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標(biāo)簽 > 砷化鎵
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無(wú)機(jī)化合物,化學(xué)式為GaAs,為黑灰色固體,熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。
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2024-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 3987 0
電磁量子標(biāo)準(zhǔn)扁平化應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)
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伯努利吸盤的應(yīng)用場(chǎng)景、原理及優(yōu)勢(shì)
伯努利吸盤是一種基于伯努利原理而工作的非接觸式吸盤。伯努利原理是流體動(dòng)力學(xué)中的一個(gè)基本概念,由18世紀(jì)的瑞士科學(xué)家丹尼爾·伯努利提出。伯努利原理指出,在...
2023-12-27 標(biāo)簽:晶圓砷化鎵半導(dǎo)體制造 3597 0
半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長(zhǎng)和硅片準(zhǔn)備(三)
我們看到的半導(dǎo)體晶圓是從一塊完整的半導(dǎo)體大晶體切成出來(lái)形成的。
2023-12-25 標(biāo)簽:砷化鎵半導(dǎo)體晶圓 1274 0
半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長(zhǎng)和硅片準(zhǔn)備(二)
晶體材料可能有兩層原子結(jié)構(gòu)。首先是原子以特定的形狀排列在單個(gè)晶胞的特定的點(diǎn)上。
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