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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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綠聯(lián)科技創(chuàng)業(yè)板IPO獲準(zhǔn)注冊(cè),2023年收入超48億元
據(jù)證監(jiān)會(huì)網(wǎng)站消息,證監(jiān)會(huì)收到深交所報(bào)送的關(guān)于深圳市綠聯(lián)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱綠聯(lián)科技)首次公開發(fā)行股票并在創(chuàng)業(yè)板上市的審核意見及公司注冊(cè)申請(qǐng)文件。
2024-04-23 標(biāo)簽:充電器氮化鎵智能倉(cāng)儲(chǔ) 693 0
納微氮化鎵技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽(yáng)能灌溉泵
納微氮化鎵技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽(yáng)能灌溉泵,不僅有效確保糧食安全,同時(shí)讓印度農(nóng)民無需再使用遠(yuǎn)距離電纜或昂貴且有污染的柴油發(fā)電機(jī)。
2024-04-22 標(biāo)簽:人機(jī)交互電機(jī)控制物聯(lián)網(wǎng) 656 0
近年來,隨著移動(dòng)設(shè)備的普及和科技的不斷進(jìn)步,人們對(duì)于充電速度和電池續(xù)航能力的需求也越來越高。
量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的“心臟”,在量子通信中扮演著至關(guān)重要的角色。而電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)此次研發(fā)的氮化鎵量子光源芯片,在性能上取得了顯著的突破。
電子科技大學(xué)在量子光源芯片研制領(lǐng)域取得重大突破
量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的中樞器具,如同“量子燈泡”,賦予聯(lián)網(wǎng)用戶量子信息交互的能力。當(dāng)前,量子光源芯片主要以氮化硅等材料制造,而此次研發(fā)的氮化鎵量子...
京東方華燦光電亮相2024功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)際論壇
3月24日,SEMICON China 2024展會(huì)在上海盛大開展,同期在上海召開功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)際論壇,京東方華燦光電氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān)邱...
2024-04-19 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體華燦光電 819 0
士蘭微電子推出小體積、低成本的兩級(jí)無頻閃隔離LED照明驅(qū)動(dòng)方案
在LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域,不斷追求更高性能和成本效益是行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。士蘭微電子以先進(jìn)的高壓MOS工藝平臺(tái)為基礎(chǔ),以其卓越的穩(wěn)定性和成熟制造工藝,成為...
探討氮化鎵在汽車動(dòng)力系統(tǒng)和激光雷達(dá)的應(yīng)用
氮化鎵(GaN)作為一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)異的電子特性和潛在的系統(tǒng)成本優(yōu)勢(shì),在汽車和移動(dòng)手機(jī)市場(chǎng)中展現(xiàn)出巨大的商業(yè)潛力。
鎵未來TOLL&TOLT封裝氮化鎵功率器件助力超高效率鈦金能效技術(shù)平臺(tái)
珠海鎵未來科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè),致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
在這個(gè)電子產(chǎn)品更新?lián)Q代速度驚人的時(shí)代,半導(dǎo)體市場(chǎng)的前景無疑是光明的。新型功率半導(dǎo)體材料,比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),因其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)正成為行業(yè)...
拆解報(bào)告 | 東科助力Mentech 65W超薄氮化鎵PD實(shí)現(xiàn)快充新升級(jí)
這是你閱讀的充電頭網(wǎng)第3035篇拆解報(bào)告。前言充電頭網(wǎng)拿到了銘普光磁推出的一款超薄氮化鎵快充,這款充電器采用國(guó)標(biāo)折疊插腳,流行超薄設(shè)計(jì),實(shí)測(cè)機(jī)身厚度僅為...
AI的盡頭或是氮化鎵?2024年多家廠商氮化鎵產(chǎn)品亮相,1200V高壓沖進(jìn)市場(chǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)氮化鎵是最新的第三代半導(dǎo)體材料,最早是在1932年由W.C.Johnson等人首次合成,2019年開啟在快充領(lǐng)域大規(guī)模商用。...
2024-03-28 標(biāo)簽:AI氮化鎵第三代半導(dǎo)體 3443 0
四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計(jì)的中壓應(yīng)用
來源:德州儀器 引言 隨著技術(shù)的迅速發(fā)展,人們對(duì)電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動(dòng)這一發(fā)展,太陽(yáng)能等可再生能源被越來越多地用于電網(wǎng)供電。同樣,為了...
2024-03-27 標(biāo)簽:氮化鎵電子設(shè)計(jì)GaN 494 0
英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本
3月11日,英飛凌科技股份公司宣布與Worksport Ltd.(Nasdaq代碼:WKSP;WKSPW)合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低便攜式發(fā)電站...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì) 開啟高效能源轉(zhuǎn)換新紀(jì)元
引言: 隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)境保護(hù)要求的日益提高,傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸無法滿足新時(shí)代對(duì)高效能、高頻率、高溫度和高電壓應(yīng)用的需求。碳化硅(SiC)...
Odyssey半導(dǎo)體出售價(jià)值952萬美元的資產(chǎn)
作為Odyssey的核心部門之一,總面積達(dá)1萬平方英尺的半導(dǎo)體晶圓工廠配有先進(jìn)的開發(fā)與生產(chǎn)設(shè)施,致力于量產(chǎn)運(yùn)行于650V至1200V的垂直型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)...
東科氮化鎵合封芯片DK075G助力創(chuàng)富源70W快充實(shí)現(xiàn)高效輸出
前言消費(fèi)者在選購(gòu)第三方充電器時(shí)都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器,而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費(fèi)者的痛點(diǎn)。創(chuàng)...
德州儀器將提供更具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的氮化鎵芯片
德州儀器正在將其多個(gè)工廠的氮化鎵(GaN)芯片生產(chǎn)從6英寸晶圓轉(zhuǎn)換為8英寸晶圓。模擬芯片公司正在為達(dá)拉斯和日本會(huì)津的8英寸晶圓準(zhǔn)備設(shè)備,這將使其能夠提供...
石墨烯芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),引領(lǐng)我們告別硅時(shí)代?
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)這些材料,在特定的應(yīng)用領(lǐng)域(如高頻、高功率電子器件)中展現(xiàn)出了比硅更好的性能。而石墨烯也可以在某些特定的領(lǐng)域,提供硅難...
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