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標(biāo)簽 > 電荷
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低噪聲電荷泵 DCDC轉(zhuǎn)換器 兼容HX4004/LP3102
AXS4004是愛協(xié)生推出的一款低噪聲、固定頻率360KHz的電荷泵型DC DC轉(zhuǎn)換器,在輸入電壓2.5V到5V的情況下,恒定輸出5V電壓,電壓精度為:...
2024-06-17 標(biāo)簽:電荷電池供電dcdc轉(zhuǎn)換器 799 0
加州大學(xué)研究人員推出首款穩(wěn)定的全固態(tài)熱晶體管
加州大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)的一組研究人員利用電場來調(diào)節(jié)半導(dǎo)體器件的傳熱,推出了首款穩(wěn)定的全固態(tài)熱晶體管。 該小組的研究詳細(xì)闡述了該設(shè)備的預(yù)期應(yīng)用和操...
2023-11-07 標(biāo)簽:晶體管電荷半導(dǎo)體器件 789 0
圖像傳感器的應(yīng)用日益普及,特別是在安防、工業(yè)和汽車應(yīng)用領(lǐng)域。很多汽車現(xiàn)在都配備了至少五個(gè)以上基于圖像傳感器的攝像頭。但是,圖像傳感器技術(shù)不同于標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體...
通過電感式轉(zhuǎn)換器充分利用基于LED的照明系統(tǒng)
電荷泵型 LED 驅(qū)動(dòng)器因其高效率、低成本且易于實(shí)施而廣泛應(yīng)用于手機(jī)和其他小尺寸 LCD 背光應(yīng)用。電荷泵所需的外部元件僅由三個(gè)或四個(gè)電容器組成,沒有電...
超級(jí)電容器因其高功率密度、長循環(huán)壽命和快速充放電能力而在許多領(lǐng)域受到重視。這些特性主要?dú)w功于其獨(dú)特的雙電層結(jié)構(gòu)。 超級(jí)電容器的工作原理 雙電層的形成 :...
金屬氧化物巨介電材料低于2K的缺陷偶極冷凍溫度Tf及非常規(guī)TADR行為
多層陶瓷電容器(MLCC)核心原料采用的主要是鈦酸鋇基鐵電體,由于存在靠近室溫的鐵電相變,使其介電常數(shù)溫度穩(wěn)定性比較差。
道路凹凸不平的情況下,車的行駛速度雖然會(huì)減慢但還是會(huì)向目的地前進(jìn)。在電路中,阻抗會(huì)產(chǎn)生熱并發(fā)生能耗(焦耳電)。
清華北大等《Nature Commun》:迄今為止最抗結(jié)垢的材料!
然而,關(guān)于電荷和表面疏水性的影響的研究結(jié)果并不一致。例如,一些研究發(fā)現(xiàn)表面電荷通過靜電相互作用或與礦物離子的絡(luò)合反應(yīng)影響非均相成核,而另一些研究報(bào)告了不...
EBSD分析中的荷電效應(yīng)控制:導(dǎo)電鍍膜技術(shù)的應(yīng)用
導(dǎo)電膜技術(shù)的應(yīng)用在電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)的應(yīng)用過程中,絕緣材料的樣品經(jīng)常會(huì)遇到電荷積聚問題,這不僅會(huì)降低圖像質(zhì)量,還會(huì)影響衍射數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。為了...
基于單材料錫磷化合物邏輯結(jié)的氣體傳感器檢測(cè)氮氧化物介紹
二維(2D)材料因其高表面體積比,以及通過摻雜和功能化調(diào)節(jié)電子特性的出色能力,被證明是基于半導(dǎo)體的氣體傳感器非常有前景的候選材料。
TPS51275B-1 具有音頻外?模式和 3.2ms 軟啟動(dòng)的 5.5V 至 24V 雙通道同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS51275B-1 器件是一款高性價(jià)比的雙同步降壓控制器,適用于: 筆記本電腦系統(tǒng) - 電源解決方案。該器件具有 5V 和 3.3V 低壓差穩(wěn)壓器 ...
2025-03-24 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器降壓控制器 379 0
金屬氧化物導(dǎo)體場效應(yīng)管的5個(gè)知識(shí)點(diǎn)
由于絕緣柵場效應(yīng)管的輸入阻抗非常高,這本來是它的優(yōu)點(diǎn),但在使用上卻帶來新的問題。由于輸入阻抗高,當(dāng)帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí),在柵極感應(yīng)出來的電荷就很難通...
2023-06-05 標(biāo)簽:場效應(yīng)管阻抗電荷 377 0
CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)
這款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD185...
CSD23285F5 -12V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.8mm x 1.5mm、35mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊(cè)
這種 29mΩ、–12V、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過設(shè)計(jì)和優(yōu)化,可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減小占用空間。該技術(shù)能夠取...
CSD13380F3 12V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊(cè)
這款 63mΩ、12V N 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設(shè)計(jì)和優(yōu)化,可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)...
凹版印刷是專門為使用輪轉(zhuǎn)凹版印刷機(jī)進(jìn)行到超大圖形印刷而開發(fā)的。在凹版印刷過程中,印刷滾筒在墨盤中旋轉(zhuǎn),雕刻單元在墨盤中充滿墨水,當(dāng)滾筒旋轉(zhuǎn)離開墨盤時(shí),刮...
IU8360一線脈寬控制,三級(jí)功率限制可選,電荷泵升壓,固定20倍增益,2.3W單聲道GF類音頻放大器
IU8360一線脈寬控制,三級(jí)功率限制可選,電荷泵升壓,固定20倍增益,2.3W單聲道GF類音頻放大器
如圖是一個(gè)監(jiān)控大氣電荷的電路,其中TL071為JFET運(yùn)算放大器,開環(huán)增益為100dB,其反相輸入通過VR1和VR2連接到正軌,同相輸入端連接到天線。L...
2019-01-25 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器JFET電荷 0 0
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