氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別

氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)...

2023-11-21 標(biāo)簽：氮化鎵漏電流硅芯片 9116 1

120W氮化鎵充電器拆解對比：看國產(chǎn)芯片如何征服大廠

因?yàn)檫@兩個充電器呢都是PFC+準(zhǔn)諧振反激式的電源架構(gòu)，因此我們可以對應(yīng)著相同功能部分來對比。先看一些被動元器件，像保險絲，NTC浪涌抑制電阻，安規(guī)電容，...

2022-12-14 標(biāo)簽：元器件充電器氮化鎵 9107 0

納微半導(dǎo)體 GaN功率IC實(shí)現(xiàn) 世界上最小的65W USB-PD 手提電腦電源適配器

納微 （Navitas） 半導(dǎo)體宣布推出世界上最小的65W USB-PD （Type-C） 電源適配器參考設(shè)計(jì)，以跟上過去十年來筆記型電腦在更小尺寸和更...

2017-09-15 標(biāo)簽：電源適配器氮化鎵GaN 8979 0

英飛凌新推氮化鎵開關(guān)管驅(qū)動芯片

隨著市場對高功率高電壓材料的需求增長，全球第三代半導(dǎo)體材料開始備受關(guān)注。第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和...

2018-12-06 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵 8897 0

氮化鎵是什么半導(dǎo)體材料 氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，相對硅而言，氮化鎵間隙更寬，導(dǎo)電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。

2023-02-14 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體材料氮化鎵 8622 0

氮化鎵(GaN)襯底晶片實(shí)現(xiàn)國產(chǎn) 蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一

氮化鎵單晶材料生長難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實(shí)現(xiàn)了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非?？欤瑯右彩堑锇雽?dǎo)體...

2018-01-30 標(biāo)簽：氮化鎵晶片 8345 0

射頻氮化鎵領(lǐng)域的知識產(chǎn)權(quán)現(xiàn)狀

目前，有30多家廠商申請了與GaN MMIC相關(guān)的專利，其中，東芝和科銳擁有最重要的專利組合?？其J在該領(lǐng)域擁有最強(qiáng)大的專利布局，但作為后來者的東芝是Ga...

2019-04-11 標(biāo)簽：射頻氮化鎵半導(dǎo)體器件 8284 0

總投資10億元 百識第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶南京浦口

近日，南京百識半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“百識”）第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目正式落戶南京浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)（以下簡稱“浦口經(jīng)開區(qū)”）。

2019-06-21 標(biāo)簽：新能源半導(dǎo)體氮化鎵 8281 0

從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口只有三年

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時間窗口，但只有三年?！蹦苡嵃雽?dǎo)體總經(jīng)理任勉表示，在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年，能訊半導(dǎo)體迎來關(guān)鍵時間節(jié)點(diǎn)，抓住5G基站建...

2018-10-19 標(biāo)簽：氮化鎵LDMOS 8054 0

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成 達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值20億元

據(jù)新華社報道，近日，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成。

2019-05-21 標(biāo)簽：芯片氮化鎵能訊 7895 0

意法半導(dǎo)體王巧娣：集成驅(qū)動器的MasterGaN系列產(chǎn)品讓GaN產(chǎn)品開發(fā)更簡單

目前GaN產(chǎn)品主要應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品當(dāng)中，但在未來五年中，基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將在激光雷達(dá)、5G通信、新能源汽車、特殊行業(yè)、人工智能、數(shù)據(jù)中心以...

2021-04-22 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體電力電子氮化鎵 7889 0

氮化鎵充電器傷電池嗎？氮化鎵充電器怎么選？

氮化鎵充電器傷電池嗎？氮化鎵充電器怎么選？ 氮化鎵（GaN）充電器被廣泛認(rèn)為是下一代充電器技術(shù)的關(guān)鍵。與傳統(tǒng)充電器相比，氮化鎵充電器具有很多優(yōu)勢，比如高...

2023-11-21 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 7785 0

GaN下游：功率、射頻市場格局；國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu)，理清上、中、下游的各個環(huán)節(jié)，同時迅速了解各大細(xì)分環(huán)節(jié)中...

2022-08-07 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 7601 0

氮化鎵中使用光電化學(xué)刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)高縱橫比深溝槽的進(jìn)展

如果將PEC速率提高到175.5nm/min，則會導(dǎo)致表面變得粗糙。不過高速率的PEC技術(shù)可用于晶圓切割領(lǐng)域中。采用由90μm直徑的圓點(diǎn)組成的50nm厚...

2018-09-03 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵 7366 0