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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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目前,我們正處于能源轉(zhuǎn)型期,亟需采取行動以應對全球變暖,確保未來的美好生活。為實現(xiàn)這個目標, 我們需要重新思考發(fā)電、輸電、電力儲能和用電的方式。能源、經(jīng)...
Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件
全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(納斯達克:TGAN)與適配器USB PD控制器集成電路的全球領導者Weltr...
2024-04-25 標簽:SiP氮化鎵Transphorm 843 0
綠聯(lián)科技創(chuàng)業(yè)板IPO獲準注冊,2023年收入超48億元
據(jù)證監(jiān)會網(wǎng)站消息,證監(jiān)會收到深交所報送的關于深圳市綠聯(lián)科技股份有限公司(以下簡稱綠聯(lián)科技)首次公開發(fā)行股票并在創(chuàng)業(yè)板上市的審核意見及公司注冊申請文件。
納微氮化鎵技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽能灌溉泵
納微氮化鎵技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽能灌溉泵,不僅有效確保糧食安全,同時讓印度農(nóng)民無需再使用遠距離電纜或昂貴且有污染的柴油發(fā)電機。
2024-04-22 標簽:人機交互電機控制物聯(lián)網(wǎng) 733 0
近年來,隨著移動設備的普及和科技的不斷進步,人們對于充電速度和電池續(xù)航能力的需求也越來越高。
量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的“心臟”,在量子通信中扮演著至關重要的角色。而電子科技大學團隊此次研發(fā)的氮化鎵量子光源芯片,在性能上取得了顯著的突破。
量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的中樞器具,如同“量子燈泡”,賦予聯(lián)網(wǎng)用戶量子信息交互的能力。當前,量子光源芯片主要以氮化硅等材料制造,而此次研發(fā)的氮化鎵量子...
京東方華燦光電亮相2024功率及化合物半導體產(chǎn)業(yè)國際論壇
3月24日,SEMICON China 2024展會在上海盛大開展,同期在上海召開功率及化合物半導體產(chǎn)業(yè)國際論壇,京東方華燦光電氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān)邱...
士蘭微電子推出小體積、低成本的兩級無頻閃隔離LED照明驅(qū)動方案
在LED驅(qū)動電源設計領域,不斷追求更高性能和成本效益是行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動力。士蘭微電子以先進的高壓MOS工藝平臺為基礎,以其卓越的穩(wěn)定性和成熟制造工藝,成為...
鎵未來TOLL&TOLT封裝氮化鎵功率器件助力超高效率鈦金能效技術(shù)平臺
珠海鎵未來科技有限公司是行業(yè)領先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè),致力于第三代半導體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
在這個電子產(chǎn)品更新?lián)Q代速度驚人的時代,半導體市場的前景無疑是光明的。新型功率半導體材料,比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),因其獨特的優(yōu)勢正成為行業(yè)...
拆解報告 | 東科助力Mentech 65W超薄氮化鎵PD實現(xiàn)快充新升級
這是你閱讀的充電頭網(wǎng)第3035篇拆解報告。前言充電頭網(wǎng)拿到了銘普光磁推出的一款超薄氮化鎵快充,這款充電器采用國標折疊插腳,流行超薄設計,實測機身厚度僅為...
AI的盡頭或是氮化鎵?2024年多家廠商氮化鎵產(chǎn)品亮相,1200V高壓沖進市場
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/劉靜)氮化鎵是最新的第三代半導體材料,最早是在1932年由W.C.Johnson等人首次合成,2019年開啟在快充領域大規(guī)模商用。...
來源:德州儀器 引言 隨著技術(shù)的迅速發(fā)展,人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動這一發(fā)展,太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網(wǎng)供電。同樣,為了...
英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本
3月11日,英飛凌科技股份公司宣布與Worksport Ltd.(Nasdaq代碼:WKSP;WKSPW)合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低便攜式發(fā)電站...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢 開啟高效能源轉(zhuǎn)換新紀元
引言: 隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)境保護要求的日益提高,傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸無法滿足新時代對高效能、高頻率、高溫度和高電壓應用的需求。碳化硅(SiC)...
作為Odyssey的核心部門之一,總面積達1萬平方英尺的半導體晶圓工廠配有先進的開發(fā)與生產(chǎn)設施,致力于量產(chǎn)運行于650V至1200V的垂直型氮化鎵場效應...
東科氮化鎵合封芯片DK075G助力創(chuàng)富源70W快充實現(xiàn)高效輸出
前言消費者在選購第三方充電器時都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器,而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費者的痛點。創(chuàng)...
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