砷化鎵

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砷化鎵（gallium arsenide）是一種無(wú)機(jī)化合物，化學(xué)式為GaAs，為黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。

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砷化鎵技術(shù)

砷化鎵概念股有哪些？砷化鎵概念股一覽

砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點(diǎn)1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于...

2018-03-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料砷化鎵 4.3萬(wàn) 0

砷化鎵太陽(yáng)能電池的優(yōu)劣

太陽(yáng)能光伏發(fā)電在全球取得長(zhǎng)足發(fā)展。常用光伏電池一般為多晶硅和單晶硅電池，然而由于原材料多晶硅的供應(yīng)能力有限，加上國(guó)際炒家的炒作，導(dǎo)致國(guó)際市場(chǎng)上多晶硅價(jià)格...

2018-03-01 標(biāo)簽：砷化鎵 2.7萬(wàn) 0

氮化鎵和砷化鎵的區(qū)別氮化鎵和砷化鎵優(yōu)缺點(diǎn)分析

　氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。

2023-02-20 標(biāo)簽：電磁干擾氮化鎵砷化鎵 2.7萬(wàn) 0

砷化鎵是什么材料砷化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域

砷化鎵太陽(yáng)能電池最大效率預(yù)計(jì)可以達(dá)到23%～26%，它是目前各種類型太陽(yáng)能電池中效率預(yù)計(jì)最高的一種。砷化鎵太陽(yáng)能電池抗輻射能力強(qiáng)，并且能在比較高的溫度環(huán)...

2023-02-08 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池二極管砷化鎵 1.7萬(wàn) 0

砷化鎵芯片和硅芯片區(qū)別砷化鎵芯片的襯底是什么

　砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區(qū)別是：硅基芯片是進(jìn)行物理刻蝕線路工藝（凹刻），可以5-100納米工藝，而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學(xué)堆砌線路（凸堆），線...

2023-02-20 標(biāo)簽：電路板電子元件砷化鎵 9938 0

為什么砷化鎵是半導(dǎo)體材料砷化鎵晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運(yùn)性能和能帶結(jié)構(gòu)，常用于制造半導(dǎo)體器件，如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小，使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中...

2023-07-03 標(biāo)簽：光電器件功率器件砷化鎵 9934 0

砷化鎵（GaAs）芯片和硅（Si）芯片的區(qū)別

砷化鎵芯片的制造工藝相對(duì)復(fù)雜，需要使用分子束外延（MBE）或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）等專門的生長(zhǎng)技術(shù)。而硅芯片的制造工藝相對(duì)成熟和簡(jiǎn)單，可以使...

2023-07-03 標(biāo)簽：集成電路光電器件砷化鎵 9471 0

砷化鎵芯片和氮化鎵芯片制造工藝及優(yōu)缺點(diǎn)分析

砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過(guò)程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化...

2023-02-20 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵 7888 0

通過(guò)砷化鎵制程的PN結(jié)測(cè)量建?？梢缘贸鯲erilogA模型的正確性和通用性

本文中論述的是二極管的小信號(hào)模型，適用于半導(dǎo)體材料組成的PN結(jié)以及金屬半導(dǎo)體組成的肖特基PN結(jié)。另外，論述的二極管的模型參數(shù)適用于GaAs HBT制程的...

2018-04-22 標(biāo)簽：Verilog 建模砷化鎵 6703 0

氮化鎵(GaN)是否將在所有應(yīng)用中取代砷化鎵(GaAs)

之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)一樣，氮化鎵(GaN)是一項(xiàng)革命性技術(shù)，在實(shí)現(xiàn)未來(lái)的射頻、微波和毫米波系統(tǒng)方面能夠發(fā)揮巨...

2022-03-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GaAs 砷化鎵 5675 0

砷化鎵帖子

臨時(shí)鍵合有人做過(guò)這個(gè)嗎？

標(biāo)簽：砷化鎵 84266 5

砷化鎵二極管在高性能功率轉(zhuǎn)換中的作用是什么？

標(biāo)簽：二極管功率轉(zhuǎn)換砷化鎵 10316 0

如何使用砷化鎵二極管降低高功率LLC轉(zhuǎn)換器的成本？

標(biāo)簽：二極管 LLC 砷化鎵 9350 0

請(qǐng)問(wèn)砷化鎵芯片化學(xué)腐蝕開(kāi)封的配酸比例和溫度多少比較合適呀？

標(biāo)簽：砷化鎵 8152 1

射頻從業(yè)者必看，全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭解讀

標(biāo)簽：砷化鎵 0 0

砷化鎵資料下載

半導(dǎo)體制造技術(shù)之半導(dǎo)體的材料特性立即下載

類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2018-11-08 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體砷化鎵 3218 0

砷化鎵電池及砷化鎵LED綜述立即下載

類別：課件下載 2021-08-09 標(biāo)簽：LED 砷化鎵電池 1614 0

RFPA0133 高效率可編程增益放大器的詳細(xì)數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載

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砷化鎵制程技術(shù)與應(yīng)用范疇及其太陽(yáng)能電池的制備工藝立即下載

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SDA-3000砷化鎵分布放大器的詳細(xì)數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載

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線性效能突破硅基RF將替代砷化鎵技術(shù)立即下載

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TGL2205高功率、寬帶MMIC砷化鎵VPIN限幅器的數(shù)據(jù)手冊(cè)詳細(xì)概述立即下載

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TGL2203寬帶MMIC砷化鎵VPIN限制器的詳細(xì)資料免費(fèi)下載立即下載

類別：傳感與控制 2018-07-30 標(biāo)簽：砷化鎵限制器 MMIC 1158 0

砷化鎵資訊

什么是第三代半導(dǎo)體？一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？

在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半...

2020-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體砷化鎵 5G通信 9.1萬(wàn) 1

半導(dǎo)體材料都有哪些？半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)分類狀況

集成電路產(chǎn)業(yè)鏈包括設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)等關(guān)鍵步驟，其中半導(dǎo)體材料是集成電路上游關(guān)鍵原材料，按用途可分為晶圓制造材料和封裝材料。

2023-07-03 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.4萬(wàn) 0

立昂微IPO解讀：募資17億元，投8英寸硅片以及射頻芯片項(xiàng)目

其次，砷化鎵是繼硅單晶之后第二代新型化合物半導(dǎo)體材料中最重要、用途最廣泛的材料之一，且主要產(chǎn)能均由國(guó)外少數(shù)廠商壟斷。通過(guò)射頻芯片項(xiàng)目，實(shí)現(xiàn)6英寸GaAs...

2018-12-25 標(biāo)簽：集成電路分立器件砷化鎵 1.9萬(wàn) 0

砷化鎵是什么？砷化鎵的制造流程

砷化鎵可在一塊芯片上同時(shí)處理光電數(shù)據(jù)，因而被廣泛應(yīng)用于遙控、手機(jī)、DVD計(jì)算機(jī)外設(shè)、照明等諸多光電子領(lǐng)域。另外，因其電子遷移率比硅高6倍，砷化鎵成為超高...

2022-04-25 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體砷化鎵 1.3萬(wàn) 0

砷化鎵GaAs在光電和射頻領(lǐng)域中的應(yīng)用與發(fā)展

砷化鎵是發(fā)光材料，加上泵浦源和諧振腔，即可選頻制成激光器。650nm-1300nm波長(zhǎng)的低功率激光器都可以用砷化鎵材料設(shè)計(jì)，典型代表是VCSEL（垂直腔...

2022-11-30 標(biāo)簽：射頻激光器砷化鎵 1.3萬(wàn) 0

常見(jiàn)的幾種射頻半導(dǎo)體工藝

半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。

2019-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵砷化鎵 1.2萬(wàn) 0

砷化鎵是不是金屬材料

砷化鎵是不是金屬材料砷化鎵屬于半導(dǎo)體材料。砷化鎵（化學(xué)式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導(dǎo)體材料，用來(lái)...

2023-02-14 標(biāo)簽：砷化鎵 8985 0

砷化鎵基板對(duì)外延磊晶質(zhì)量的影響

在光電子激光、LED領(lǐng)域砷化鎵也占據(jù)很大的分量。作為成熟的第二代化合物半導(dǎo)體，砷化鎵功率芯片以及光電子芯片均是在砷化鎵基板上通過(guò)外延生長(zhǎng)的手段長(zhǎng)出不同的...

2022-04-07 標(biāo)簽：led 芯片砷化鎵 7072 0

超越摩爾：光學(xué)、射頻、功率等模擬IC持續(xù)發(fā)展

目前氮化鎵器件有三分之二應(yīng)用于軍工電子，如軍事通訊、電子干擾、雷達(dá)等領(lǐng)域；在民用領(lǐng)域，氮化鎵主要被應(yīng)用于通訊基站、功率器件等領(lǐng)域。氮化鎵基站PA的功放效...

2019-05-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體砷化鎵 5G 6714 0

國(guó)外采用柔性砷化鎵薄膜電池設(shè)計(jì)出太陽(yáng)能無(wú)人機(jī) 實(shí)現(xiàn)人類歷史上第一次永續(xù)飛行

11月14日，據(jù)美國(guó)專業(yè)媒體Aviation Week ＆ Space Technology報(bào)道，波音公司旗下極光飛行科學(xué)公司（Aurora）設(shè)計(jì)了一架...

2018-11-19 標(biāo)簽：太陽(yáng)能砷化鎵無(wú)人機(jī) 6162 0

砷化鎵數(shù)據(jù)手冊(cè)

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加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
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盡管最初傅里葉分析是作為熱過(guò)程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征?！叭我狻钡暮瘮?shù)通過(guò)一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對(duì)簡(jiǎn)單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
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角度傳感器，顧名思義，是用來(lái)檢測(cè)角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂(lè)高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過(guò)1/16圈，角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開(kāi)始，再透過(guò)光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
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HCS12X系列單片機(jī)簡(jiǎn)介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡(jiǎn)稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲(chǔ)能彈簧來(lái)驅(qū)動(dòng)電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
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無(wú)刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無(wú)換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無(wú)刷形式，即交流鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)，這種電動(dòng)機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
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聲紋識(shí)別，生物識(shí)別技術(shù)的一種，也稱為說(shuō)話人識(shí)別，包括說(shuō)話人辨認(rèn)和說(shuō)話人確認(rèn)。聲紋識(shí)別就是把聲信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識(shí)別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識(shí)別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
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直流電壓

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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動(dòng)直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡(jiǎn)單的端對(duì)端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來(lái)直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級(jí)的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級(jí)下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
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Buck-Boost

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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開(kāi)單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見(jiàn)的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開(kāi)關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開(kāi)關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
識(shí)別技術(shù)

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所謂識(shí)別技術(shù)，也稱為自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過(guò)被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
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