CSD86356Q5D NexFET? 電源塊是針對同步降壓應用的優(yōu)化設計，可在 5 mm × 6 mm 的小型外形中提供高電流、高效率和高頻功能。該產(chǎn)品針對 5V 柵極驅(qū)動應用進行了優(yōu)化，提供了一種靈活的解決方案，當與來自外部控制器/驅(qū)動器的任何 5V 柵極驅(qū)動器配對時，能夠提供高密度電源。
*附件：CSD86356Q5D 同步降壓 NexFET 電源塊數(shù)據(jù)表.pdf

特性

• 半橋電源塊
• 25 A 時系統(tǒng)效率為 93.0%
• 高達 40A 的運行電流
• 高頻作（高達 1.5 MHz）
• 高密度 SON 5mm × 6mm 基底面
• 針對 5V 柵極驅(qū)動進行了優(yōu)化
• 低開關損耗
• 超低電感封裝
• 符合 RoHS 標準
• 無鹵素
• 無鉛端子電鍍

參數(shù)

方框圖

1. 概述

CSD86356Q5D 是一款同步降壓 NexFET? 電源塊，專為高性能計算系統(tǒng)和高頻應用設計，提供高電流、高效率和高頻率的同步降壓轉(zhuǎn)換功能。

2. 主要特性

2.1 性能參數(shù)

• ?系統(tǒng)效率?：在25A輸出電流下達到93.0%的系統(tǒng)效率。
• ?最大操作電流?：高達40A。
• ?高頻操作?：支持高達1.5MHz的開關頻率。
• ?封裝?：采用高密度的5mm x 6mm SON封裝。

2.2 電氣特性

• ? 控制FET（Q1） ?：具有低反向恢復時間和低柵極電荷。
• ? 同步FET（Q2） ?：具有低柵極電荷和低導通電阻。
• ?熱性能?：提供詳細的熱信息和功率損耗曲線，支持高溫操作。

2.3 應用范圍

• ?同步降壓轉(zhuǎn)換器?：適用于高頻應用和高電流、低占空比應用。
• ?多相同步降壓轉(zhuǎn)換器?：提高電源轉(zhuǎn)換效率和可靠性。
• ?POL DC-DC轉(zhuǎn)換器?：為處理器和其他高性能組件提供穩(wěn)定電源。

3. 應用信息

3.1 等效系統(tǒng)性能

CSD86356Q5D 通過優(yōu)化功率半導體和封裝技術，提供超越傳統(tǒng)MOSFET芯片組的性能。系統(tǒng)級性能曲線（如功率損耗、安全操作區(qū)域SOA）和歸一化圖表幫助工程師預測產(chǎn)品在實際應用中的性能。

3.2 功率損耗曲線

提供詳細的功率損耗曲線，幫助工程師在設計過程中簡化計算。曲線包括負載電流、輸入電壓、輸出電壓、開關頻率和輸出電感對功率損耗的影響。

3.3 安全操作區(qū)域（SOA）曲線

SOA曲線提供了關于操作系統(tǒng)溫度邊界的指導，通過結合熱阻和系統(tǒng)功率損耗，確保在給定負載電流下的安全操作。

4. 典型應用

提供設計示例，包括如何計算功率損耗和SOA調(diào)整，以及推薦的電路圖和PCB設計概述。

5. PCB設計指南

5.1 電氣性能

• ?輸入電容器放置?：應盡可能靠近VIN和PGND引腳，以最小化節(jié)點長度。
• ?驅(qū)動IC放置?：應相對靠近電源塊的柵極引腳，以減少信號路徑長度。
• ?輸出電感放置?：應相對靠近電源塊的VSW引腳，以減少PCB傳導損耗和開關噪聲。

5.2 熱性能

• ?熱通孔使用?：通過熱通孔將熱量從器件傳遞到系統(tǒng)板，以提高熱性能。
• ?焊料空洞和可制造性問題?：通過適當?shù)暮副P設計、通孔填充和遮蔽策略來最小化這些問題。

6. 封裝與可訂購信息

提供詳細的封裝尺寸、引腳配置、焊盤推薦和模板設計指南，以及可訂購部件號和包裝信息。

7. 注意事項

• ?靜電放電（ESD）警告?：在處理CSD86356Q5D時，應遵循適當?shù)撵o電放電預防措施。
• ?文檔更新通知?：用戶可以通過注冊接收有關文檔更新的通知。
• ?社區(qū)資源?：提供訪問TI社區(qū)資源的鏈接，以獲取技術支持和與其他用戶交流。