這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗，并針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。2mm × 2mm SON 為封裝尺寸提供出色的熱性能。
*附件：CSD17318Q2 30V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf

特性

• 針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化
• 低電容和低電荷
• 低 RDS（ON）
• 低熱阻
• 無鉛
• 符合 RoHS 規(guī)范
• 無鹵素
• SON 2mm × 2mm 塑料封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品特點(diǎn)

• ?優(yōu)化5V柵極驅(qū)動(dòng)?：專為5V柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。
• ?低電容與電荷?：具有低Ciss、Coss和Qg值，減少開關(guān)損耗。
• ?低導(dǎo)通電阻?：R DS(ON)低至12.6mΩ（V GS = 8V）。
• ?低熱阻?：有助于散熱，提高熱性能。
• ?無鉛與RoHS合規(guī)?：符合環(huán)保要求。
• ?無鹵素?：適用于對(duì)鹵素敏感的應(yīng)用。
• ?小尺寸封裝?：采用2mm × 2mm的SON塑料封裝。

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?存儲(chǔ)、平板和手持設(shè)備?：適用于需要高效電源管理的便攜式設(shè)備。
• ?負(fù)載開關(guān)應(yīng)用?：優(yōu)化用于負(fù)載開關(guān)場(chǎng)景。
• ?DC-DC轉(zhuǎn)換器?：適用于各種DC-DC轉(zhuǎn)換電路。
• ?電池和負(fù)載管理應(yīng)用?：提供電池保護(hù)和負(fù)載管理功能。

3. 電氣特性

• ?最大漏源電壓?：V DS = 30V
• ?最大柵源電壓?：V GS = ±10V
• ?連續(xù)漏極電流?：I D = 21.5A（封裝限制），I D = 25A（硅限制，T C = 25°C）
• ?脈沖漏極電流?：I DM = 68A（T A = 25°C，脈沖持續(xù)時(shí)間≤100μs，占空比≤1%）
• ?功率耗散?：P D = 2.5W（T A = 25°C），P D = 16W（T C = 25°C）
• ?閾值電壓?：V GS(th) = 0.6V至1.2V
• ?導(dǎo)通電阻?：R DS(ON) = 20mΩ（V GS = 2.5V，I D = 8A），12.6mΩ（V GS = 8V，I D = 8A）

4. 熱特性

• ?熱阻?：
  • R θJC = 7.9°C/W（安裝在指定測(cè)試板上）
  • R θJA = 55°C/W（安裝在1in2、2oz Cu pad的FR4 PCB上）
  • 最大R θJA可達(dá)250°C/W（取決于PCB設(shè)計(jì)）

5. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：SON 2mm × 2mm塑料封裝
• ?尺寸?：詳細(xì)尺寸信息請(qǐng)參考數(shù)據(jù)表中的封裝輪廓圖。

6. 柵極電荷與電容

• ?柵極總電荷?：Q g = 6.0nC（V GS = 4.5V，I D = 8A）
• ?柵極到漏極電荷?：Q gd = 1.3nC
• ?輸入電容?：C iss = 67pF至79pF（V GS = 0V，V DS = 15V，f = 1MHz）
• ?輸出電容?：C oss = 71pF至92pF
• ?反向傳輸電容?：C rss = 39pF至51pF

7. 開關(guān)特性

• ?開啟延遲時(shí)間?：t d(on) = 5ns（V DS = 15V，V GS = 4.5V，I D = 8A，R G = 2Ω）
• ?上升時(shí)間?：t r = 16ns
• ?關(guān)斷延遲時(shí)間?：t d(off) = 13ns
• ?下降時(shí)間?：t f = 4ns

8. 二極管特性

• ?二極管正向電壓?：V SD = 0.8V至1.0V（I SD = 8A，V GS = 0V）
• ?反向恢復(fù)電荷?：Q rr = 2.9nC（V DD = 15V，I F = 8A，di/dt = 300A/μs）
• ?反向恢復(fù)時(shí)間?：t rr = 12ns

9. 安全操作區(qū)域與最大電流

• 提供了最大安全操作區(qū)域（SOA）圖和單脈沖未鉗位感性開關(guān)波形圖，以及最大漏極電流與溫度的關(guān)系圖。

CSD17318Q2是一款適用于便攜式設(shè)備和電源管理應(yīng)用的30V N溝道功率MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻、低熱阻和優(yōu)化的5V柵極驅(qū)動(dòng)特性。