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CSD86336Q3D 25V、N 通道同步降壓 NexFET? 功率 MOSFET,SON 3mm x 3mm 電源塊,20A技術(shù)手冊

科技綠洲 ? 2025-04-15 15:42 ? 次閱讀

CSD86336Q3D NexFET? 電源塊是針對同步降壓應(yīng)用的優(yōu)化設(shè)計,可在 3.3mm × 3.3mm 的小型外形中提供高電流、高效率和高頻功能。該產(chǎn)品針對 5V 柵極驅(qū)動應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,提供了一種靈活的解決方案,當(dāng)與來自外部控制器/驅(qū)動器的任何 5V 柵極驅(qū)動器配對時,能夠提供高密度電源。
*附件:csd86336q3d.pdf

特性

  • 半橋電源塊
  • 12 A 時系統(tǒng)效率為 93.0%
  • 高達(dá) 20A 的運行電流
  • 高頻作(高達(dá) 1.5 MHz)
  • 高密度 SON 3.3mm × 3.3mm 基底面
  • 針對 5V 柵極驅(qū)動進(jìn)行了優(yōu)化
  • 低開關(guān)損耗
  • 超低電感封裝
  • 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
  • 無鹵素
  • 無鉛端子電鍍

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 概述

  • ?產(chǎn)品系列?:NexFET Power Block
  • ?型號?:CSD86336Q3D
  • ?應(yīng)用?:適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器,高頻、高電流、低占空比應(yīng)用,多相同步降壓轉(zhuǎn)換器,POL DC-DC轉(zhuǎn)換器,以及IMVP、VRM和VRD應(yīng)用。

2. 主要特性

  • ?高頻操作?:最高可達(dá)1.5MHz。
  • ?高電流能力?:最高可達(dá)20A。
  • ?高效率?:在12A時系統(tǒng)效率高達(dá)93%。
  • ?封裝?:3.3mm × 3.3mm的SON封裝,高密度。
  • ?優(yōu)化?:針對5V門驅(qū)動應(yīng)用優(yōu)化,提供高密度的電源供應(yīng)。

3. 絕對最大額定值

  • ? 輸入電壓(V_IN to P_GND) ?:25V
  • ? 開關(guān)節(jié)點電壓(V_SW to P_GND) ?:25V(10ns脈沖)
  • ? 門極電壓(T_G to T_GR, B_G to P_GND) ?:-8V至+10V
  • ? 脈沖電流(IDM) ?:60A
  • ? 功率耗散(P_D) ?:6W
  • ? 工作溫度(T_J, T_STG) ?:-55°C至150°C

4. 推薦操作條件

  • ? 門極驅(qū)動電壓(V_GS) ?:4.5V至8V
  • ? 輸入電壓(V_IN) ?:22V
  • ? 開關(guān)頻率(f_SW) ?:最高1500kHz(C_BST = 0.1μF)
  • ? 工作溫度(T_A) ?:25°C(除非另有說明)
  • ?操作電流?:20A

5. 熱特性

  • ? 結(jié)到環(huán)境的熱阻(R_θJA) ?:最小105°C/W,最大55°C/W
  • ? 結(jié)到外殼的熱阻(R_θJC) ?:頂部17°C/W,P_GND引腳3.2°C/W

6. 功率塊性能

  • ?典型功率損失?:在V_IN = 12V, V_GS = 5V, V_OUT = 1.3V, I_OUT = 15A, f_SW = 500kHz, L_OUT = 950nH, T_J = 25°C條件下為1.8W
  • ? 輸入靜態(tài)電流(I_QVIN) ?:10μA

7. 電氣特性

image.png

  • ? 控制FET(Q1) ?和? 同步FET(Q2) ?的詳細(xì)電氣參數(shù),包括漏源電壓(BV_DSS)、漏源泄漏電流(I_DSS)、柵源泄漏電流(I_GSS)、柵源閾值電壓(V_GS(th))、有效AC導(dǎo)通阻抗(Z_DS(on))等。

8. 應(yīng)用信息

  • ?系統(tǒng)性能?:強調(diào)了在同步降壓拓?fù)渲刑岣咿D(zhuǎn)換效率的重要性,并介紹了CSD86336Q3D如何通過最新一代硅技術(shù)和優(yōu)化封裝技術(shù)實現(xiàn)高性能。
  • ?功率損失曲線?:提供了功率損失與輸出電流的關(guān)系圖,幫助工程師預(yù)測產(chǎn)品在實際應(yīng)用中的性能。
  • ?安全操作區(qū)域(SOA)曲線?:提供了溫度邊界指導(dǎo),確保系統(tǒng)在設(shè)計負(fù)載電流下的安全操作。

9. 布局建議

  • ?原理圖概覽?:推薦了與電源塊設(shè)備配合使用的關(guān)鍵組件,如旁路電容、自舉電容等。
  • ?PCB設(shè)計概覽?:提供了電氣性能和熱性能優(yōu)化的建議,包括輸入電容、電感、驅(qū)動IC和輸出電容的布局和放置。

10. 包裝與訂購信息

  • ?封裝類型?:SON 3.3mm × 3.3mm
  • ?訂購選項?:包括13英寸卷帶(2500個)和7英寸卷帶(250個)
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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