半導(dǎo)體硅片行業(yè)報(bào)告，國產(chǎn)替代進(jìn)程加速

第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC氮化鎵 1365 0

電動(dòng)工具想升級？快充必須要跟上

6月30日，電動(dòng)工具大會(huì)將邀請到九位一線廠商研發(fā)工程師為大家?guī)黼妱?dòng)工具升級的最新技術(shù)和方案。 電動(dòng)工具因其主要應(yīng)用于戶外作業(yè)，依賴于電源線供能的方式極...

2023-06-26 標(biāo)簽：氮化鎵電動(dòng)工具 1348 0

GaN為高效功率器件鋪平了道路

由于其化學(xué)物理特性和高度可靠的制造工藝，硅 （Si） 多年來一直是制造無源和有源電子元件最常用的半導(dǎo)體。MOSFET 和 IGBT 技術(shù)的引入也使得 S...

2022-07-26 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN 1344 0

碳化硅 （SiC） 與氮化鎵 （GaN）應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和...

2024-09-16 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1340 0

氮化鎵充電器：手機(jī)充電新時(shí)代的開啟

現(xiàn)代生活離不開手機(jī)，但是低效率和漫長的充電時(shí)間卻讓人煩惱不已?，F(xiàn)在，有一種新型的氮化鎵充電器能夠解決這些問題。氮化鎵充電器采用了最新的半導(dǎo)體材料技術(shù)，使...

2023-05-04 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 1336 0

半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

氮化鎵（GaN）基材料被稱為第三代半導(dǎo)體，其光譜范圍覆蓋了近紅外、可見光和紫外全波段，在光電子學(xué)領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價(jià)值。

2024-03-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器氮化鎵 1322 0

新技術(shù)：高效精細(xì)Micro LED量子效率均可保持90%

因?yàn)镸icro LED尺寸很小，傳統(tǒng)顯示器量測設(shè)備鏡頭的相機(jī)像素?zé)o法滿足檢測需求，臺(tái)灣地區(qū)工研院研發(fā)團(tuán)隊(duì)利用“重復(fù)曝光色彩校正技術(shù)”，以重復(fù)曝光方式達(dá)到...

2023-10-26 標(biāo)簽：led顯示器氮化鎵 1318 0

用 Hercules 開發(fā)套件來控制 GaN 功率級——第 2 部分

在我的上一篇博文中，我為大家介紹了一個(gè)動(dòng)手操作項(xiàng)目：用一個(gè)氮化鎵 (GaN) 功率級、一個(gè)Hercules 微控制器和一個(gè)滾輪來調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我講到...

2017-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵hercules 1316 0

光隔離探頭助力氮化鎵（GaN）原廠FAE解決客戶問題

作為功率半導(dǎo)體廠商，為下游客戶提供典型應(yīng)用方案似乎成行業(yè)內(nèi)約定俗成的事。也就是說，作為半導(dǎo)體原廠不僅要設(shè)計(jì)好芯片，還要親自設(shè)計(jì)和驗(yàn)證很多應(yīng)用方案供下游客...

2023-03-13 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)氮化鎵GaN 1307 0

IQE 宣布與 SK siltron 達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議

- 以 IQE 強(qiáng)大的氮化鎵創(chuàng)新技術(shù)為基礎(chǔ) - 行業(yè)龍頭企業(yè)結(jié)成伙伴關(guān)系，以亞洲市場增長為重點(diǎn) 來源：IQE IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，...

2022-10-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1305 0