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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

如何為 GaN 器件實(shí)施可靠性測(cè)試?

作者:Sandeep Bahl 最近,一位客戶(hù)問(wèn)我關(guān)于氮化鎵(GaN)可靠性的問(wèn)題:JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))似乎沒(méi)把應(yīng)用條件納入到開(kāi)關(guān)電源的...

2017-04-18 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源氮化鎵 2155 0

準(zhǔn)確測(cè)量氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間

準(zhǔn)確測(cè)量氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間

當(dāng)測(cè)定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí),即使有1GHz的觀(guān)察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您...

2017-04-18 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵lmg5200 3516 0

數(shù)字控制 GaN 應(yīng)用已做好準(zhǔn)備

在英語(yǔ)里,ready是很有意思的一個(gè)詞,它在不同的語(yǔ)境下會(huì)有完全不同的意思。有一大屋子女兒時(shí),ready的意思就是為做好準(zhǔn)備而準(zhǔn)備;而準(zhǔn)備的時(shí)間絕不會(huì)少...

2017-04-18 標(biāo)簽:數(shù)字電源氮化鎵 1142 0

GaN 器件解救 MOSFET 體二極管反向恢復(fù)

GaN 器件解救 MOSFET 體二極管反向恢復(fù)

作為電源工程師,我們能夠回憶起第一次接觸到理想化的降壓和升壓功率級(jí)的場(chǎng)景。還記得電壓和電流波形是多么的漂亮和簡(jiǎn)單(圖1),以及平均電流的計(jì)算是多么地輕松...

2017-04-18 標(biāo)簽:mosfet氮化鎵 1.4萬(wàn) 0

用 Hercules 開(kāi)發(fā)套件來(lái)控制 GaN 功率級(jí)——第 1 部分

用 Hercules 開(kāi)發(fā)套件來(lái)控制 GaN 功率級(jí)——第 1 部分

今天的博文是一個(gè)動(dòng)手操作項(xiàng)目:你將用一個(gè)氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)、一個(gè)Hercules 微控制器和一個(gè)滾輪來(lái)調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我將會(huì)談到其中的硬件和固...

2017-04-18 標(biāo)簽:氮化鎵hercules 1193 0

GaN 硅橋反向恢復(fù)測(cè)量

GaN 硅橋反向恢復(fù)測(cè)量

測(cè)量一個(gè)同步降壓轉(zhuǎn)換器中的反向恢復(fù)不太容易。電流探頭太大,并且會(huì)大幅增加功率級(jí)環(huán)路中的電感。而且電流探頭的帶寬也不夠。使用一個(gè)分流電阻器怎么樣?這聽(tīng)起來(lái)...

2017-04-18 標(biāo)簽:氮化鎵evm 2196 0

加快氮化鎵市場(chǎng)應(yīng)用滲透,現(xiàn)在行動(dòng)起來(lái)!

加快氮化鎵市場(chǎng)應(yīng)用滲透,現(xiàn)在行動(dòng)起來(lái)!

我經(jīng)常感到的奇怪的是,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市...

2017-04-18 標(biāo)簽:氮化鎵 675 0

用 Hercules 開(kāi)發(fā)套件來(lái)控制 GaN 功率級(jí)——第 2 部分

用 Hercules 開(kāi)發(fā)套件來(lái)控制 GaN 功率級(jí)——第 2 部分

在我的上一篇博文中,我為大家介紹了一個(gè)動(dòng)手操作項(xiàng)目:用一個(gè)氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)、一個(gè)Hercules 微控制器和一個(gè)滾輪來(lái)調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我講到...

2017-04-18 標(biāo)簽:氮化鎵hercules 1307 0

氮化鎵高能效藍(lán)色發(fā)光二極管?

我和同事Tomomasa Emoto乘坐新干線(xiàn)以300千米/小時(shí)的速度駛過(guò)日本鄉(xiāng)村,最終抵達(dá)了名古屋站。名古屋擁有著名的神道廟和城堡,但這并不是我們來(lái)這...

2017-04-18 標(biāo)簽:發(fā)光二極管氮化鎵 1071 0

氮化鎵已經(jīng)為數(shù)字控制器做好準(zhǔn)備

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術(shù)語(yǔ)準(zhǔn)備就緒竟然有如此多不同的含義,真是有趣。若您兒孫滿(mǎn)堂,準(zhǔn)備就緒是指您需要輪流做許多準(zhǔn)備;我們不會(huì)離開(kāi)30分鐘。在飛機(jī)上,準(zhǔn)備就緒意味著收起您的手機(jī)...

2017-04-18 標(biāo)簽:氮化鎵電源控制器 1080 0

高壓氮化鎵的未來(lái),您能想象得到嗎?

你可以想象有這樣一個(gè)世界,在這個(gè)世界中,你不需要建造這么多發(fā)電廠(chǎng),來(lái)滿(mǎn)足不斷躥升的數(shù)字需求。在這個(gè)世界中,工業(yè)、企業(yè)計(jì)算、電信和可再生能源系統(tǒng)的運(yùn)行速度...

2017-04-18 標(biāo)簽:氮化鎵GaNlmg3410 1139 0

氮化鎵,說(shuō)不完的話(huà)題

希望昨晚舉行的2015 APEC(國(guó)際電力電子應(yīng)用會(huì)議暨展覽會(huì))座談會(huì)能夠最終將此話(huà)題確定下來(lái)。雖然參加的人很多,但似乎也過(guò)于夸大這一話(huà)題了。多少次,我...

2017-04-18 標(biāo)簽:氮化鎵 563 0

新型寬帶隙材料在電力電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)——第一部分

隨著在晶體管制造中引入諸如氮化鎵 (GaN) 等新型寬帶隙材料,品質(zhì)因數(shù)的顯著改善轉(zhuǎn)化為電源的潛在改良。在這篇包括兩個(gè)部分的博客系列中,我將討論這些新型...

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無(wú)線(xiàn)電源傳輸線(xiàn)圈技術(shù)的現(xiàn)在與未來(lái)

無(wú)線(xiàn)電源傳輸線(xiàn)圈技術(shù)的現(xiàn)在與未來(lái)

由美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)獨(dú)立出來(lái)的WiTricity現(xiàn)任總裁EricGiler,曾在2009年曾于TED發(fā)表題為“無(wú)線(xiàn)電力技術(shù)示范”的精彩演說(shuō),展示...

2017-03-21 標(biāo)簽:無(wú)線(xiàn)電源氮化鎵 5241 0

氮化鎵組件2015年~2021年的市場(chǎng)增長(zhǎng)率將達(dá)83%

由于氮化鎵鎖定中低功率應(yīng)用,其應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模要大于中高功率,因此Yole預(yù)估,氮化鎵組件2015年~2021年的成長(zhǎng)率將達(dá)83%,其中電源供應(yīng)器將占相當(dāng)大...

2016-11-28 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)SiC氮化鎵 1604 0

日本設(shè)立共同研究室 加快新一代功率半導(dǎo)體氮化鎵功研發(fā)

據(jù)報(bào)道,共同研究室預(yù)計(jì)將于2017年3月底前后設(shè)置、最初由總計(jì)10名左右的研究人員參加。該研究室力爭(zhēng)將“氮化鎵”這種物質(zhì)運(yùn)用在控制電流的新一代半導(dǎo)體功率...

2016-11-24 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體 922 0

Qorvo全球CEO專(zhuān)訪(fǎng):手機(jī)中哪些射頻器件會(huì)爆增?

“我們?cè)谖磥?lái)的5G 射頻市場(chǎng)將擁有很多領(lǐng)先的技術(shù),比如非常適合毫米波器件的氮化鎵(GaN)工藝。不僅如此,現(xiàn)在多頻多模LTE手機(jī),特別是運(yùn)營(yíng)商最新要求的...

2016-08-02 標(biāo)簽:氮化鎵射頻器件5G 2045 0

MACOM引入全新300W塑封氮化鎵功率晶體管,實(shí)現(xiàn)射頻能量商業(yè)應(yīng)用質(zhì)的飛躍

“固態(tài)射頻能量技術(shù)具有從生活消費(fèi)品到工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療系統(tǒng)及基礎(chǔ)設(shè)施的全方位優(yōu)勢(shì),有望在未來(lái)撼動(dòng)整個(gè)市場(chǎng)劃分?!盡ACOM市場(chǎng)部資深總監(jiān)Mark Murp...

2016-06-03 標(biāo)簽:氮化鎵GaNMACOM 2385 0

TI的600V GaN FET功率級(jí)革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能

  基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn),德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)工程樣片,從而使TI成為...

2016-05-05 標(biāo)簽:德州儀器氮化鎵LMG3410 1061 0

讓我們一起實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行

讓我們一起實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行

  我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場(chǎng)...

2016-05-04 標(biāo)簽:晶體管功率器件氮化鎵 2332 0

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Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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Coilcraft LRC trinamic
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