這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應用。
*附件：CSD18543Q3A 60V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf

特性

• 超低 Qg和 QGD
• 低 RDS（開）
• Low-Thermal Resistance
• 雪崩評級
• 無鉛
• 符合 RoHS 標準
• 無鹵素
• SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品特性

• ? 超低柵極電荷（Q_g 和 Q_gd） ?：有助于減少開關(guān)損耗。
• ? 低導通電阻（R_DS(on)） ?：在V_GS = 10V時，導通電阻為8.1 mΩ，有助于降低功耗。
• ?低熱阻?：結(jié)到殼熱阻（R_θJC）為1.9°C/W，提升散熱性能。
• ?雪崩額定?：支持雪崩條件下的工作。
• ?環(huán)保封裝?：采用3.3 mm × 3.3 mm的SON塑料封裝，無鉛、RoHS合規(guī)、無鹵素。

2. 應用領(lǐng)域

• ?固態(tài)繼電器開關(guān)?
• ?DC-DC轉(zhuǎn)換?
• ?次級側(cè)同步整流?
• ?隔離轉(zhuǎn)換器初級側(cè)開關(guān)?
• ?電機控制?

3. 產(chǎn)品描述

CSD18543Q3A是一款60V、8.1 mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET，采用3.3 mm × 3.3 mm的SON塑料封裝。該器件專為最小化功率轉(zhuǎn)換應用中的損耗而設計，具有超低柵極電荷、低導通電阻和低熱阻的特性。

4. 電氣特性

• ?靜態(tài)特性?：包括漏源擊穿電壓（BV_DSS）、漏源泄漏電流（I_DSS）、柵源泄漏電流（I_GSS）、閾值電壓（V_GS(th)）等。
• ?動態(tài)特性?：涵蓋輸入電容（C_ISS）、輸出電容（C_OSS）、反向傳輸電容（C_RSS）、柵極電荷（Q_g）等，這些參數(shù)影響開關(guān)速度和效率。
• ?二極管特性?：包括體二極管正向電壓（V_SD）和反向恢復電荷（Q_rr），對整流和續(xù)流應用至關(guān)重要。

5. 熱信息

• ?熱阻?：提供了結(jié)到殼（R_θJC）和結(jié)到環(huán)境（R_θJA）的熱阻值，幫助用戶設計有效的散熱方案。

6. 封裝和訂購信息

• ?封裝尺寸?：詳細列出了CSD18543Q3A的封裝尺寸和引腳配置。
• ?訂購選項?：包括不同卷帶長度和包裝類型的訂購選項。

7. 文檔和支持

• ?文檔更新通知?：用戶可通過TI官網(wǎng)注冊接收產(chǎn)品文檔的更新通知。
• ?社區(qū)資源?：提供了TI的E2E在線社區(qū)鏈接，方便用戶獲取技術(shù)支持和與其他工程師交流。
• ?靜電放電警告?：提醒用戶在存儲和處理過程中注意靜電放電保護，以防止損壞MOSFET的柵極。