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標(biāo)簽 > 漏電流
漏電流分為四種,分別為:半導(dǎo)體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時(shí)流過(guò)的很微小的電流。在D-S設(shè)在正向偏置,G-S反向偏置,導(dǎo)電溝道打開(kāi)后,D到S才會(huì)有電流流過(guò)。但實(shí)際上由于自由電子的存在,自由電子的附著在SIO2和N+、導(dǎo)致D-S有漏電流。
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耐壓測(cè)試是一種常用的電氣測(cè)試方法。在進(jìn)行耐壓測(cè)試時(shí),需要對(duì)漏電流進(jìn)行計(jì)算,以確保測(cè)試過(guò)程中的安全。本文將詳細(xì)介紹耐壓測(cè)試中漏電流的計(jì)算方法。 一、漏電流...
開(kāi)關(guān)電源接地、漏電流、耐壓測(cè)試介紹
開(kāi)關(guān)電源是電子設(shè)備中常用的電源模塊,其作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,為設(shè)備提供穩(wěn)定的電壓。為了保證開(kāi)關(guān)電源的安全性和可靠性,需要進(jìn)行接地、漏電流和耐壓測(cè)試...
2024-01-11 標(biāo)簽:萬(wàn)用表開(kāi)關(guān)電源漏電流 6053 1
漏電開(kāi)關(guān),這位電氣安全的忠誠(chéng)衛(wèi)士,肩負(fù)著檢測(cè)電氣設(shè)備漏電的重任。
2024-01-09 標(biāo)簽:三相電動(dòng)機(jī)漏電流漏電開(kāi)關(guān) 1728 0
在電路設(shè)計(jì)中,有一種常見(jiàn)的認(rèn)識(shí),“器件的裕度設(shè)計(jì)在沒(méi)有把握的情況下,余量盡可能大就會(huì)可靠”,事實(shí)上這個(gè)觀點(diǎn)是錯(cuò)誤的。
兩個(gè)設(shè)備不是同時(shí)上電的問(wèn)題
我們的系統(tǒng)采用橋式整流電路實(shí)現(xiàn)了無(wú)極性輸入的功能,系統(tǒng)上的設(shè)備由系統(tǒng)電源統(tǒng)一供電。
探討碳化硅材料在制備晶圓過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)和優(yōu)勢(shì)
隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展和對(duì)高效能電子器件的需求不斷增長(zhǎng),傳統(tǒng)硅材料在面對(duì)一些特殊應(yīng)用場(chǎng)景時(shí)已經(jīng)顯示出其局限性。
2023年是演藝表演恢復(fù)增長(zhǎng)的重要一年,僅上半年全球范圍的演唱會(huì)數(shù)量同比增長(zhǎng)30%。這意味著將帶動(dòng)上下游的產(chǎn)業(yè),其中舞臺(tái)音響功放就是一個(gè)核心的增長(zhǎng)極。對(duì)...
變壓器絕緣結(jié)構(gòu)是變壓器中非常重要的組成部分,它能夠有效地隔離高壓和低壓部分,保證變壓器的正常運(yùn)行。
在電氣工程中,絕緣電阻和漏電流是兩個(gè)非常重要的概念。它們分別描述了電氣設(shè)備或系統(tǒng)絕緣性能的兩個(gè)不同方面。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)漏電流增加的原因有多種,以下是對(duì)這些原因的分析: 正向電壓的增加 :當(dāng)IGBT的控制極壓加上一定的電壓時(shí),例如正向電壓,漏結(jié)...
承載飛安級(jí)電流的電路具有許多在傳統(tǒng)電路的設(shè)計(jì)和布局中通常不會(huì)考慮的微妙之處。如果忽略這些細(xì)微之處,電路就會(huì)失去低端分辨率,并因元件、材料和電路布局而出現(xiàn)...
看到這個(gè)題目,可能不少朋友都會(huì)滿臉問(wèn)號(hào),我們知道cell內(nèi)部會(huì)有l(wèi)eakage,難道cell與cell之間也會(huì)有l(wèi)eakage嗎?
2023-12-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管Layout 1371 0
ERC全稱為electrical rule checking,翻譯為電氣規(guī)則檢查。檢測(cè)的是GDS版圖中是否存在電學(xué)連接問(wèn)題,屬于PV(physical ...
這里,我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路,不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 標(biāo)簽:IGBT漏電流驅(qū)動(dòng)電阻 1.0萬(wàn) 0
芯片的幾個(gè)重要測(cè)試環(huán)節(jié)-CP、FT、WAT
半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造,晶圓測(cè)試,芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。而測(cè)試環(huán)節(jié)主要集中在CP(chip probing)、FT(Final Test)和WAT...
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