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標(biāo)簽 > 漏電流
漏電流分為四種,分別為:半導(dǎo)體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時流過的很微小的電流。在D-S設(shè)在正向偏置,G-S反向偏置,導(dǎo)電溝道打開后,D到S才會有電流流過。但實際上由于自由電子的存在,自由電子的附著在SIO2和N+、導(dǎo)致D-S有漏電流。
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MDDTVS管失效模式大起底:熱擊穿、漏電流升高與反向擊穿問題解析
在電子設(shè)計中,MDD-TVS管是保護電路免受瞬態(tài)電壓沖擊的重要器件。然而,TVS管本身在惡劣環(huán)境或選型、應(yīng)用不當(dāng)時,也可能出現(xiàn)失效問題。作為FAE,本文...
TLV840系列 具有可調(diào)復(fù)位時間延遲和手動復(fù)位功能的低壓監(jiān)控器數(shù)據(jù)手冊
TLV840 系列電壓監(jiān)控器或復(fù)位 IC 可在高電壓水平下工作,同時在整個 VDD 和溫度范圍內(nèi)保持極低的靜態(tài)電流。TLV840 提供低功耗、高精度和低...
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測試方案
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...
在噪聲濾波器的眾多性能考量中,漏電流與試驗電壓作為關(guān)鍵的安全性能參數(shù),對于保障濾波器自身穩(wěn)定運行以及與之相連的整個電氣系統(tǒng)的安全性起著舉足輕重的作用。 ...
鈮電容器和電解電容的區(qū)別 常見鈮電容器故障及解決方案
鈮電容器和電解電容的區(qū)別 鈮電容器和電解電容在多個方面存在顯著差異,以下是兩者的主要區(qū)別: 鈮電容器 電解電容 材料 使用高純度鈮作為陽極,其上的絕緣五...
理想的MOS晶體管不應(yīng)該有任何電流流入襯底或者阱中,當(dāng)晶體管關(guān)閉的時候DS之間不應(yīng)該存在任何的電流。但是,現(xiàn)實中MOS卻存在各種不同的漏電流。漏電流一方...
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通電壓與漏電流之間的關(guān)系是MOS管工作特性的重要方面。以下是對這一關(guān)系的分析: 一、MOS管的導(dǎo)通電壓 MO...
電容器漏電流測試是評估電容器性能的重要手段之一,它可以幫助我們了解電容器在實際應(yīng)用中的可靠性和安全性。 1. 電容器漏電流測試的目的 電容器在電路中起著...
電容器漏電流是指在電容器內(nèi)部或外部由于各種原因?qū)е碌碾娏餍孤┈F(xiàn)象。這種現(xiàn)象可能會影響電容器的性能和使用壽命,甚至可能導(dǎo)致安全問題。 電容器漏電流產(chǎn)生原因...
5V低漏電流、2:1、雙通道精密模擬開關(guān)TMUX1136數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體模擬開關(guān)漏電流 315 0
在現(xiàn)代電氣系統(tǒng)中,從家庭用電到工業(yè)生產(chǎn),從通信基站到新能源設(shè)施,漏電流傳感器正扮演著至關(guān)重要的角色。作為電氣安全監(jiān)測的核心設(shè)備,它如同一位不知疲倦的"隱...
光耦的使用環(huán)境對性能的影響 1. 溫度對光耦性能的影響 溫度是影響光耦性能的重要因素之一。光耦中的LED和光敏元件對溫度變化非常敏感。 LED的發(fā)光效率...
如何測試肖特基二極管性能 測試肖特基二極管性能的方法有多種,以下是一些常用的測試方法: 萬用表測試法 : 將萬用表選擇到二極管測試模式,或正向電壓模式。...
醫(yī)用漏電流測量裝置(YC9706-MD-N)漏電流的測試 深圳一測
產(chǎn)品概述: 醫(yī)用電氣設(shè)備漏電流的測量不同于一般的電流測量,泄漏電流所用的測量裝置需考慮到電流通過人體包括心臟時產(chǎn)生的生理效應(yīng)的測量。在IEC、GB970...
隨著移動設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的快速發(fā)展,對低功耗的需求日益增長。 1. 功耗的來源 ARM開發(fā)板的功耗主要來源于以下幾個方面: CPU功耗 :包括動態(tài)功耗和...
2024-11-05 標(biāo)簽:cpu物聯(lián)網(wǎng)arm開發(fā)板 862 0
安科瑞ASJ漏電流繼電器如何在軌道交通地鐵車站配電系統(tǒng)中應(yīng)用
安科瑞徐赟杰18706165067 應(yīng)用背景 城市軌道交通設(shè)備門類復(fù)雜、數(shù)量龐大、分布廣泛,在長期連續(xù)運行時存在火災(zāi)隱患。在國內(nèi)外的地鐵火災(zāi)中,因電氣原...
2024-09-09 標(biāo)簽:繼電器電流配電系統(tǒng) 468 0
陶瓷電容廣泛應(yīng)用于多種電路,其漏電流是重要參數(shù)。漏電流影響電路性能,主要源于陶瓷電介質(zhì)和電極材料的漏導(dǎo)。設(shè)計時需評估控制漏電流,一般越小越好,過大可能導(dǎo)...
電子產(chǎn)品使用久了可能出現(xiàn)漏電流問題,影響性能。陶瓷電容雖性能穩(wěn)定,但工作過程中也可能產(chǎn)生漏電流,與內(nèi)部結(jié)構(gòu)、溫度、電壓和頻率等因素有關(guān),選擇時需考慮其漏...
基于VLPE技術(shù)的碲鎘汞p-on-n雙層異質(zhì)結(jié)材料與器件研究進展
碲鎘汞(HgCdTe,MCT)紅外焦平面器件結(jié)構(gòu)包括本征汞空位摻雜n-on-p、非本征摻雜n-on-p、n-on-p臺面結(jié)器件、n?/p高密度垂直集成光...
納芯微宣布推出基于電容隔離技術(shù)的全新固態(tài)繼電器產(chǎn)品NSI7258系列
憑借在隔離技術(shù)領(lǐng)域的長期耕耘,納芯微宣布推出基于電容隔離技術(shù)的全新固態(tài)繼電器產(chǎn)品NSI7258系列,該系列提供工規(guī)和車規(guī)版本。
2024-05-14 標(biāo)簽:固態(tài)繼電器漏電流電容隔離 3.1萬 0
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