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標(biāo)簽 > 源極
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G:gate 柵極;S:source 源極;D:drain 漏極。N溝道的電源一般接在D,輸出S,P溝道的電源一般接在S,輸出D。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。
在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴(kuò)散一個(gè)高雜質(zhì)濃度的P型區(qū)(用P+表示),就形成兩個(gè)不對(duì)稱(chēng)的P+N結(jié)。把兩個(gè)P+區(qū)并聯(lián)在一起,引出一個(gè)電極,稱(chēng)為柵極(g),...
與雙極型晶體管(三極管)的射極跟隨器相比,源極跟隨器的輸出阻抗非常低,特別適合于電動(dòng)機(jī)、揚(yáng)聲器等重負(fù)載(阻抗低的負(fù)載)的驅(qū)動(dòng),同時(shí)MOSFET普遍功率比...
場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用?
三極管工作時(shí),兩個(gè)pn結(jié)都會(huì)感應(yīng)出電荷,當(dāng)做開(kāi)關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),三極管處于飽和狀態(tài),如果這時(shí)三極管截至,pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài),這個(gè)過(guò)程需要...
2019-06-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管源極漏極 2.3萬(wàn) 0
MOS管有三個(gè)引腳,分別是,柵極G、源極S、漏極D,這三個(gè)腳,用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳,通過(guò)改變引腳的電平,我們可以直接控制這個(gè)MO...
2023-02-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器MOS管柵極 1.5萬(wàn) 0
畫(huà)電路板的小伙伴可能經(jīng)常遇到各種標(biāo)號(hào),今天就來(lái)分享一下電源相關(guān)標(biāo)號(hào)的內(nèi)容。
2023-05-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電路板電源電壓 1.4萬(wàn) 0
在MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)中,Vgs(柵極-源極電壓)和Vds(漏極-源極電壓)之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。 一、基...
2024-09-29 標(biāo)簽:MOSFET源極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.1萬(wàn) 0
MOS管,全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),...
3-Ω低RON,5V,2:1(SPDT)通用開(kāi)關(guān)TMUX1237數(shù)據(jù)表立即下載
類(lèi)別:電子資料 2024-03-20 標(biāo)簽:源極通用開(kāi)關(guān) 303 0
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫(xiě),稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它是晶體管的一種。通常所說(shuō)的晶體管是指雙極晶體管。 場(chǎng)...
MOSFET的電氣特性(靜態(tài)特性IGSS/IDSS/V(BR)DSS/V(BR)DXS)
當(dāng)在漏極和源極短路的情況下在柵極和源極之間施加指定電壓時(shí)產(chǎn)生的漏電流
源極,什么是源極,源極是什么意思 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的...
2010-02-26 標(biāo)簽:源極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8045 0
華為公開(kāi)“半導(dǎo)體器件”專(zhuān)利:提升場(chǎng)效應(yīng)晶體管電流驅(qū)動(dòng)能力
根據(jù)專(zhuān)利摘要,該公開(kāi)是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位...
2023-10-11 標(biāo)簽:晶體管源極半導(dǎo)體元件 1205 0
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗-有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的封裝
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?目前ROHM有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的封裝包括TO-247-4L和TO-263-7L兩種。
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器封裝 1138 0
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為:導(dǎo)通時(shí)
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為:導(dǎo)通時(shí)
2023-12-05 標(biāo)簽:柵極源極功率開(kāi)關(guān)器件 723 0
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