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基于第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片研究國家重點研發(fā)計劃項目啟動

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2024-01-23 09:56 ? 次閱讀
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據(jù)云塔科技消息,1月15日,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點專項“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項目啟動會暨實施方案論證會在云塔科技(安努奇)舉行。

該項目是由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)牽頭,香港科技大學(xué)作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位,共同開展聯(lián)合攻關(guān)。

項目啟動儀式由安努奇科技主辦,項目負責(zé)人孫海定教授主持,香港科技大學(xué)楊巖松教授、安努奇科技總經(jīng)理左成杰博士、中科大微電子學(xué)院鄭柘煬教授及相關(guān)項目核心骨干參會。

消息稱,項目面向國家在高頻、大帶寬和高功率密度戰(zhàn)略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求,開展基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁(GaN/AlScN)異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究,充分結(jié)合中科大、港科大、安努奇科技三方在射頻前端領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢與產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗,針對關(guān)鍵技術(shù)難題組建課題攻關(guān)小組,提高射頻微系統(tǒng)芯片的技術(shù)創(chuàng)新能力,實現(xiàn)攻堅克難與關(guān)鍵核心技術(shù)的突破,促進我國射頻前端整體水平進入國際先進行列。

本次項目的開展將促使創(chuàng)新火花競相迸發(fā),推動合肥射頻前端乃至集成電路產(chǎn)業(yè)聚“鏈”成“群”。




審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:基于第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片研究國家重點研發(fā)計劃項目啟動

文章出處:【微信號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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