氮化鎵功率技術(shù)大熱，Transphorm創(chuàng)新HEMT結(jié)構(gòu)“劍走偏鋒”高壓器件

氮化鎵技術(shù)因其在低功耗、小尺寸等特性設(shè)計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)?；纳a(chǎn)能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢論...

2016-02-24 標(biāo)簽：氮化鎵功率晶體管 4322 0

MACOM推出用于無線基站的全新高性能氮化鎵功率晶體管系列

中國上海，2016年2月24日- 領(lǐng)先的高性能模擬、微波、毫米波和光波半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商MACOM日前宣布推出其備受矚目、應(yīng)用于宏基站的MAGb系列氮化鎵...

2016-02-24 標(biāo)簽：晶體管無線基站氮化鎵 1344 0

MACOM 展示業(yè)界最全的射頻/光通信無線基礎(chǔ)設(shè)施通信解決方案

　馬塞諸塞州洛厄爾，2016年2月22日- M/A-COM Technology Solutions Holdings Inc. （“MACOM”）作為...

2016-02-22 標(biāo)簽：無線氮化鎵微波功率放大器 1165 0

電力電子上下游產(chǎn)業(yè)齊聚PEC西安站活動

由愛戴愛集團主辦，《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦、上海鷹峰電子科技有限公司、英國Amantys、羅杰斯贊助的PEC-電力電子峰會西安站將于2013年1...

2013-11-25 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 1230 0

電力電子行業(yè)專家領(lǐng)導(dǎo)齊聚蘇州，共話行業(yè)發(fā)展新方向

由愛戴愛集團主辦，《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦的PEC-電力電子峰會蘇州站將于10月25-26號蘇州會議中心拉開序幕。此次PEC-電力電子峰會蘇州站...

2013-10-23 標(biāo)簽：新能源汽車氮化鎵碳化硅 829 0

功率電子元件市場走俏，日廠商聯(lián)手搶攻

隨著市場對混合動力/電動車的需求不斷增加，晶片產(chǎn)業(yè)對功率電子元件市場的期望也越來越高；市場研究機構(gòu) IHS 指出，來自電源供應(yīng)器、太陽光電逆變器（PV）...

2013-08-05 標(biāo)簽：元器件氮化鎵碳化硅 1216 0

TriQuint推出新型氮化鎵 (GaN) 集成功率倍增器

技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克代碼：TQNT），今天發(fā)布了新型氮化鎵 （GaN） 集成功率倍增器，為快速增長的有線電...

2013-07-16 標(biāo)簽：氮化鎵TriQuint功率倍增器 1467 0

TriQuint加速氮化鎵的供應(yīng)速度，推出卓越新產(chǎn)品和代工服務(wù)

技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：TQNT），今天發(fā)布了15款新型氮化鎵（ GaN ）放大器和晶體管以及兩套全新的氮化...

2013-07-01 標(biāo)簽：氮化鎵TriQuint 1213 0

英國為恩智浦提供200萬英鎊氮化鎵發(fā)展資金

英國財政部秘書長丹尼歷山大宣布為恩智浦（NXP）英國分公司提供200萬英鎊，以促進氮化鎵（GaN）器件的發(fā)展。GaN器件比傳統(tǒng)硅器件高效，因此很可能成為...

2013-06-03 標(biāo)簽：恩智浦功率器件氮化鎵 816 0

IR開始商業(yè)裝運氮化鎵器件

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測試并裝運...

2013-05-14 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵IR公司 1051 0

何時應(yīng)對寬能帶隙材料時代？

對于功率電子而言，寬能帶隙材料能夠以相同甚至更低的成本，顯著改善效率、尺寸及重量等指標(biāo)。簡單地說，寬能帶隙器件具有優(yōu)勝10倍的導(dǎo)通和開關(guān)性能，這種性能提...

2012-11-26 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬能帶隙 1414 0

未來的材料寵兒“碳化硅”和“氮化鎵”

在功率元器件的發(fā)展中，主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時將電壓也降低到1/k，力...

2012-11-21 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 9689 0

富士通半導(dǎo)體明年量產(chǎn)氮化鎵功率元件

富士通半導(dǎo)體有限公司臺灣分公司宣佈，成功透過硅基板氮化鎵（GaN）功率元件讓伺服器電源供應(yīng)器達(dá)到2.5kW的高輸出功率，并擴大電源供應(yīng)的增值應(yīng)用，實現(xiàn)低...

2012-11-21 標(biāo)簽：氮化鎵功率元件 1539 0

氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用

本內(nèi)容講解了氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用。氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù),與現(xiàn)有技術(shù)相比，氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢在于更高的漏極效率、更大的帶寬、更高的擊穿電壓和...

2011-12-12 標(biāo)簽：氮化鎵射頻通信 1629 0

RFMD推出氮化鎵功率倍增模塊RFCM2680

RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對有線電視網(wǎng)絡(luò)的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時采用了氮化鎵...

2011-11-16 標(biāo)簽：功率氮化鎵RFMD 1484 0

宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強型氮化鎵FET

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強型氮化鎵 (eGaN) FET

2011-03-18 標(biāo)簽：FET氮化鎵宜普 2478 0

RFMD高效率氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管(UPT)RF3

　　日前，高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產(chǎn)RF3932，這種無與倫...

2010-12-01 標(biāo)簽：功率氮化鎵GaN 1502 0

IR推出高效率氮化鎵功率器件

IR推出高效率氮化鎵功率器件 目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結(jié)構(gòu)來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個改善的空間已經(jīng)不大了

2010-05-10 標(biāo)簽：IR氮化鎵功率器 1211 0