德州儀器擴大氮化鎵半導體制造規(guī)模
近日，德州儀器（TI）宣布了一個重要的產(chǎn)能提升計劃。公司在日本會津工廠的氮化鎵（GaN）功率半導體已經(jīng)正式投產(chǎn)。
此次會津工廠的投產(chǎn)，是德州儀器在GaN半導體領(lǐng)域的重要布局。加上現(xiàn)有的GaN制造產(chǎn)能，德州儀器的GaN功率半導體自有制造產(chǎn)能將得到大幅提升，預計達到原來的四倍。
這一舉措不僅彰顯了德州儀器在GaN半導體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也為其未來的市場拓展和產(chǎn)品創(chuàng)新提供了強有力的支持。隨著產(chǎn)能的提升，德州儀器將能夠更好地滿足客戶需求，推動GaN半導體技術(shù)的廣泛應(yīng)用和發(fā)展。
此次擴產(chǎn)計劃的實施，標志著德州儀器在半導體制造領(lǐng)域又邁出了堅實的一步。
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