博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項目落戶嘉興科技城 總投資25億元

11月7日，氮化鎵（GaN）射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項目正式簽約落戶嘉興科技城。區(qū)委書記、嘉興科技城黨工委書記朱苗，嘉興科技城管委會副主任曹建弟，浙江博方嘉...

2019-11-08 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵 7305 0

氮化鎵有什么用_氮化鎵的合成方法

氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

2020-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 7290 0

氮化鎵遇到USB PD快充，氮化鎵充電器成為展會亮點

來自產(chǎn)業(yè)鏈的調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，2019年，搭載USB Type-C接口的設(shè)備出貨量預(yù)計將達(dá)到20億臺。其中USB Type-C在筆記本、臺式電腦中的滲透率將...

2019-04-25 標(biāo)簽：充電器適配器氮化鎵 7241 0

德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)功率級產(chǎn)品組合可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用

德州儀器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過集成獨特的功能和保護特性，來實現(xiàn)簡化設(shè)計，達(dá)到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級聯(lián)和獨立的GaN F...

2018-10-30 標(biāo)簽：德州儀器場效應(yīng)晶體管氮化鎵 7218 0

快充時代下的氮化鎵方案，英飛凌CoolGaN IPS面向30W至500W應(yīng)用

于近日舉辦的英飛凌CoolGaN IPS第三代寬禁帶（WBG）功率半導(dǎo)體媒體溝通會上，英飛凌展示并介紹了面向30W至500W功率級應(yīng)用的這一系列新品。英...

2021-06-09 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵Infineon 7035 0

國產(chǎn)氮化鎵芯片動態(tài)：合封驅(qū)動、封裝工藝升級雙面散熱

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）自Type-C 2.1與PD 3.1新的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議發(fā)布之后，氮化鎵再次被推上風(fēng)口。氮化鎵以低損耗、高效率、高功率密度的自身優(yōu)勢...

2021-12-01 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 6908 0

遼寧百思特達(dá)氮化鎵項目正式開工建設(shè) 總投資達(dá)15億元

據(jù)盤錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)報道，近日，遼寧百思特達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司氮化鎵項目正式開工建設(shè)，這距離該項目10月4日落戶盤錦高新區(qū)還不足一個月時間。

2019-11-05 標(biāo)簽：氮化鎵 6890 0

一文讀懂半導(dǎo)體大硅片

單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保...

2022-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵硅片 6868 0

氮化鎵市場需求有望在5G時代迎來爆發(fā)式增長 我國多家企業(yè)積極布局

日前，華為旗下哈勃投資入股山東天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料再次走入大眾視野，引起業(yè)界重點關(guān)注。

2019-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵5G 6763 0

總投資25億元！博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目開工了

浙江嘉興南湖區(qū)一季度重大項目集中開竣工活動儀式舉行，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項目等多個項目在現(xiàn)場集中開工。

2020-03-05 標(biāo)簽：射頻氮化鎵 6592 0

普通快充和氮化鎵充電器哪個比較好

隨著智能設(shè)備的普及，充電器的需求也日益增加。為了能夠快速充電，提高充電效率，氮化鎵充電器逐漸成為市場上的主流產(chǎn)品。那么，氮化鎵充電器和普通快充有什么區(qū)別...

2023-10-25 標(biāo)簽：充電器氮化鎵快充 6587 0

浙江博方嘉芯新一代半導(dǎo)體智能制造項目啟動 計劃總投資達(dá)25億元

嘉興日報消息稱，日前浙江博方嘉芯新一代半導(dǎo)體智能制造項目舉行啟動典禮。

2019-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 6584 0

寬禁帶的SiC和GaN將會是下一代功率器件的基礎(chǔ)

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)（400千瓦時）的3...

2018-07-24 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 6580 0

車規(guī)級eGaN?FET使得激光雷達(dá)系統(tǒng)看到更清晰、更高效、成本更低、更可靠

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）進一步擴大車規(guī)級氮化鎵產(chǎn)品系列 – 再多兩個產(chǎn)品成功通過國際汽車電子協(xié)會所制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測試認(rèn)證。

2019-01-24 標(biāo)簽：EPC氮化鎵 6579 0

全面分析氮化鎵的誕生、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和未來突破

越來越多的人在使用手機快充充電器的時候可能不經(jīng)意間會發(fā)現(xiàn)氮化鎵（GaN）這個專業(yè)名詞，實際上，正是“氮化鎵”這一第三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)突破，讓第三代半導(dǎo)...

2022-01-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 6555 0