CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源、雙 N 通道器件，專為 USB Type-C/PD 和電池保護(hù)而設(shè)計(jì)。這款 SON 3.3 × 3.3 mm 器件具有低漏極到漏極導(dǎo)通電阻，可最大限度地減少損耗，并為空間受限的應(yīng)用提供較少的元件數(shù)量。
*附件：CSD87503Q3E 30V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf

特性

• 雙通道 N 溝道共源極 MOSFET
• 針對 5V 柵極驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化
• Low-Thermal Resistance
• 低 Qg和 QGD
• 無鉛端子電鍍
• 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
• 無鹵素
• SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：CSD87503Q3E
• ?類型?：30V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
• ?封裝?：SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝
• ?特性?：雙N溝道共用源極MOSFET，優(yōu)化用于5V門驅(qū)動(dòng)，低熱阻，低柵極電荷（Qg 和 Qgd）

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

• USB Type-C/PD VBus 保護(hù)
• 電池保護(hù)
• 負(fù)載開關(guān)

3. 主要特性

• ?電壓?：漏源電壓（VDS）最高30V
• ?電阻?：漏到漏導(dǎo)通電阻（RDD(on)）在VGS=4.5V時(shí)為17.3mΩ，在VGS=10V時(shí)為13.5mΩ
• ?柵極電荷?：總柵極電荷（Qg）在4.5V時(shí)為13.4nC，在10V時(shí)為32.9nC
• ?閾值電壓?：柵源閾值電壓（VGS(th)）為1.7V
• ?封裝特性?：無鉛終端電鍍，RoHS 合規(guī)，無鹵素

4. 絕對最大額定值

• 漏源電壓（VDS）：30V
• 柵源電壓（VGS）：±20V
• 連續(xù)漏到漏電流（ID1,D2）：10A
• 脈沖漏到漏電流（ID1,D2M）：89A（脈沖持續(xù)時(shí)間≤100μs，占空比≤1%）
• 功率耗散（PD）：2.6W（典型RθJA=50°C/W時(shí)）
• 工作結(jié)溫和存儲溫度（TJ, Tstg）：-55°C至150°C

5. 熱特性

• 結(jié)到外殼熱阻（RθJC）：8°C/W
• 結(jié)到環(huán)境熱阻（RθJA）：典型值為50°C/W（安裝在1英寸2、2盎司厚銅墊的FR4 PCB上）

6. 電氣特性

• ?靜態(tài)特性?：包括漏源擊穿電壓（BVDSS）、漏源泄漏電流（IDSS）、柵源泄漏電流（IGSS）等
• ?動(dòng)態(tài)特性?：包括輸入電容（CISS）、輸出電容（COSS）、反向傳輸電容（CRSS）、柵極電荷（Qg、Qgd、Qgs）等
• ?二極管特性?：包括二極管正向電壓（VSD）、反向恢復(fù)電荷（Qrr）、反向恢復(fù)時(shí)間（trr）

7. 封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：SON 3.3mm × 3.3mm
• ?訂購選項(xiàng)?：包括2500個(gè)的13英寸卷帶和250個(gè)的7英寸卷帶

8. 文檔與支持

• 提供接收文檔更新通知、社區(qū)資源鏈接、靜電放電注意事項(xiàng)等

9. 附加信息

• ?推薦PCB模式?：詳細(xì)說明了推薦的PCB布局和焊盤設(shè)計(jì)
• ?推薦網(wǎng)版開口?：提供了激光切割網(wǎng)版的推薦設(shè)計(jì)