FinFET是什么？22nm以下制程為什么要引入FinFET呢？

隨著芯片特征尺寸的不斷減小，傳統(tǒng)的平面MOSFET由于短溝道效應(yīng)的限制，難以繼續(xù)按摩爾定律縮小尺寸。

2024-03-26 標(biāo)簽：MOSFET摩爾定律晶體管 5444 0

別再把“泄露電流”與“耐壓漏電流”混淆了！

泄露電流相對(duì)比較小，一般零點(diǎn)幾毫安，比如220VAC/0.42ma，漏電流相對(duì)較大，一半幾毫安到幾十毫安，比如2000VAC/5ma，當(dāng)然也有漏電流有求...

2023-07-16 標(biāo)簽：電容電氣漏電流 5193 0

芯片異常漏電幾種情況分析

門電路的輸入端懸空，有可能導(dǎo)致PMOS和NMOS同時(shí)導(dǎo)通，存在短路電流，如果MOS管的尺寸越大表現(xiàn)出來的漏電流就越大.

2023-12-08 標(biāo)簽：芯片ldoMOS管 5065 0

光伏逆變器漏電流檢測(cè)RCMU與EMC問題的探討

在現(xiàn)如今的電子類產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，由于相關(guān)認(rèn)證法規(guī)的強(qiáng)制要求，對(duì)產(chǎn)品和人身安全認(rèn)知的加強(qiáng)，產(chǎn)品的EMC等級(jí)要求變的十分苛刻。

2023-10-20 標(biāo)簽：電磁兼容emc電磁波 4901 0

求一種組串式逆變器針對(duì)P型、N型光伏組件PID效應(yīng)的解決方案

近期有客戶詢問關(guān)于PID效應(yīng)的問題，希望了解PID效應(yīng)原理以及P型、N型光伏組件PID機(jī)理和區(qū)別。

2024-01-12 標(biāo)簽：逆變器光伏漏電流 4251 0

講講MOS管的選型參數(shù)

選取9個(gè)重要的參數(shù)，包括閾值電壓、工作電壓、工作電流、開啟關(guān)閉速度等。

2023-10-08 標(biāo)簽：MOS管漏電流PWM波 4100 0

這篇讓你快速搞懂IGBT的靜態(tài)特性

IGBT的靜態(tài)特性其實(shí)并非難以理解的東西,即便是對(duì)于外行人而言。

2023-11-27 標(biāo)簽：MOSFETIGBT靜態(tài)特性 4076 0

數(shù)字源表如何測(cè)試MOS管電性能

MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是 一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制其電流大小的常見半導(dǎo)體器件，可 以 廣 泛 應(yīng) 用 在 模 擬 電 路 和 數(shù) ...

2022-12-09 標(biāo)簽：測(cè)試MOSFETMOS管 3974 0

什么是負(fù)載開關(guān)IC？使用負(fù)載開關(guān)IC的優(yōu)點(diǎn) 負(fù)載開關(guān)IC的便捷功能

負(fù)載開關(guān)IC是以串聯(lián)方式插入電源與負(fù)載電路或IC之間的一個(gè)半導(dǎo)體開關(guān)。

2024-02-17 標(biāo)簽：電源管理電池充電器負(fù)載開關(guān) 3781 1

二極管為什么不能并聯(lián)使用？

二極管是一種半導(dǎo)體器件，是電子學(xué)中最基本的元件之一。它具有單向?qū)щ娦再|(zhì)，只能讓電流在一個(gè)方向上流動(dòng)。這種特性使得二極管在電子電路中有著廣泛的應(yīng)用。然而，...

2023-05-04 標(biāo)簽：并聯(lián)二極管半導(dǎo)體 3775 0

微弱電流測(cè)量-GUARD保護(hù)技術(shù)

在pA，fA這些特別小的電流測(cè)量下，其實(shí)nA也算，會(huì)關(guān)注一個(gè)就漏電流的東西。

2023-11-18 標(biāo)簽：pcb電流測(cè)量漏電流 3586 1