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標(biāo)簽 > 漏電流

漏電流

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漏電流分為四種,分別為:半導(dǎo)體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時(shí)流過(guò)的很微小的電流。在D-S設(shè)在正向偏置,G-S反向偏置,導(dǎo)電溝道打開(kāi)后,D到S才會(huì)有電流流過(guò)。但實(shí)際上由于自由電子的存在,自由電子的附著在SIO2和N+、導(dǎo)致D-S有漏電流。

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漏電流技術(shù)

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2024-01-11 標(biāo)簽:電荷漏電流耐壓測(cè)試 1.4萬(wàn) 0

開(kāi)關(guān)電源接地、漏電流、耐壓測(cè)試介紹

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開(kāi)關(guān)電源是電子設(shè)備中常用的電源模塊,其作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,為設(shè)備提供穩(wěn)定的電壓。為了保證開(kāi)關(guān)電源的安全性和可靠性,需要進(jìn)行接地、漏電流和耐壓測(cè)試...

2024-01-11 標(biāo)簽:萬(wàn)用表開(kāi)關(guān)電源漏電流 6053 1

電容低電壓失效的機(jī)理介紹

在電路設(shè)計(jì)中,有一種常見(jiàn)的認(rèn)識(shí),“器件的裕度設(shè)計(jì)在沒(méi)有把握的情況下,余量盡可能大就會(huì)可靠”,事實(shí)上這個(gè)觀點(diǎn)是錯(cuò)誤的。

2024-01-08 標(biāo)簽:額定電壓電容電壓漏電流 2.1萬(wàn) 0

兩個(gè)設(shè)備不是同時(shí)上電的問(wèn)題

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2023-12-25 標(biāo)簽:接口uartIO口 778 0

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隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展和對(duì)高效能電子器件的需求不斷增長(zhǎng),傳統(tǒng)硅材料在面對(duì)一些特殊應(yīng)用場(chǎng)景時(shí)已經(jīng)顯示出其局限性。

2023-12-25 標(biāo)簽:傳感器無(wú)線通信漏電流 1750 0

求一種1800W雙通道功放MOS管應(yīng)用方案

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2023年是演藝表演恢復(fù)增長(zhǎng)的重要一年,僅上半年全球范圍的演唱會(huì)數(shù)量同比增長(zhǎng)30%。這意味著將帶動(dòng)上下游的產(chǎn)業(yè),其中舞臺(tái)音響功放就是一個(gè)核心的增長(zhǎng)極。對(duì)...

2023-12-24 標(biāo)簽:二極管MOS管音響功放 2118 0

變壓器的絕緣—線圈絕緣介紹

變壓器絕緣結(jié)構(gòu)是變壓器中非常重要的組成部分,它能夠有效地隔離高壓和低壓部分,保證變壓器的正常運(yùn)行。

2023-12-22 標(biāo)簽:絕緣電阻擊穿電壓漏電流 4270 0

什么是絕緣電阻和漏電流?

在電氣工程中,絕緣電阻和漏電流是兩個(gè)非常重要的概念。它們分別描述了電氣設(shè)備或系統(tǒng)絕緣性能的兩個(gè)不同方面。

2023-12-15 標(biāo)簽:絕緣電阻電流互感器漏電流 5631 0

IGBT漏電流增加有哪些原因

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)漏電流增加的原因有多種,以下是對(duì)這些原因的分析: 正向電壓的增加 :當(dāng)IGBT的控制極壓加上一定的電壓時(shí),例如正向電壓,漏結(jié)...

2023-12-13 標(biāo)簽:電阻IGBT晶體管 5328 0

設(shè)計(jì)低泄漏飛安電路—低電流的承載

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承載飛安級(jí)電流的電路具有許多在傳統(tǒng)電路的設(shè)計(jì)和布局中通常不會(huì)考慮的微妙之處。如果忽略這些細(xì)微之處,電路就會(huì)失去低端分辨率,并因元件、材料和電路布局而出現(xiàn)...

2023-12-13 標(biāo)簽:連接器漏電流光電探測(cè)器 1606 0

芯片異常漏電幾種情況分析

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門電路的輸入端懸空,有可能導(dǎo)致PMOS和NMOS同時(shí)導(dǎo)通,存在短路電流,如果MOS管的尺寸越大表現(xiàn)出來(lái)的漏電流就越大.

2023-12-08 標(biāo)簽:芯片ldoMOS管 4648 0

layout相關(guān)—芯片中相鄰單元的漏電流

看到這個(gè)題目,可能不少朋友都會(huì)滿臉問(wèn)號(hào),我們知道cell內(nèi)部會(huì)有l(wèi)eakage,難道cell與cell之間也會(huì)有l(wèi)eakage嗎?

2023-12-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管Layout 1371 0

什么叫電氣規(guī)則呢?電氣規(guī)則檢查-ERC

ERC全稱為electrical rule checking,翻譯為電氣規(guī)則檢查。檢測(cè)的是GDS版圖中是否存在電學(xué)連接問(wèn)題,屬于PV(physical ...

2023-12-06 標(biāo)簽:反相器ERC漏電流 2826 0

IGBT芯片自身的短路分析

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這里,我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路,不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。

2023-12-05 標(biāo)簽:IGBT漏電流驅(qū)動(dòng)電阻 1.0萬(wàn) 0

在毫米波范圍內(nèi)提供高性能的可靠GaN器件

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在整個(gè)應(yīng)力作用下,性能略有下降。正如預(yù)期的那樣,跨導(dǎo)和漏電流隨著時(shí)間的推移而減小。電子遷移率下降對(duì)溫度的影響

2023-12-02 標(biāo)簽:電子遷移GaN毫米波 649 0

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轉(zhuǎn)移特性曲線:固定VDS值,MOS晶體管的源漏電流IDS隨柵源電壓VGS的變化曲線。

2023-12-01 標(biāo)簽:MOS晶體管漏電流柵極電壓 1.8萬(wàn) 1

NMOS管的特性曲線(一)— 輸出特性曲線詳解

NMOS管的特性曲線(一)— 輸出特性曲線詳解

輸出特性曲線:固定VGS值,且數(shù)值大于閾值電壓時(shí),MOS晶體管的源漏電流IDS隨VDS的變化曲線。

2023-12-01 標(biāo)簽:MOS晶體管VDS電流電壓 1.7萬(wàn) 0

芯片的幾個(gè)重要測(cè)試環(huán)節(jié)-CP、FT、WAT

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半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造,晶圓測(cè)試,芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。而測(cè)試環(huán)節(jié)主要集中在CP(chip probing)、FT(Final Test)和WAT...

2023-12-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓芯片封裝 8000 0

肖特基的特點(diǎn)和使用注意事項(xiàng)

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反向恢復(fù)時(shí)間短。反向恢復(fù)時(shí)間是指二極管由流過(guò)正向電流的導(dǎo)通狀態(tài)切換到不導(dǎo)通狀態(tài)需要的時(shí)間。由于肖特基半導(dǎo)體導(dǎo)通時(shí)只有多數(shù)載流子,沒(méi)有少數(shù)載流子,所以理論...

2023-11-30 標(biāo)簽:二極管SMA肖特基二極管 2855 0

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    ov7620是一款CMOS攝像頭器件,是彩色CMOS型圖像采集集成芯片,提供高性能的單一小體積封裝,該器件分辨率可以達(dá)到640X480,傳輸速率可以達(dá)到30幀。
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    buck是降壓型電路,boost是升壓型電路,可以分開(kāi)單獨(dú)使用,buck-boost電路就是把2種電路合在一起,可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能,常見(jiàn)的buck-boost電路有兩種,第一種是輸入與輸出電壓極性相反,只需采用一個(gè)開(kāi)關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開(kāi)關(guān)管和兩個(gè)二極管,可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
  • 識(shí)別技術(shù)
    識(shí)別技術(shù)
    +關(guān)注
    所謂識(shí)別技術(shù),也稱為自動(dòng)識(shí)別技術(shù),通過(guò)被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息,并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
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