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中瓷電子擬斥資38億元將進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體

西西 ? 來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察 ? 作者:全球半導(dǎo)體觀察 ? 2022-09-06 16:15 ? 次閱讀
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當(dāng)下,以碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)正如火如荼地發(fā)展著,這般火熱之勢(shì)引來(lái)了一些企業(yè)駐足。之后這些企業(yè)選擇以收購(gòu)其他企業(yè)的方式攻入該市場(chǎng),以此占據(jù)市場(chǎng)一方田地。

第三代半導(dǎo)體分羹之局已然開(kāi)戰(zhàn),而近期,市場(chǎng)傳來(lái)的最新消息是,電子陶瓷產(chǎn)品供應(yīng)商中瓷電子擬斥資38億元收購(gòu)三項(xiàng)資產(chǎn),進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體。

中瓷電子38億進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體?

近日,中瓷電子披露其發(fā)行股份購(gòu)買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書(草案),公司擬通過(guò)發(fā)行股份方式向控股股東中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所收購(gòu)三項(xiàng)資產(chǎn),以此開(kāi)拓新領(lǐng)域業(yè)務(wù)。

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三項(xiàng)資產(chǎn)分別為河北博威集成電路有限公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司94.6029%股權(quán)。本次交易作價(jià)約為38.31億元。

中瓷電子于2021年1月正式進(jìn)入A股市場(chǎng),專業(yè)從事于電子陶瓷系列產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,主要產(chǎn)品包括電子陶瓷系列產(chǎn)品,包括通信器件用電子陶瓷外殼、工業(yè)激光器用電子陶瓷外殼、消費(fèi)電子陶瓷外殼及基板和汽車電子件四大系列,產(chǎn)品主要應(yīng)用于光通信、無(wú)線通信等領(lǐng)域。

本次交易完成后,中瓷電子將新增氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應(yīng)用業(yè)務(wù),業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)大幅拓寬,資產(chǎn)質(zhì)量明顯提升。

中瓷電子本次還將募集配套資金總額不超過(guò)25億元,加碼第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。

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本次募集配套資金擬在支付此次重組相關(guān)費(fèi)用后,用于標(biāo)的公司實(shí)施以下項(xiàng)目,5.5億元用于氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目;2億元用于通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目;6億元用于第三代半導(dǎo)體工藝及封測(cè)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目;3億元用于碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目;8.5億元擬用于補(bǔ)充流動(dòng)資金。

第三代半導(dǎo)體浮現(xiàn)多項(xiàng)收購(gòu)案

對(duì)于企業(yè)來(lái)說(shuō),收購(gòu)是一個(gè)易于進(jìn)入新領(lǐng)域、克服行業(yè)進(jìn)入壁壘的一個(gè)很好的方式。除了中瓷電子外,今年涌入第三代半導(dǎo)體的企業(yè)包括LED企業(yè)國(guó)星光電、真空濺鍍廠商柏騰科技、荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASM International、光纜公司長(zhǎng)飛光纖。

01

LED企業(yè)國(guó)星光電擬以2.69億元收購(gòu)風(fēng)華高科持有的風(fēng)華芯電99.88%股權(quán),以此切入第三代半導(dǎo)體封測(cè)環(huán)節(jié)。國(guó)星光電此次成功收購(gòu)風(fēng)華芯電后,可推動(dòng)公司新賽道的快速發(fā)展,強(qiáng)化其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),從而快速進(jìn)入第三代半導(dǎo)體第一陣營(yíng)。

02

真空濺鍍廠商柏騰科技通過(guò)股權(quán)合作,進(jìn)入碳化硅領(lǐng)域。柏騰科技將公開(kāi)募資2800萬(wàn)元新臺(tái)幣(約630萬(wàn)元人民幣),收購(gòu)SiC供應(yīng)商晶成半導(dǎo)體的部分股權(quán),成為晶成半導(dǎo)體持股比例過(guò)半的大股東。同時(shí),柏騰科技還將私募1.6萬(wàn)股,由晶成材料團(tuán)隊(duì)認(rèn)購(gòu),進(jìn)而深化雙方合作。

03

荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASM International宣布收購(gòu)意大利SiC外延設(shè)備制造商LPE,借助LPE提供的先進(jìn)SiC外延工具補(bǔ)充其產(chǎn)品組合。

本次交易總價(jià)有望達(dá)到5.25億歐元(約36億元人民幣),交易完成后,LPE將成為ASM的一個(gè)產(chǎn)品部門,繼續(xù)以意大利為基地,在米蘭和卡塔尼亞設(shè)有技術(shù)和制造中心。

04

全球光纖預(yù)制棒、光纖和光纜供應(yīng)商長(zhǎng)飛光纖布局第三代半導(dǎo)體,擬出資約7.8億元人民幣購(gòu)買于安徽長(zhǎng)江產(chǎn)權(quán)交易所公開(kāi)掛牌的啟迪半導(dǎo)體及蕪湖太赫茲工程中心等相關(guān)股權(quán)。

啟迪半導(dǎo)體及蕪湖太赫茲工程中心主要從事以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品的工藝研發(fā)和制造。

05

IDM半導(dǎo)體企業(yè)華潤(rùn)微電子進(jìn)軍氮化鎵功率器件,收購(gòu)第三代半導(dǎo)體廠商芯冠科技(已更名為潤(rùn)新微電子)的34.56%股份,成為潤(rùn)新微電子第一大股東。潤(rùn)新微電子采用IDM模式,開(kāi)展以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體外延材料和電子器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

06

此外,氮化鎵企業(yè)納微半導(dǎo)體宣布收購(gòu)GeneSiC Semiconductor(GeneSiC),加速向高功率市場(chǎng)擴(kuò)張。納微半導(dǎo)體稱,合并后的公司將在下一代功率半導(dǎo)體(GaN和SiC)領(lǐng)域創(chuàng)建一個(gè)全面的、行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)組合,到2026年,其總市場(chǎng)機(jī)會(huì)估計(jì)每年超過(guò)200億美元。

GeneSiC專注于核心碳化硅技術(shù),主要提供650V~6500V全系列車規(guī)級(jí)碳化硅MOS,并已經(jīng)在全球知名電動(dòng)汽車品牌大量出貨。收購(gòu)GeneSiC之后,納微半導(dǎo)體已成為業(yè)內(nèi)唯一一家純粹的下一代功率半導(dǎo)體公司。

第三代半導(dǎo)體水漲船高

近年來(lái),碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料在新能源汽車、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等終端應(yīng)用市場(chǎng)盡顯風(fēng)光。隨著新興應(yīng)用技術(shù)的快速迭代,市場(chǎng)對(duì)功率元件效能需求日益增強(qiáng),第三代半導(dǎo)體隨之水漲船高。

TrendForce集邦咨詢表示,雖受俄烏沖突與疫情反復(fù)影響,消費(fèi)電子等終端市場(chǎng)需求有所下滑,但應(yīng)用于功率元件的第三代半導(dǎo)體在各領(lǐng)域的滲透率仍然呈現(xiàn)持續(xù)攀升之勢(shì),800V汽車電驅(qū)系統(tǒng)、高壓快充樁、消費(fèi)電子適配器、數(shù)據(jù)中心及通訊基站電源等領(lǐng)域的快速發(fā)展,推升了2022年碳化硅/氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。

另外,據(jù)TrendForce集邦咨詢研究,隨著越來(lái)越多車企開(kāi)始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入碳化硅技術(shù),預(yù)估2022年車用碳化硅功率元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元,至2026年將攀升至39.4 億美元。

目前第三代半導(dǎo)體已然成為了高科技領(lǐng)域最熱門的話題之一,據(jù)TrendForce集邦咨詢研究推估,第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)值將從2021年的9.8億美元,至2025年將成長(zhǎng)至47.1億美元,年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)48%。

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可見(jiàn),未來(lái)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)蘊(yùn)藏著巨大的機(jī)遇,而這也正是眾多企業(yè)瞄準(zhǔn)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域瘋狂進(jìn)擊的原因之一。

編輯:黃飛

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原文標(biāo)題:是誰(shuí)勇入第三代半導(dǎo)體分羹之局?

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