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納微半導(dǎo)體:氮化鎵和碳化硅齊頭并進,抓住繼充電器之后的下一波熱點應(yīng)用

花茶晶晶 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:黃晶晶 ? 2023-08-01 16:36 ? 次閱讀
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早前,納微半導(dǎo)體率先憑借氮化鎵功率芯片產(chǎn)品,踩準氮化鎵在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏,成為氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時,納微也不斷開發(fā)氮化鎵和碳化硅產(chǎn)品線,拓展新興應(yīng)用市場。在2023慕尼黑上海電子展上,納微半導(dǎo)體帶來不少新品,包括最新發(fā)布的GaNSense Control合封技術(shù)、第五代MPS碳化硅肖特基二極管和大功率SiCPAK模塊,進一步開發(fā)工業(yè)、家電、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、電動汽車等市場。

納微半導(dǎo)體高級現(xiàn)場應(yīng)用工程師羅月亮對電子發(fā)燒友網(wǎng)表示,AI對算力的需求大幅增長拉動AI服務(wù)器市場的機會,在GPU數(shù)量和功率增加的同時服務(wù)器電源尺寸是固定的,早期服務(wù)器電源主要是500瓦、800瓦或者1300瓦功率。而現(xiàn)在增加到2700瓦甚至3200瓦。功率密度變大,體積不變,那么氮化鎵在高頻、高效和高功率密度等方面綜合表現(xiàn)突出,并且服務(wù)器電源對可靠性要求高,需要十年質(zhì)保,值得一提的是納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾。可以說,氮化鎵十分適合這一應(yīng)用場景。例如,基于氮化鎵的2700瓦電源模塊的尺寸,僅是硅器件電源模塊的一半。

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在家電領(lǐng)域,消費升級推動電視的輕薄化,羅月亮表示,電視做薄最大的短板是電源,特別是OLED顯示要求的功率更大,納微推出的氮化鎵420瓦電源尺寸大約是硅器件電源的三分之一大小,電源安裝位置更靈活,而且電視可以減薄5毫米。類似的縮小電源模塊體積的典型應(yīng)用還有冰箱輔源,輔源效率從原來85%左右提升到將近90%,模塊尺寸變小后能夠放置在壓縮機旁邊,走線成本下降,安裝簡單,同時冰箱容積增加。

GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制、感應(yīng)及保護集成在一起,為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。此次還展示了搭載GaNSense半橋芯片的1kW馬達驅(qū)動,具備非常高的開關(guān)頻率,采用無損耗電流感測技術(shù),無需電抗器,芯片內(nèi)置過流保護、過溫保護,實現(xiàn)精確的散熱設(shè)計,比起傳統(tǒng)硅方案,體積減小70%,功耗損失減少70%。

納微半導(dǎo)體展示推出的業(yè)界首創(chuàng)的GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片技術(shù)。初代GaNSense Control 合封氮化鎵功率芯片系列具有高頻準諧振 (HFQR) 反激,支持 QR、DCM、CCM 和多頻率、混合模式運行,頻率高達 225 kHz。GaNSense Control合封芯片集成了無損電流檢測、高壓啟動、抖頻、低待機功率、寬Vdd輸入電壓的特性,能在元件更少,無電流采樣電阻熱點的前提下,帶來小巧、高效、溫控更優(yōu)的系統(tǒng).

羅月亮表示,這個合封技術(shù)的一大創(chuàng)新是 將控制器部分電路,例如高壓啟動管做在GAN上,好處是在電網(wǎng)波動大的情況下避免過壓風險。

GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片將率先覆蓋20-150W的智能手機、平板電腦和筆記本電腦充電器,消費電子和家用電器、銷售終端機、大功率數(shù)據(jù)中心和400V電動汽車系統(tǒng)中的輔助電源。

新能源汽車帶來的半導(dǎo)體價值已經(jīng)達到1000多美金,碳化硅、氮化鎵上車更是趨勢所在。羅月亮介紹,例如碳化硅可應(yīng)用于主驅(qū)逆變器、車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等,氮化鎵可應(yīng)用于車載充電器OBC、DC-DC直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達等領(lǐng)域。

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納微半導(dǎo)體 能提供先進可靠的高壓、高效SiC MOSFET,這對于苛刻環(huán)境、大功率應(yīng)用場合的可靠性極為關(guān)鍵。GeneSiC功率器件使用場景從650V到6500V,納微半導(dǎo)體覆蓋了最全面的碳化硅電壓范圍。重點市場包括電動汽車、太陽能、儲能、家用電器及工業(yè)制造、數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備和消費電子領(lǐng)域,預(yù)計到2026年可獲得220億美元每年市場機會。

此外,基于GeneSiC芯片建造的SiCPAK模塊已擴展到更高功率市場,包括鐵路、電動汽車、工業(yè)、太陽能、風能和能量儲存等領(lǐng)域。

據(jù)了解,納微半導(dǎo)體的氮化鎵功率芯片已發(fā)貨超過7500萬顆,碳化硅功率器件發(fā)貨超1000萬顆。納微半導(dǎo)體正在以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新,迎接全面電氣化世界的到來。

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