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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵 (GaN) 帶來(lái)電源管理變革的 3 大原因
氮化鎵正取代硅，越來(lái)越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 ? 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密...
2023-04-19 標(biāo)簽：氮化鎵 1132 0
在過(guò)去的幾十年中，全球SiC 和 GaN領(lǐng)域的特點(diǎn)是發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高以及有望實(shí)現(xiàn)數(shù)十億美元的收入。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德國(guó)...
多年來(lái)，設(shè)計(jì)人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來(lái)。工程師不僅在尋找設(shè)備或技術(shù)成熟度——...
2022-08-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 1131 0
電源適配器（Power adapter）是小型便攜式電子設(shè)備及電子電器的供電電源變換設(shè)備，一般由外殼、變壓器、電感、電容、控制IC、PCB板等元器件組成。
在這個(gè)電子產(chǎn)品更新?lián)Q代速度驚人的時(shí)代，半導(dǎo)體市場(chǎng)的前景無(wú)疑是光明的。新型功率半導(dǎo)體材料，比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，因其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)正成為行業(yè)...
Nexperia斥資2億美元,布局未來(lái)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
在全球電氣化和數(shù)字化浪潮不斷加速的今天，半導(dǎo)體技術(shù)作為其核心驅(qū)動(dòng)力，正迎來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。近日，全球知名半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）宣...
納微半導(dǎo)體下一代GaNFast?氮化鎵技術(shù)為三星打造超快“加速充電”
加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NV...
本周，半導(dǎo)體行業(yè)最引人關(guān)注的新聞非中國(guó)限制鎵和鍺及其某些化合物出口莫屬了。
Transphorm和貿(mào)澤電子宣布達(dá)成全球分銷協(xié)議
Transphorm Inc.今天宣布，它已與貿(mào)澤電子（Mouser Electronics Inc.）簽署全球分銷協(xié)議，授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷其最新的半...
中科院微電子所在硅基氮化鎵橫向功率器件的動(dòng)態(tài)可靠性研究方面獲進(jìn)展
提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點(diǎn)在于如何準(zhǔn)確測(cè)試出器件在長(zhǎng)期高壓大電流應(yīng)力工作下的安全工作區(qū)，如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率...
納微十載征程，引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展
在功率半導(dǎo)體行業(yè)，納微半導(dǎo)體以其對(duì)氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新，贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。值此成立十周年之際，納微半導(dǎo)體回顧了其一路走來(lái)的輝煌歷...
2024-02-21 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 1109 0
基于 GaN 功率器件的高功率和高功率密度電動(dòng)汽車逆變器
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開始。氮化鎵甚至比碳化硅更能顯著降低動(dòng)態(tài)損耗，從而降低整體損耗。因此，這是未來(lái)實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。 第二個(gè)參...
“在2024財(cái)年第二季度，我們看到了強(qiáng)勁的環(huán)比和同比產(chǎn)品銷售增長(zhǎng)，同時(shí)，毛利率同比增長(zhǎng)了近一倍。我們對(duì)產(chǎn)品線的持續(xù)增長(zhǎng)和設(shè)計(jì)勝利感到高興，大功率設(shè)計(jì)的成...
什么是氮化鎵半導(dǎo)體？GaN如何改造5G網(wǎng)絡(luò)？
氮化鎵 (GaN) 是一種半導(dǎo)體材料，因其卓越的性能而越來(lái)越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。
2023-03-03 標(biāo)簽：氮化鎵5G網(wǎng)絡(luò) 1103 0
蘇州長(zhǎng)光華芯化合物半導(dǎo)體光電子平臺(tái)新建項(xiàng)目奠基儀式啟動(dòng)
據(jù)悉，本項(xiàng)目計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)竣工并投入運(yùn)營(yíng)。它是省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目，旨在建立高端的化合物半導(dǎo)體光電子研發(fā)制造平臺(tái)，形成涵蓋氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等多種材料...
安世半導(dǎo)體Nexperia 2024年財(cái)報(bào)：營(yíng)收20.6億美元，市場(chǎng)份額從2023年的8.9%提升至9.7%
安世半導(dǎo)體近日公布了2024財(cái)年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。在宏觀經(jīng)濟(jì)持續(xù)不確定和市場(chǎng)周期性疲軟的背景下，公司展現(xiàn)出強(qiáng)大的抗風(fēng)險(xiǎn)能力，通過(guò)強(qiáng)化執(zhí)行力和堅(jiān)持創(chuàng)新投入，實(shí)現(xiàn)了...
最高額！芯片制造商格芯將獲美國(guó)15億美元補(bǔ)貼
2月20日消息，據(jù)外媒報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周一，美國(guó)政府表示，作為美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》的一部分，它打算向芯片制造商格芯提供15億美元資金，用于支持該公司擴(kuò)大...
韓國(guó)成功開發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED的新型LED材料 生產(chǎn)成本將更低
據(jù)BusinessKorea報(bào)道，韓國(guó)科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一個(gè)團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED的新型LED材料。據(jù)悉，...
毫無(wú)疑問(wèn)，5G更高的帶寬、更低的延遲和更高的可用性使其非常適合一系列應(yīng)用。然而，較高頻段，特別是毫米波 (mmWave)，也給實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)帶來(lái)了挑戰(zhàn)。因...
好馬配好鞍——鎵未來(lái)氮化鎵和納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器比翼雙飛，助力氮化鎵先進(jìn)應(yīng)用
未來(lái)已來(lái)，氮化鎵的社會(huì)經(jīng)濟(jì)價(jià)值加速到來(lái)。 ? 本文介紹了鎵未來(lái)和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來(lái)提供的緊湊級(jí)聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動(dòng)器配...
2022-11-30 標(biāo)簽：氮化鎵隔離驅(qū)動(dòng) 1095 0
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