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標(biāo)簽 > 砷化鎵
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機化合物,化學(xué)式為GaAs,為黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。
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砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,熔點1237℃,禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于...
2018-03-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料砷化鎵 4.0萬 0
太陽能光伏發(fā)電在全球取得長足發(fā)展。常用光伏電池一般為多晶硅和單晶硅電池,然而由于原材料多晶硅的供應(yīng)能力有限,加上國際炒家的炒作,導(dǎo)致國際市場上多晶硅價格...
2018-03-01 標(biāo)簽:砷化鎵 2.7萬 0
氮化鎵和砷化鎵的區(qū)別 氮化鎵和砷化鎵優(yōu)缺點分析
氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性,可以更好地抵抗高溫和電磁干擾,因此可以替代砷化鎵。
砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區(qū)別是:硅基芯片是進行物理刻蝕線路工藝(凹刻),可以5-100納米工藝,而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學(xué)堆砌線路(凸堆),線...
為什么砷化鎵是半導(dǎo)體材料 砷化鎵晶體的結(jié)構(gòu)特點
砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運性能和能帶結(jié)構(gòu),常用于制造半導(dǎo)體器件,如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小,使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中...
砷化鎵芯片的制造工藝相對復(fù)雜,需要使用分子束外延(MBE)或金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)等專門的生長技術(shù)。而硅芯片的制造工藝相對成熟和簡單,可以使...
砷化鎵芯片的制造工藝要求高,需要精確控制工藝參數(shù),以保證芯片的質(zhì)量;砷化鎵芯片的制造過程中,由于砷化鎵的比表面積較大,容易形成氣泡,影響芯片的質(zhì)量;砷化...
通過砷化鎵制程的PN結(jié)測量建??梢缘贸鯲erilogA模型的正確性和通用性
本文中論述的是二極管的小信號模型,適用于半導(dǎo)體材料組成的PN結(jié)以及金屬半導(dǎo)體組成的肖特基PN結(jié)。另外,論述的二極管的模型參數(shù)適用于GaAs HBT制程的...
氮化鎵(GaN)是否將在所有應(yīng)用中取代砷化鎵(GaAs)
之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)一樣,氮化鎵(GaN)是一項革命性技術(shù),在實現(xiàn)未來的射頻、微波和毫米波系統(tǒng)方面能夠發(fā)揮巨...
砷化鎵 (GaAs) 功率肖特基二極管的電氣測量(靜態(tài)和動態(tài))技術(shù)
該文展示了新型砷化鎵 (GaAs) 功率肖特基二極管與雙極硅二極管相比的電氣特性。該文還介紹了其電氣測量(靜態(tài)和動態(tài))以及最先進的技術(shù)。 通常,硅雙極二...
LED屏的七大分類方式 關(guān)于LED屏的16個小知識
雙基色LED顯示屏由紅色和綠色LED燈組成,256級灰度的雙基色顯示屏可顯示65,536種顏色(雙色屏可顯示紅、綠、黃3種顏色)。全彩色LED顯示屏由紅...
氮化鎵(GaN)和砷化鎵(GaAs)都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員,它們在各自的應(yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而,要判斷哪個更先進,并不是一個簡單的二...
2024-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 3986 0
伯努利吸盤是一種基于伯努利原理而工作的非接觸式吸盤。伯努利原理是流體動力學(xué)中的一個基本概念,由18世紀(jì)的瑞士科學(xué)家丹尼爾·伯努利提出。伯努利原理指出,在...
2023-12-27 標(biāo)簽:晶圓砷化鎵半導(dǎo)體制造 3596 0
激光器都是在外延的基礎(chǔ)上做出芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計,外延厚度2寸的在350um,4寸的在460um左右,到芯片后期,都需要對晶圓進行減薄,厚度有做到80um的,...
砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,它具有優(yōu)異的電子特性,廣泛應(yīng)用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能,具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩(wěn)定性和高熱導(dǎo)率...
2023-02-14 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料砷化鎵 2885 0
關(guān)于硫酸-過氧化氫-水系統(tǒng)中砷化鎵的化學(xué)蝕刻研究報告
摘要 我們?nèi)A林科納對h2so4-h202-h20體系中(100)砷化鎵的蝕刻情況進行了詳細的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對蝕刻速率和晶體表面形狀的影...
淺談激光的發(fā)展歷史 激光在發(fā)展中的關(guān)鍵歷史節(jié)點
各種學(xué)科和技術(shù)應(yīng)用激光并形成了許多重要的交叉學(xué)科:如光電子學(xué)、激光光譜學(xué)、 激光化學(xué)、非線性光學(xué)、激光全息術(shù)、激光生物醫(yī)學(xué)、 激光計量、超快光電子學(xué)、激...
太赫茲(Terahertz,THz)是指頻率在0.1THz到10THz之間的電磁波,這個區(qū)間覆蓋了紅外和微波光譜范圍之間的電磁波譜部分。
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