氮化鎵用途和性質(zhì)

氮化鎵用途和性質(zhì) 第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為代表，是5G時(shí)代的主要材料，其中氮化鎵（GaN）和碳化...

2023-02-03 標(biāo)簽：氮化鎵 2682 0

氮化鎵前景怎么樣

氮化鎵前景怎么樣 氮化鎵產(chǎn)業(yè)概述 1、產(chǎn)業(yè)地位 隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展，相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)...

2023-02-03 標(biāo)簽：氮化鎵 1204 0

什么是氮化鎵技術(shù)

什么是氮化鎵技術(shù) 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族...

2023-02-03 標(biāo)簽：氮化鎵 3398 0

氮化鎵功率器件的技術(shù)路線

氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng)，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電...

2023-01-29 標(biāo)簽：氮化鎵功率器 4836 0

天科合達(dá)談八英寸SiC

本實(shí)驗(yàn)通過(guò)以自主研發(fā)的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴(kuò)徑生長(zhǎng)的起始點(diǎn)，采用物理氣相傳輸(physical...

2023-01-17 標(biāo)簽：SiC氮化鎵 2423 0

GaN紫外傳感器的6中類型介紹

氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.4eV，對(duì)應(yīng)截至波長(zhǎng)365nm，對(duì)可見(jiàn)光無(wú)響應(yīng)，克服了硅基紫外傳感器對(duì)可見(jiàn)光有強(qiáng)烈響應(yīng)，且紫外靈...

2023-01-12 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵GaN 1138 0

SGM48520榮獲“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)

SGM48520 是一款單通道低邊氮化鎵（GaN）晶體管驅(qū)動(dòng)器，獨(dú)立可配置的開(kāi)通和關(guān)斷驅(qū)動(dòng)通道，具有最大 6A 拉電流和 4A 灌電流的輸出能力。芯片集...

2023-01-09 標(biāo)簽：氮化鎵圣邦微電子 1184 0

基于氮化鎵光電集成芯片的微型光纖曲率傳感器

近些年，輕量化、低成本和小型化的曲率傳感器在呼吸監(jiān)測(cè)、關(guān)節(jié)角度評(píng)估和運(yùn)動(dòng)頻率測(cè)量等人體運(yùn)動(dòng)監(jiān)測(cè)領(lǐng)域廣受關(guān)注。尤其是基于光纖的曲率傳感器，因其成本低、耐腐...

2023-01-05 標(biāo)簽：傳感器led氮化鎵 2692 0

二三極管在65W快充產(chǎn)品中的應(yīng)用

據(jù)了解，市場(chǎng)上的65W快充產(chǎn)品可能的BOM表有電源控制芯片、升降壓轉(zhuǎn)換器、快充協(xié)議芯片、變壓器、光耦、二極管、三極管、MOS管、整流橋、電阻、電感、電容...

2022-12-22 標(biāo)簽：變壓器三極管氮化鎵 1360 0

準(zhǔn)備取代Mini ISO的超緊湊型繼電器

? 全球繼電器銷售額呈現(xiàn)整體增長(zhǎng)趨勢(shì)，主要得益于汽車、家用電器、工業(yè)控制等傳統(tǒng)下游市場(chǎng)穩(wěn)定增長(zhǎng)，以及新能源、人工智能（AI）、智能制造等新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)...

2022-12-20 標(biāo)簽：繼電器氮化鎵光通信 784 0

碳化硅和氮化鎵的特性、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用范圍

與硅相比，SiC和GaN（不僅作為寬帶隙半導(dǎo)體，而且作為材料本身）在品質(zhì)因數(shù)（εμeEc3）方面顯示出其出色的性能水平：SiC高440倍，GaN高1130倍。

2022-12-16 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 4035 0

氮化鎵（GaN）如何應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)和可持續(xù)性挑戰(zhàn)

為了提高采用率，電動(dòng)汽車必須提供安全性和便利性，在這種情況下，這主要與提高續(xù)航效率、更好的充電基礎(chǔ)設(shè)施和更快的充電時(shí)間有關(guān)。硅器件不太可能達(dá)到所需的水平...

2022-12-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車DC-DC氮化鎵 1778 0

120W氮化鎵充電器拆解對(duì)比：看國(guó)產(chǎn)芯片如何征服大廠

因?yàn)檫@兩個(gè)充電器呢都是PFC+準(zhǔn)諧振反激式的電源架構(gòu)，因此我們可以對(duì)應(yīng)著相同功能部分來(lái)對(duì)比。先看一些被動(dòng)元器件，像保險(xiǎn)絲，NTC浪涌抑制電阻，安規(guī)電容，...

2022-12-14 標(biāo)簽：元器件充電器氮化鎵 9115 0

Ganvix與BluGlass合作開(kāi)發(fā)基于GaN的綠光VCSEL

與此同時(shí)，總部位于澳大利亞的BluGlass正在開(kāi)發(fā)一種稱為遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積（RPCVD）的新型沉積技術(shù)，其不同于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCV...

2022-12-12 標(biāo)簽：激光器氮化鎵GaN 771 0

三代半導(dǎo)體材料的區(qū)別是什么

研究機(jī)構(gòu)：“全球碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到18.4億美元，2025年會(huì)進(jìn)一步增長(zhǎng)到52.9億美元”。那么什么是半導(dǎo)體？

2022-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1171 0

SW1106 65W氮化鎵快充解決方案

放眼當(dāng)下市場(chǎng)，已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵直驅(qū)控制器多為國(guó)外廠商產(chǎn)品，客戶的選擇空間十分有限，同時(shí)也蘊(yùn)藏著巨大的商機(jī)。日前，智融科技推出了一款氮化鎵直驅(qū)控制芯片...

2022-12-05 標(biāo)簽：控制器氮化鎵 2220 0

科雅超低音X2電容用于NITRIDE 65W超薄氮化鎵充電器

深圳市譽(yù)鴻錦推出了一款NITRIDE品牌的餅干氮化鎵充電器，充電器內(nèi)置平面變壓器和氮化鎵器件、超薄X2安規(guī)電容，助力超薄設(shè)計(jì)，厚度僅為12.8mm。支持...

2022-12-02 標(biāo)簽：充電器脈沖氮化鎵 1449 0