這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 （LGA） NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，并在超扁平中具有出色的熱特性?；鍠鸥耜嚵?（LGA） 封裝是一種硅芯片級封裝，采用金屬焊盤而不是焊球。
*附件：csd22205l.pdf

特性

• 低電阻
• 小尺寸 1.2 mm × 1.2 mm
• 扁平 0.36mm 高度
• 無鉛
• 柵源電壓鉗
• 柵極 ESD 保護
• 符合 RoHS 規(guī)范
• 無鹵素

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品特性

• ?低電阻?：具有極低的導(dǎo)通電阻（R_DS(on)），在V_GS = -4.5 V時僅為8.2 mΩ。
• ?小尺寸?：采用1.2 mm × 1.2 mm的Land Grid Array (LGA)封裝，具有極小的占用面積。
• ?低剖面?：高度僅為0.36 mm，適合對高度有嚴格要求的應(yīng)用場景。
• ?無鉛?：符合RoHS標準，無鹵素，環(huán)保友好。
• ?柵極保護?：包括柵極-源極電壓鉗位和柵極ESD保護。
• ?熱特性優(yōu)異?：具有良好的熱傳導(dǎo)性能。

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?電池管理?：適用于需要精確控制電池充放電過程的應(yīng)用。
• ?負載開關(guān)?：用于控制電路的通斷，提供低電阻路徑。
• ?電池保護?：防止電池過充、過放等異常情況，延長電池使用壽命。

3. 產(chǎn)品描述

CSD22205L是一款-8-V、8.2 mΩ、1.2 mm × 1.2 mm LGA封裝的NexFET?功率MOSFET。它旨在以最小的封裝尺寸提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，同時具有出色的熱特性。該產(chǎn)品的LGA封裝采用硅芯片級封裝，使用金屬焊盤而不是焊球。

4. 電氣特性

• ?靜態(tài)特性?：包括漏源電壓（V_DS）、漏源泄漏電流（I_DSS）、柵源泄漏電流（I_GSS）和柵源閾值電壓（V_GS(th)）等參數(shù)。
• ?動態(tài)特性?：包括輸入電容（C_ISS）、輸出電容（C_OSS）、反向傳輸電容（C_RSS）、柵極串聯(lián)電阻（R_G）和柵極電荷（Q_g）等參數(shù)。
• ?二極管特性?：包括二極管正向電壓（V_SD）和反向恢復(fù)電荷（Q_rr）等參數(shù)。

5. 熱信息

• ?熱阻?：包括結(jié)到環(huán)境的熱阻（R_θJA），具體數(shù)值取決于封裝方式和安裝條件。

6. 機械、包裝和訂購信息

• ?封裝尺寸?：提供了CSD22205L的詳細封裝尺寸圖，包括引腳配置和尺寸標注。
• ?焊盤推薦?：給出了推薦的焊盤布局和尺寸，以確保良好的焊接質(zhì)量和可靠性。
• ?鋼網(wǎng)推薦?：提供了鋼網(wǎng)開口的推薦尺寸，以優(yōu)化錫膏印刷效果。
• ?訂購信息?：列出了可訂購的設(shè)備型號、封裝類型、引腳數(shù)、每卷數(shù)量以及環(huán)保合規(guī)性等信息。