效、可快速充電的電源系統(tǒng) 美國加利福尼亞州托倫斯,2023年3月20日訊 —— 唯一全面...
Maxim MAX2270x隔離式柵極驅(qū)動器在貿(mào)澤開售 具有超高共模瞬態(tài)抗擾性(CMTI)
MAX22701E 是MAX22700–MAX22702系列的首款產(chǎn)品,屬于單通道隔離式柵極驅(qū)動器,具有超高共模瞬態(tài)抗擾性 (CMTI),用于驅(qū)動各種逆...
全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商–國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測試并裝運...
湖南科技大學材料學院在半導體器件散熱領(lǐng)域取得新進展
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料,在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領(lǐng)域具有硅半導體無法比擬的優(yōu)勢。然而,散熱問題是制約其...
Microchip推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器
GMICP2731-10器件有助于保持信號保真度,讓地面站在不影響信號質(zhì)量的情況下進行高射頻電平的傳輸。
德州儀器(TI)宣布,其位于日本會津的工廠已正式啟動氮化鎵(GaN)功率半導體的生產(chǎn)。這一舉措,加上TI在德克薩斯州達拉斯已有的GaN制造業(yè)務(wù),將使TI...
Qorvo? 擴充其面向中國市場的 CATV 功率放大器系列
中國北京,2016年3月25日 –移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.(納斯達克代碼:QRV...
愛美雅)將隆重推出M版多協(xié)議兼容65W氮化鎵快充頭方案,目前已與國內(nèi)通信龍頭及國內(nèi)一線零售品牌建立了合作關(guān)系,未來這款2C1A的氮化鎵GaN快充頭將卷入...
針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ(典型值)的氮化鎵場效應(yīng)管,采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù),開創(chuàng)了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相...
2023-12-24 標簽:場效應(yīng)管FET氮化鎵 1078 0
國星光電聚焦SiC及GaN創(chuàng)新應(yīng)用持續(xù)發(fā)力
近日,國星光電作為A級單位參編發(fā)布的《2023碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》和《2023氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》在行家說2023碳化硅&...
瑞薩電子近日宣布了一項重大收購,以每股5.10美元的價格收購美國氮化鎵(GaN)功率半導體供應(yīng)商Transphorm。這次收購總額為3.39億美元,相當...
氮化鎵第三代半導體材料,在消費電源市場得到廣泛應(yīng)用
隨著各大手機和筆記本電腦品牌紛紛進入氮化鎵快充市場,氮化鎵功率器件的性能得到進一步驗證,同時也加速了氮化鎵技術(shù)在快充市場的普及。目前,快充源市場上氮化鎵...
高頻驅(qū)動下的第三代半導體服務(wù)器電源對磁性材料提出了高頻、低損耗要求。本期對話通過行業(yè)內(nèi)權(quán)威教授、服務(wù)器電源廠商、磁性元器件廠商、磁芯廠商以及線材廠商的對...
我和同事Tomomasa Emoto乘坐新干線以300千米/小時的速度駛過日本鄉(xiāng)村,最終抵達了名古屋站。名古屋擁有著名的神道廟和城堡,但這并不是我們來這...
TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能
基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗,德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應(yīng)晶體管(FET)功率級工程樣片,從而使TI成為...
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