1、氮化鎵是什么？

是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。

氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。

2、氮化鎵跟普通充電器有什么區(qū)別

從材質來看就材質不一樣了，傳統(tǒng)的普通充電器，它的基礎材料是硅，氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。

氮化鎵芯片頻率遠高于硅，有效降低內部變壓器等原件體積，同時優(yōu)秀的散熱性能也使內部原件排布可以更加精密，最終完美解決了充電速率和便攜性的矛盾。很明顯，氮化鎵就是我們要尋找的代替材料。

氮化鎵的成本比普通充電器更高，目前市面上的氮化鎵充電器基本上是一百多塊。

整合自：手機教授、百度百科

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