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標(biāo)簽 > 相變存儲器
相變存儲器,簡稱PCM,相變存儲器就是利用特殊材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉(zhuǎn)化時所表現(xiàn)出來的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)的。相變存儲器通常是利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)的一種信息存儲裝置。
相變存儲器,簡稱PCM,相變存儲器就是利用特殊材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉(zhuǎn)化時所表現(xiàn)出來的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)的。相變存儲器通常是利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)的一種信息存儲裝置。
相變存儲器材料具有存取速度快和可靠性高等優(yōu)點,有比其他存儲器更廣闊的應(yīng)用空間和更好的發(fā)展趨勢,有望替代目前被公眾熟知的傳統(tǒng)存儲技術(shù)。
相變存儲器適用于固線和無線通信設(shè)備、消費(fèi)電子、PC和其他嵌入式應(yīng)用設(shè)備:比如應(yīng)用在航天器領(lǐng)域中的嵌入系統(tǒng)中、用在智能電表中可以對其儲存構(gòu)架進(jìn)行進(jìn)一步整合等。另外,根據(jù)相變存儲器存在的一些不足,在提高存儲密度、降低成本和提高耐寫能力方面需要進(jìn)一步的研究,才能更好的推動相變存儲器的應(yīng)用與發(fā)展。
DRAM和NAND閃存和其它存儲器技術(shù)的區(qū)別
相變存儲器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉(zhuǎn)變——例如結(jié)晶態(tài)和非晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)變——以及相關(guān)的電氣特性變化——來存儲數(shù)據(jù)。
2022-10-18 標(biāo)簽:相變存儲器DRAMNand flash 3712 0
Numonyx Phase Change Memory (PCM) guru, Jamshid, explains PCM and how it is ...
Watch this video demonstration to see how Phase Change Memory features of bi...
Numonyx相變存儲器(PCM)的倡導(dǎo)者Jamshid闡述了什么是相變存儲器,以及它正如何改變著存儲器產(chǎn)業(yè)的面貌。
相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
意法半導(dǎo)體ST推出帶有可改變存儲配置存儲器的Stellar車規(guī)微控制器解決方案,確保滿足下一代汽車的未來需求
◆?新推出的Stellar微控制器內(nèi)置了xMemory技術(shù),它為正在發(fā)展的軟件定義汽車以及不斷進(jìn)化的電動汽車架構(gòu)提供了一個更為簡單且具有更強(qiáng)可擴(kuò)展性的計...
本系列文章的第1 部分解釋了內(nèi)存如何影響汽車中區(qū)域和域系統(tǒng)的計算性能、功耗、可靠性和成本?,F(xiàn)在,讓我們談?wù)勔环N特定類型的非易失性存儲器 (NVM) — ...
國內(nèi)存儲也有一些創(chuàng)新,長江存儲的Xtacking結(jié)構(gòu),和前邊提到的4D結(jié)構(gòu)類似,把CuA單元放在頂層,一樣也是蓋高樓,64層,然后往更多的96層,100...
華中科技大學(xué)與華為簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議 共同探索面向未來的前沿科學(xué)
近日,華中科技大學(xué)與華為技術(shù)有限公司簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,雙方將進(jìn)一步深化在人才培養(yǎng)、科學(xué)研究、成果轉(zhuǎn)化等方面的合作,探索面向未來的前沿科學(xué)。華為公司董事、...
2019-05-24 標(biāo)簽:相變存儲器華為華中科技大學(xué) 4041 0
耶魯大學(xué)和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲器研發(fā)領(lǐng)域開展合作,目標(biāo)是使具有潛在革命性的相變存儲技術(shù)更具實用性和可行性。 近年來,相變存儲器...
硫系化合物隨機(jī)存儲器,簡稱C-RAM。C-RAM單元結(jié)構(gòu)是下電極/相變材料/上電極,其中相變材料是硫系化合物存儲介質(zhì).
2012-04-27 標(biāo)簽:相變存儲器測試系統(tǒng) 1384 0
BM蘇黎世研究中心的科學(xué)家們?nèi)涨氨硎?,已?jīng)發(fā)現(xiàn)能夠可靠地在相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法
耐寫次數(shù)達(dá)100萬次的相變存儲器實現(xiàn)量產(chǎn)
相變存儲器(Phase Change Memory,PCM)是一種新興的非易失性存儲器技術(shù)。PCM存儲單元是一種極小的GST(鍺、銻和碲)硫族化合物顆粒...
2010-06-02 標(biāo)簽:相變存儲器 1103 0
相變存儲器(PCM)技術(shù)基礎(chǔ)知識 相變存儲器(PCM)是一種非易失存儲設(shè)備,它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液
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