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標簽 > 砷化鎵
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機化合物,化學式為GaAs,為黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。
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ADL8106 GaAs pHEMT低噪聲放大器,20 GHz 至 54 GHz技術手冊
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ADL8142-2 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,23 GHz至31 GHz技術手冊
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ADH8411S 0.01 GHz 至 10 GHz 低噪聲放大器技術手冊
ADH8411S-CSH 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器,工作范圍...
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ADL8102 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器,1 GHz至22 GHz技術手冊
ADL8102是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、低噪聲寬帶放大器,工作頻率范圍為1 GHz...
AS169-73 PHEMT砷化鎵集成電路單刀雙擲開關規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-08-03 標簽:砷化鎵PHEMT單刀雙擲開關 283 0
HMC998APM5E分布式功率放大器規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-07-25 標簽:功率放大器砷化鎵 344 0
類別:IC datasheet pdf 2023-07-25 標簽:放大器砷化鎵 211 0
類別:IC datasheet pdf 2022-04-12 標簽:砷化鎵單刀雙擲開關 650 0
類別:IC datasheet pdf 2021-04-12 標簽:集成電路晶體管砷化鎵 598 0
5月9日,河南澠池縣舉行了化合物半導體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項目的簽約儀式。在儀式上,化合物半導體材料團隊執(zhí)行總監(jiān)李有群對該項目做了詳細介紹。
該科研成果已于北京時間2024年3月28日以“證據(jù)表明分數(shù)量子霍爾液體中有手性黑格斯?!睘轭}在國際頂尖學術期刊Nature上公開發(fā)表。全球的引力子研究一...
首期項目斥資15億人民幣,致力開發(fā)4/6英寸砷化鎵生產(chǎn)線。預計在2025年7月開始試運行,此階段主要專注于砷化鎵半導體表面發(fā)射型鐳射VCSEL產(chǎn)品的生產(chǎn)...
上海伯東美國 Gel- Pak VR 真空釋放盒, 非常適用于運輸以及儲存砷化鎵芯片和 MMIC 的器件.
GaAs器件在微波領域的應用非常廣泛,器件分類齊全,包括徽波分立器件、微波混合集成電路、微波模擬和數(shù)字單芯片集成電路等。
中國對鎵、鍺實施出口管制,短期內(nèi)會引起全球鎵、鍺的備貨潮,遭到相關企業(yè)瘋搶,推動相關海外產(chǎn)品價格大幅上漲,國外企業(yè)AXT股價已大幅下跌。
2023-07-13 標簽:半導體產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)氮化鎵 2386 0
鎵和鍺是新興的戰(zhàn)略關鍵礦產(chǎn),已被列入國家戰(zhàn)略性礦產(chǎn)名錄。中國在鎵和鍺的儲量和出口方面都處于全球領先地位。
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