漏電流

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漏電流分為四種，分別為：半導(dǎo)體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時流過的很微小的電流。在D-S設(shè)在正向偏置，G-S反向偏置，導(dǎo)電溝道打開后，D到S才會有電流流過。但實(shí)際上由于自由電子的存在，自由電子的附著在SIO2和N+、導(dǎo)致D-S有漏電流。

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漏電流技術(shù)

驅(qū)動器漏電流產(chǎn)生原因

驅(qū)動器主電路普遍采用電壓型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，主電路如圖1所示，主要包括整流電路、濾波電路、逆變電路等部分，實(shí)現(xiàn)交－直－交變換。

2023-05-16 標(biāo)簽：驅(qū)動器濾波電路逆變電路 1413 0

開關(guān)電源“Y電容”都是如何計算的？

位于設(shè)備內(nèi)與一次側(cè)相隔離的那部分電路。

2023-08-23 標(biāo)簽：開關(guān)電源電阻器漏電流 1406 0

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里？

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。

2023-10-09 標(biāo)簽：電動汽車功率器件 SiC 1337 0

貼片壓敏電阻最大耐壓可以達(dá)到多少

貼片壓敏電阻的最大耐壓值可以因不同型號、規(guī)格及生產(chǎn)工藝而有所差異。一般來說，貼片壓敏電阻的壓敏電壓范圍可以從較低的幾伏到較高的幾百伏甚至上千伏。具體來說...

2024-09-06 標(biāo)簽：壓敏電阻貼片漏電流 1335 0

PN結(jié)對IGBT器件的重要性

IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個pn結(jié)，在正向?qū)〞r，背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴，使得N-區(qū)的電阻率急劇減小（即電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)）。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBT MOS PN結(jié) 1323 0

合科泰推出一款采用MB-F封裝的橋堆MB10F

橋堆作為一種非常常見的整流器件，它通常由兩個或四個二極管組成。

2023-11-17 標(biāo)簽：二極管驅(qū)動器適配器 1318 0

新型汽車電子拋負(fù)載保護(hù)平滑箝位TVS

本文上海雷卯電子將介紹一種新型的拋負(fù)載保護(hù)平滑箝位TVS，該TVS能夠有效地保護(hù)電路免受電壓過載的損害，同時還能平滑電壓波動，提高電路的穩(wěn)定性，滿足車規(guī)需求。

2023-07-30 標(biāo)簽：保護(hù)電路汽車電子 TVS管 1301 0

電氣安規(guī)測試和耐壓測試的相關(guān)問題

這是許多產(chǎn)品制造商最想問的一個問題，當(dāng)然最普遍的回答是“因?yàn)榘惨?guī)標(biāo)準(zhǔn)中有規(guī)定?！比裟苌钊肓私怆姎獍惨?guī)的背景，便會發(fā)現(xiàn)它背后所隱含的責(zé)任與意義。電氣安規(guī)...

2023-08-21 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)電流測定漏電流 1299 0

芯森漏電流傳感器在輸電線絕緣子泄漏電流在線監(jiān)測系統(tǒng)中的應(yīng)用

在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中，輸電線絕緣子的污穢程度是影響供電可靠性和安全性的關(guān)鍵因素之一。隨著工農(nóng)業(yè)的發(fā)展和輸電電壓的提高，污閃事故頻發(fā)，給電網(wǎng)運(yùn)行帶來了極大的挑...

2024-08-10 標(biāo)簽：傳感器監(jiān)測系統(tǒng)漏電流 1291 0

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測試方案

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...

2025-01-14 標(biāo)簽：功率器件 SiC GaN 1265 0

使用萬用表測量電路中T1和T2間的電壓，能夠測量出什么結(jié)果？

硬件工程師在設(shè)計電路時一定要注意細(xì)節(jié)，細(xì)節(jié)不清楚設(shè)計出的電路總會出一些莫名其妙的問題。

2023-09-11 標(biāo)簽：萬用表 SMA 肖特基二極管 1234 0

安規(guī)耐壓與漏電流經(jīng)典28問

2023-12-08 標(biāo)簽：漏電流 1229 0

高k柵介質(zhì)NMOSFET遠(yuǎn)程聲子散射對溝道遷移率的影響

器件溝道長度為1μm，HFO2柵介質(zhì)厚度為4.88nm；SiO2柵介質(zhì)厚度為2nm；P襯底摻雜濃度4E15cm^-3；柵電極為鋁金屬。

2023-07-05 標(biāo)簽：晶體管 TDD 漏電流 1223 0

IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)（2）

IGBT中存在如圖所示的兩個寄生BJT，BJT_1為NPN型，BJT_2為PNP型，我們來看看這兩個寄生BJT的電流增益有多大。

2023-11-28 標(biāo)簽：IGBT BJT 漏電流 1196 0

三極管驅(qū)動繼電器

繼電器線圈需要流過較大的電流（約50mA）才能使繼電器吸合，一般的集成電路不能提供這樣大的電流，因此必須進(jìn)行擴(kuò)流，即驅(qū)動。

2023-09-26 標(biāo)簽：繼電器單片機(jī)驅(qū)動器 1178 0

c類功率放大器的最大效率是多少?

C類功率放大器是一種廣泛應(yīng)用于無線通信、廣播、音頻放大等領(lǐng)域的功率放大器。其最大效率可以達(dá)到70%~80%，但實(shí)際應(yīng)用中，由于各種因素的限制，其效率往往...

2024-08-01 標(biāo)簽：無線通信晶體管漏電流 1153 0

關(guān)于二極管，你了解多少？

二極管是很常見的電子元器件，有兩個極，即陰極和陽極，二極管具有單向?qū)щ娦裕娏髦荒軓年枠O流向陰極，電壓反向時二極管截止。

2023-09-11 標(biāo)簽：二極管電源輸出漏電流 1137 0

講講在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中進(jìn)行DC/DC電源模塊選型時遇到的問題

隨著電源模塊的出現(xiàn)與發(fā)展，嵌入式工程師開始從繁重的電源設(shè)計工作中解脫出來，但電源模塊的種類也越來越多，我們在日常的電路設(shè)計中應(yīng)該如何考慮選型呢？

2024-03-04 標(biāo)簽：嵌入式系統(tǒng)輸出電壓電源模塊 1079 0

如何確保380V輔助電源的穩(wěn)定性？

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2024-04-29 標(biāo)簽：MOS管場效應(yīng)晶體管漏電流 1043 0

FPGA設(shè)計關(guān)于功耗專業(yè)的術(shù)語解析

總的片上功耗 Total On-Chip Power: 總的片上功耗是器件內(nèi)部的功耗，等同于器件的靜態(tài)功耗加上設(shè)計功耗，也稱為熱功耗。

2024-03-27 標(biāo)簽：FPGA 電壓晶體管 1018 0

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征?！叭我狻钡暮瘮?shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對簡單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
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