砷化鎵

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砷化鎵（gallium arsenide）是一種無機(jī)化合物，化學(xué)式為GaAs，為黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。

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砷化鎵技術(shù)

提拉法生長晶體的概念和應(yīng)用

在外加電場作用下折射率發(fā)生變化，從而使通過晶體的一束激光分解為兩束偏振方向相互垂直的偏振光，并產(chǎn)生一根位差效應(yīng)的晶體。

2024-02-27 標(biāo)簽：晶體砷化鎵 2466 0

砷化鎵二極管的優(yōu)缺點(diǎn) 砷化鎵二極管的應(yīng)用范圍

　　砷化鎵二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由砷化鎵（GaAs）材料制成，具有較高的電流密度、較低的功耗和較快的響應(yīng)速度。砷化鎵二極管的原理是，當(dāng)電壓施加到砷化...

2023-02-16 標(biāo)簽：二極管電子器件砷化鎵 2374 0

允許更高的功率密度的GaAs肖特基二極管

當(dāng)討論諸如開關(guān)模式電源（SMPS）或功率因數(shù)校正（PFC）之類的高功率密度和高頻應(yīng)用時(shí)，已知硅雙極二極管由于其反向恢復(fù)行為和由此產(chǎn)生的開關(guān)損耗而限制了這...

2021-05-27 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器 PFC 肖特基二極管 2374 0

太陽能電池中表面等離子體增強(qiáng)光捕獲技術(shù)

光捕獲技術(shù)是提高太陽能電池光吸收率的有效方法之一，它可以減少材料厚度，從而降低成本。近年來，表面等離子體（SP）在這一領(lǐng)域取得了長足的進(jìn)步。利用表面等離...

2023-12-05 標(biāo)簽：太陽能電池太陽能等離子體 2129 0

電磁量子標(biāo)準(zhǔn)扁平化應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢

約瑟夫森效應(yīng)和量子化霍爾電阻效應(yīng)對應(yīng)的h/2e和h/e2，剛好可以導(dǎo)出基本電荷e，在微觀上形成量子三角形（見圖5）。另外，國際上也正在積極探索基于單電子...

2024-01-08 標(biāo)簽：電磁石墨烯砷化鎵 1896 0

在氯化鈉-異丙醇溶液中的表面鈍化和形態(tài)

引言原子平面的制備是半導(dǎo)體基板上原子尺度操作的必要前提。由于自組裝現(xiàn)象或使用原子探針技術(shù)操縱單個(gè)原子，只有原子平面的表面才能產(chǎn)生可重復(fù)制造納米級原子結(jié)...

2022-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體砷化鎵鈍化 1705 0

太陽能電池中表面等離子體增強(qiáng)光捕獲方案

延長光路的常見方法是在電池中集成背反射器，或使用光捕獲結(jié)構(gòu)多次散射光線，使其進(jìn)入活性吸收層。在電池表面添加防反射涂層或在電池表面進(jìn)行紋理處理，可以減少陽...

2023-12-02 標(biāo)簽：太陽能電池石墨烯砷化鎵 1517 0

半導(dǎo)體器件中材料、工藝結(jié)構(gòu)、模型之間的關(guān)系

為了延續(xù)傳統(tǒng)平面型晶體管制造技術(shù)的壽命，彌補(bǔ)關(guān)鍵尺寸縮小給傳統(tǒng)平面型晶體管帶來的負(fù)面效應(yīng)，業(yè)界研究出了很多能夠改善傳統(tǒng)平面型晶體管性能的技術(shù)。

2023-08-21 標(biāo)簽：晶體管 MOS 砷化鎵 1457 0

緊湊型砷化鎵相位正交（I/Q）混頻器HMC525ALC4概述

采用兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的雙平衡混頻器單元和一個(gè)90°混合器，在砷化鎵、金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MES）中制造。金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MESFET）工藝制造的90...

2023-05-24 標(biāo)簽：集成電路混頻器砷化鎵 1405 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長和硅片準(zhǔn)備（三）

我們看到的半導(dǎo)體晶圓是從一塊完整的半導(dǎo)體大晶體切成出來形成的。

2023-12-25 標(biāo)簽：砷化鎵半導(dǎo)體晶圓 1387 0

什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在...

2023-08-11 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵碳化硅 1355 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長和硅片準(zhǔn)備（二）

晶體材料可能有兩層原子結(jié)構(gòu)。首先是原子以特定的形狀排列在單個(gè)晶胞的特定的點(diǎn)上。

2023-12-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓砷化鎵 1080 0

無線時(shí)代的RF半導(dǎo)體工藝你知道多少？

半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

2023-06-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體發(fā)光二極管砷化鎵 890 0

氮化鎵技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析

GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。

2023-08-21 標(biāo)簽：放大器導(dǎo)通電阻氮化鎵 605 0

硅基外延量子點(diǎn)激光器及其摻雜調(diào)控方面獲得重要進(jìn)展

硅基光電子集成芯片以工藝成熟、集成度高、低成本的CMOS工藝為基礎(chǔ)，將傳統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng)所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，提升芯片的信息傳輸和處理能力...

2023-06-27 標(biāo)簽：激光器砷化鎵光學(xué)系統(tǒng) 471 0

CHA5659-98F/CHA5659-QXG：毫米波通信領(lǐng)域的砷化鎵高功率放大器

CHA5659-98F/CHA5659-QXG是法國UMS公司推出的四級單片砷化鎵（GaAs）高功率放大器，專為36-43.5GHz毫米波頻段設(shè)計(jì)。該器...

2025-03-07 標(biāo)簽：放大器砷化鎵 UMS 460 0

商務(wù)部/海關(guān)總署發(fā)布對鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制

　　商務(wù)部海關(guān)總署公告2023年第23號關(guān)于對鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告

2023-07-04 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵氧化鎵 445 0

HMC8410-DIE 0.01GHz至10GHz，GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器技術(shù)手冊

HMC8410CHIPS是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為...

2025-03-12 標(biāo)簽：寬帶放大器 GaAs 砷化鎵 408 0

HMC-C584 0.1GHz至40GHz、31 dB、5位數(shù)字衰減器技術(shù)手冊

HMC-C584是一款0.1 GHz至40 GHz、5位、砷化鎵(GaAs) IC數(shù)字衰減器，封裝在微型密封模塊中。這款寬帶衰減器具有7 dB的典型插...

2025-04-02 標(biāo)簽：衰減器 GaAs 砷化鎵 356 0

ADL8100 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，0.01 GHz至20 GHz技術(shù)手冊

ADL8100是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、寬帶低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為...

2025-04-22 標(biāo)簽：寬帶低噪聲放大器砷化鎵 321 0

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加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征。“任意”的函數(shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對簡單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
TOF

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角度傳感器

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角度傳感器，顧名思義，是用來檢測角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過1/16圈，角度傳感器就會計(jì)數(shù)一次。
L298

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DMD

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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
OV7620

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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
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HCS12X系列單片機(jī)簡介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長途客車司機(jī)以及一些不想被GPS信號追蹤到的人群的一個(gè)機(jī)器，手機(jī)信號干擾器主要針對各類考場、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書館、會議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場所。
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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲能彈簧來驅(qū)動電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
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無刷直流電機(jī)由電動機(jī)主體和驅(qū)動器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無刷電機(jī)是指無電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無刷形式，即交流鼠籠式異步電動機(jī)，這種電動機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
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聲紋識別，生物識別技術(shù)的一種，也稱為說話人識別，包括說話人辨認(rèn)和說話人確認(rèn)。聲紋識別就是把聲信號轉(zhuǎn)換成電信號，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會使用不同的聲紋識別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
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直流電壓

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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡單的端對端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
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Buck-Boost

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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
識別技術(shù)

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所謂識別技術(shù)，也稱為自動識別技術(shù)，通過被識別物體與識別裝置之間的交互自動獲取被識別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
電磁繼電器

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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動開關(guān)”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
制冷片

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VCM

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砷化鎵

砷化鎵技術(shù)

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