這種 29mΩ、–12V、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化，可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減小占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號 MOSFET，同時顯著減小基底面尺寸。
*附件：CSD23285F5 –12V、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf

特性

• 低導(dǎo)通電阻
• 低 Qg和 QGD
• 超小尺寸
  • 1.53 毫米 × 0.77 毫米
  • 0.50 mm 焊盤間距
• 低調(diào)
  • 0.36 mm 高
• 集成 ESD 保護二極管
  • 額定 > 4 kV HBM
  • 額定> 2 kV CDM
• 無鉛和無鹵素
• 符合 RoHS 規(guī)范

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品特性

• ?超低導(dǎo)通電阻?：在V_GS = -4.5V時，R_DS(on)僅為29 mΩ。
• ?低柵極電荷?：總柵極電荷Q_g為3.2 nC，柵極到漏極電荷Q_gd為0.48 nC。
• ?超小封裝?：1.53 mm × 0.77 mm的封裝尺寸，焊盤間距為0.50 mm，最大高度僅0.36 mm。
• ?集成ESD保護二極管?：人體模型（HBM）額定值> 4 kV，充電器件模型（CDM）額定值> 2 kV。
• ?環(huán)保合規(guī)?：無鉛、無鹵素，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?工業(yè)負(fù)載開關(guān)應(yīng)用?：適用于需要快速響應(yīng)和低損耗的工業(yè)負(fù)載控制。
• ?通用開關(guān)應(yīng)用?：廣泛適用于各種電子設(shè)備中的開關(guān)電路。
• ?手持和移動設(shè)備?：由于其超小封裝和低功耗特性，非常適合手持和移動設(shè)備。

3. 產(chǎn)品描述

CSD23285F5是一款29 mΩ、–12V P溝道FemtoFET? MOSFET，專為最小化手持和移動設(shè)備中的占板面積而設(shè)計。該器件能夠替換標(biāo)準(zhǔn)的小信號MOSFET，同時顯著減小封裝尺寸。

4. 電氣特性

• ?靜態(tài)特性?：包括漏源擊穿電壓BV_DSS、漏源泄漏電流I_DSS、柵源泄漏電流I_GSS、閾值電壓V_GS(th)等。
• ?動態(tài)特性?：涵蓋輸入電容C_iss、輸出電容C_oss、反向傳輸電容C_rss、柵極電阻R_G、柵極電荷Q_g等。
• ?二極管特性?：包括體二極管正向電壓V_SD，適用于需要反向?qū)ǖ膽?yīng)用場景。

5. 熱信息

• ?熱阻?：提供了兩種條件下的結(jié)到環(huán)境熱阻R_θJA，分別為90°C/W（最大銅面積）和245°C/W（最小銅面積），幫助用戶設(shè)計有效的散熱方案。

6. 封裝和訂購信息

• ?封裝類型?：1.53 mm × 0.77 mm的SMD無引腳封裝。
• ?訂購選項?：提供不同卷帶長度的訂購選項，如3000個/卷帶和250個/卷帶。

7. 文檔和支持

• ?文檔更新通知?：用戶可通過TI官網(wǎng)注冊接收產(chǎn)品文檔的更新通知。
• ?商標(biāo)聲明?：FemtoFET?是德州儀器（Texas Instruments）的商標(biāo)。