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標(biāo)簽 > 相變存儲器
相變存儲器,簡稱PCM,相變存儲器就是利用特殊材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉(zhuǎn)化時所表現(xiàn)出來的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)的。相變存儲器通常是利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)的一種信息存儲裝置。
相變存儲器,簡稱PCM,相變存儲器就是利用特殊材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間相互轉(zhuǎn)化時所表現(xiàn)出來的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)的。相變存儲器通常是利用硫族化合物在晶態(tài)和非晶態(tài)巨大的導(dǎo)電性差異來存儲數(shù)據(jù)的一種信息存儲裝置。
相變存儲器材料具有存取速度快和可靠性高等優(yōu)點,有比其他存儲器更廣闊的應(yīng)用空間和更好的發(fā)展趨勢,有望替代目前被公眾熟知的傳統(tǒng)存儲技術(shù)。
相變存儲器適用于固線和無線通信設(shè)備、消費電子、PC和其他嵌入式應(yīng)用設(shè)備:比如應(yīng)用在航天器領(lǐng)域中的嵌入系統(tǒng)中、用在智能電表中可以對其儲存構(gòu)架進行進一步整合等。另外,根據(jù)相變存儲器存在的一些不足,在提高存儲密度、降低成本和提高耐寫能力方面需要進一步的研究,才能更好的推動相變存儲器的應(yīng)用與發(fā)展。
Watch this video demonstration to see how Phase Change Memory features of bi...
Numonyx Phase Change Memory (PCM) guru, Jamshid, explains PCM and how it is ...
DRAM和NAND閃存和其它存儲器技術(shù)的區(qū)別
相變存儲器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉(zhuǎn)變——例如結(jié)晶態(tài)和非晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)變——以及相關(guān)的電氣特性變化——來存儲數(shù)據(jù)。
2022-10-18 標(biāo)簽:相變存儲器DRAMNand flash 3827 0
Numonyx相變存儲器(PCM)的倡導(dǎo)者Jamshid闡述了什么是相變存儲器,以及它正如何改變著存儲器產(chǎn)業(yè)的面貌。
相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
華中科技大學(xué)與華為簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議 共同探索面向未來的前沿科學(xué)
近日,華中科技大學(xué)與華為技術(shù)有限公司簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,雙方將進一步深化在人才培養(yǎng)、科學(xué)研究、成果轉(zhuǎn)化等方面的合作,探索面向未來的前沿科學(xué)。華為公司董事、...
2019-05-24 標(biāo)簽:相變存儲器華為華中科技大學(xué) 4128 0
相變存儲器(PCM)技術(shù)基礎(chǔ)知識 相變存儲器(PCM)是一種非易失存儲設(shè)備,它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液
BM蘇黎世研究中心的科學(xué)家們?nèi)涨氨硎?,已?jīng)發(fā)現(xiàn)能夠可靠地在相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法
耶魯大學(xué)和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲器研發(fā)領(lǐng)域開展合作,目標(biāo)是使具有潛在革命性的相變存儲技術(shù)更具實用性和可行性。 近年來,相變存儲器...
本系列文章的第1 部分解釋了內(nèi)存如何影響汽車中區(qū)域和域系統(tǒng)的計算性能、功耗、可靠性和成本?,F(xiàn)在,讓我們談?wù)勔环N特定類型的非易失性存儲器 (NVM) — ...
國內(nèi)存儲也有一些創(chuàng)新,長江存儲的Xtacking結(jié)構(gòu),和前邊提到的4D結(jié)構(gòu)類似,把CuA單元放在頂層,一樣也是蓋高樓,64層,然后往更多的96層,100...
硫系化合物隨機存儲器,簡稱C-RAM。C-RAM單元結(jié)構(gòu)是下電極/相變材料/上電極,其中相變材料是硫系化合物存儲介質(zhì).
2012-04-27 標(biāo)簽:相變存儲器測試系統(tǒng) 1414 0
耐寫次數(shù)達(dá)100萬次的相變存儲器實現(xiàn)量產(chǎn)
相變存儲器(Phase Change Memory,PCM)是一種新興的非易失性存儲器技術(shù)。PCM存儲單元是一種極小的GST(鍺、銻和碲)硫族化合物顆粒...
2010-06-02 標(biāo)簽:相變存儲器 1134 0
意法半導(dǎo)體ST推出帶有可改變存儲配置存儲器的Stellar車規(guī)微控制器解決方案,確保滿足下一代汽車的未來需求
◆?新推出的Stellar微控制器內(nèi)置了xMemory技術(shù),它為正在發(fā)展的軟件定義汽車以及不斷進化的電動汽車架構(gòu)提供了一個更為簡單且具有更強可擴展性的計...
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